一种在锗基片上制备类金刚石膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种等离子体化学气相沉积在锗基片上制备类金刚石膜的方法，包括以下步骤：（１）将锗基片放置在腔体阴极板上；（２）抽腔体真空，随后通入ＣＨ４气体，调整腔体气压，平衡３－５分钟；（３）射频电源起辉，调节功率；（４）调整工作气压３０～４５Ｐａ，ＣＨ４气体流量在２０～３０ｓｃｃｍ，调节匹配电容使得反射功率达到最小；（５）沉积１４～１８分钟后，关闭射频电源；（６）冷却１０分钟以后，取出锗（Ｇｅ）基片，清理腔体；（７）再次放入锗（Ｇｅ）基片，抽腔体真空，射频电源起辉，轰击样品７０～９０ｓ后，关闭射频电源，继续抽高真空；（８）重复进行二次沉积。该方法沉积速度快、沉积面积大、工艺相对简便。该方法得到的类金刚石膜，对锗（Ｇｅ）基片具有良好的增透和保护作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在锗(Ge)基片上制备类金刚石膜的方法，特别涉及一种等离子 体化学气相沉积在锗(Ge)基片上制备类金刚石膜的方法。
技术介绍
1971年，Aisenberg和Chabot首次采用离子束沉积技术，在室温条件下获得一种 物理性能接近或类似于金刚石的硬质碳膜。由X射线衍射分析推断这种硬质碳膜可能存 在晶格常数类似于金刚石的微晶区，他们称这种硬质碳膜为类金刚石碳膜(Diamond-like Carbon, DLC。以下简称类金刚石膜)。 类金刚石膜为低迁移率半导体，具有室温下的荧光效应和低电子亲合势，良好的 抗磨损性能，低摩擦系数，良好的热导性，红外透过性及高硬度，其性质主要由sp、s^决 定。类金刚石膜中sps键与金刚石中的键相似，形成四面体配位，s^键与石墨中的键相似， 形成面内三角形的配位的强o键，电子在垂直o键面的P,轨道，形成弱的n键。对于sp1 键，两电子形成强o键；另两个电子Py，P,轨道形成弱n键。 与金刚石薄膜相比，类金刚石膜具有两方面的突出优点其一，金刚石膜大都采用 化学气相沉积方法制备，衬底温度至少要大于60(TC，有时甚至在100(TC左右，因而只本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体化学气相沉积在锗基片上制备类金刚石膜的方法，包括以下步骤：　　（１）将锗基片放置在腔体阴极板上；　　（２）抽腔体真空至小于１×１０↑［－３］Ｐａ，随后通入ＣＨ↓［４］气体，将腔体的气压调至３０～４５Ｐａ，平衡３－５分钟；　　（３）射频电源起辉，调节功率，使之稳定在８００～９００Ｗ之间；　　（４）将其它参数稳定在以下范围：工作气压３０～４５Ｐａ，ＣＨ↓［４］气体流量在２０～３０ｓｃｃｍ，调节匹配电容使得反射功率达到最小；　　（５）沉积１４～１８分钟后，关闭射频电源，结束第一次沉积；　　（６）冷却１０分钟以后，取出锗基片，清理腔体；　　（７）再次放入锗基片，抽腔体真空至６５～７０Ｐａ时...

【技术特征摘要】
一种等离子体化学气相沉积在锗基片上制备类金刚石膜的方法，包括以下步骤(1)将锗基片放置在腔体阴极板上；(2)抽腔体真空至小于1×10-3Pa，随后通入CH4气体，将腔体的气压调至30～45Pa，平衡3-5分钟；(3)射频电源起辉，调节功率，使之稳定在800～900W之间；(4)将其它参数稳定在以下范围工作气压30～45Pa，CH4气体流量在20～30sccm，调节匹配电容使得反射功率达到最小；(5)沉积14～18分钟后，关闭射频电源，结束第一次沉积；(6)冷却10分钟以后，取出锗基片，清理腔体；(7)再次放入锗基片，抽腔体真空至65～70Pa时，射频电源起辉，功率为400W，气压为65～70Pa，轰击样品70～90s后，关闭射频电源，继续抽高真空；(8)重复步骤(1)～...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘慧舟，杨坚，杨玉卫，冯校亮，周其，张华，古宏伟，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]