【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于扩展等离子体发生器中水冷铜板的结构,属于高端PECVD装备领域。
技术介绍
ETP PECVD技术具有高沉积率(可达20nm/s)、SiH4气源利用率高(只是辉光放电PECVD技术的一半)和操作简单等优点。该技术广泛用于太阳能电池片制造工艺中减反射薄膜的制备。在扩展热等离子体发生装置中输入功率只有很少一部分用于产生等离子体,大部分是通过热传导或辐射形式消耗掉。因此导致等离子源各部分(包括阴极放电腔室、等离子体输运通道和阳极底座)承受很高的热负荷。为了尽量减少等离子体源中器壁热烧蚀,通常必须设计水冷结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于扩展热等离子体发生装置中输运通道及其水冷结构,该装置具有制作简单、成本低和使用安全等优点。为达到上述目的,本新型的水冷铜板采用的解决方案是由水冷铜板和水冷铜管构成。所述的水冷铜板的中心位置设置有用于等离子体输运的通道孔。所述的水冷铜板为圆柱形,在外圆柱面上加工有环形水冷槽,水冷铜管焊接在环形水冷槽中。水冷铜板厚度为2-5毫米,直径为10-20毫米,通道孔的直径在2_10毫米。本技术具有如下效果由于在水冷铜板 ...
【技术保护点】
一种用于ETP?PECVD等离子体发生器的水冷铜板,其特征在于:由水冷铜板和水冷铜管构成。
【技术特征摘要】
1.一种用于ETP PECVD等离子体发生器的水冷铜板,其特征在于由水冷铜板和水冷铜管构成。2.根据权利要求I所述的一种用于ETPPECVD等离子体发生器的水冷铜板,其特征在于所述的水冷铜板的中心位置设置有用于等离子体输运的通道孔。3.根据权利要求I所述的一种用于ETPPECV...
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