等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。本发明专利技术的等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，以及能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。该装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于等离子体增强化学气相沉积
，具体涉及一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。
技术介绍
随着经济建设的快速发展，微电子技术得到了迅猛的发展，等离子体增强化学气相沉积(简称=PECVD)设备的开发和使用也日益广泛。PECVD设备是利用高频电源辉光放电，产生等离子体化学沉积的设备，由于等离子体的存在，从而降低沉积温度。目前，PECVD设备广泛的用于液晶显示行业、太阳能电池行业、半导体器件及大规模集成电路的制造行业等。 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通常被用来在基板(例如用于平面面板显示器的透明基板或半导体晶片)上沉积材料层。PECVD通常是通过导引前驱物气体或气体混合物进入含有基板的真空腔室来完成，通过施加射频给前驱物气体或者气体混合物使其被能量化(例如激发)成等离子体，这些等离子体可以相互反应或者与基底表面物质反应以便沉积成材料层。目前，薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-1XD)制造工艺的成膜过程中，进行等离子体增强化学气相沉积的基板上由于等离子的不均匀分布，容易发生电荷积累，当电荷积累到一定程度就会在基板上发生静电释放，故其难以控制处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置，包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括：能在所述基板上产生与所述基板平行的电场的电极块。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张治超，孙亮，赵海廷，郭总杰，刘正，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：