一种纳米掺杂结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种纳米掺杂结构及其制备：1）先将纳米材料放置于原子层沉积系统反应腔内；2）用原子层沉积方法沉积厚度为1-2个循环的掺杂物材料；3）沉积厚度为X个循环的纳米材料的基体材料；4）交替循环沉积Y个周期上述2）、3）中所述掺杂物和基体材料层，X的选择根据实际掺杂比例而定，X越小掺杂比例越大，Y的选择根据实际需要的掺杂层厚度而定，Y越大掺杂层越厚，本发明专利技术采用原位原子层沉积技术，工艺过程简单，易于实现，反应温度低，适用材料范围广。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米掺杂结构，其特征在于：包括纳米材料衬底（1）以及沉积于纳米材料衬底（1）上的掺杂层（4），所述掺杂层（4）包括相互层叠的若干个掺杂结构层，掺杂结构层由相互层叠的掺杂物层（2）和基体纳米材料层（3）组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马大衍，王红波，马飞，徐可为，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：