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本发明涉及一种等离子体化学气相沉积在锗基片上制备类金刚石膜的方法，包括以下步骤：（１）将锗基片放置在腔体阴极板上；（２）抽腔体真空，随后通入ＣＨ４气体，调整腔体气压，平衡３－５分钟；（３）射频电源起辉，调节功率；（４）调整工作气压３０～４５...
该专利属于北京有色金属研究总院所有，仅供学习研究参考，未经过北京有色金属研究总院授权不得商用。

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