金属掺杂锗碲基阻变存储材料及制备方法和阻变单元器件技术

本发明专利技术实施例提供了一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，分子式为MxGeyTez，其中0<x≤20，35≤y≤55，z=100-x-y，M为Ag、Al、Au、Ti、W、Ta、Fe或Mn，其中金属M的掺杂提高了锗碲基阻变存储材料的晶化温度从而提高了非晶态的热稳定性，阻变特性受热扰动因素较小，解决了现有锗碲材料晶化温度低导致数据存储的丢失或扰动以及能耗增高的问题，具有较高的实际应用价值。本发明专利技术实施例还提供了该金属掺杂锗碲基阻变存储材料的制备方法，该制备方法操作灵活，适用范围广。本发明专利技术实施例提供了包括该金属掺杂锗碲基阻变存储材料的阻变单元器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子领域，特别是涉及金属掺杂锗碲基阻变存储材料及制备方法和阻变单元器件。
技术介绍
阻变单元器件被认为是有希望的下一代高速、高密度、低功耗存储器，受到学术界和工业界的广泛关注。阻变单元器件的原理是用阻变材料作为存储介质，通过外部施加电脉冲，在阻变材料中发生氧空位导电通道或金属导电丝的形成和断裂，实现器件在高阻态和低阻态之间的可逆转变，两态之间的电阻差异用来存储O和I信息。锗碲材料GeTe作为一种固体电解质材料，具有高的离子迁移率，已初步应用于制备阻变存储材料。但GeTe在150?200°C温度下会发生从高电阻值的非晶态到低阻值的晶态的相变，热稳定性差，这将导致数据存储的丢失或扰动以及能耗增高的问题。因此，如何提高锗碲材料的晶化温度从而提高实际应用价值显得十分重要。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例第一方面提供了一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，该金属掺杂锗碲基阻变存储材料具有较高的晶化温度，非晶态的热稳定性好，阻变特性受热扰动因素小，以解决现有锗碲材料晶化温度低导致实际应用价值差的问题。本专利技术实施例第二方面提供了一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料的制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，其特征在于，所述金属掺杂锗碲基阻变存储材料的分子式为MxGeyTez，其中0<x≤20，35≤y≤55，z=100‑x‑y，M为Ag、Al、Au、Ti、W、Ta、Fe或Mn。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：缪向水，许磊，李祎，徐荣刚，赵俊峰，
申请(专利权)人：杭州华为数字技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33