温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供了一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，分子式为MxGeyTez，其中0<x≤20，35≤y≤55，z=100-x-y，M为Ag、Al、Au、Ti、W、Ta、Fe或Mn，其中金属M的掺杂提高了锗碲基阻变存储材料的晶化温度从而...
该专利属于杭州华为数字技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州华为数字技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。