本发明专利技术公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。本发明专利技术的等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，以及能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。该装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于等离子体增强化学气相沉积
，具体涉及一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。
技术介绍
随着经济建设的快速发展，微电子技术得到了迅猛的发展，等离子体增强化学气相沉积(简称=PECVD)设备的开发和使用也日益广泛。PECVD设备是利用高频电源辉光放电，产生等离子体化学沉积的设备，由于等离子体的存在，从而降低沉积温度。目前，PECVD设备广泛的用于液晶显示行业、太阳能电池行业、半导体器件及大规模集成电路的制造行业等。 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通常被用来在基板(例如用于平面面板显示器的透明基板或半导体晶片)上沉积材料层。PECVD通常是通过导引前驱物气体或气体混合物进入含有基板的真空腔室来完成，通过施加射频给前驱物气体或者气体混合物使其被能量化(例如激发)成等离子体，这些等离子体可以相互反应或者与基底表面物质反应以便沉积成材料层。目前，薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-1XD)制造工艺的成膜过程中，进行等离子体增强化学气相沉积的基板上由于等离子的不均匀分布，容易发生电荷积累，当电荷积累到一定程度就会在基板上发生静电释放，故其难以控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成过厚或者过薄的材料层。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。该等离子体增强化学气相沉积电极板装置能够避免基板上发生静电释放，提高沉积材料层的均匀性。本专利技术提供一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置，包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。其中，当电极块靠近基板时，只要其具有不同于等离子体增强化学气相沉积电极板的电势，即可在基板上产生与基板平行的电场；因此，电极块应当能被施加与等离子体增强化学气相沉积电极板不同的电势。优选的是，所述电极块与所述等离子体增强化学气相沉积电极板之间通过绝缘件隔开。优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板上设置有凹槽，所述绝缘件为镶嵌在所述凹槽内的绝缘凹槽，所述电极块设在所述绝缘凹槽内。优选的是，所述电极块的外表面与所述离子体增强化学气相沉积电极板的外表面齐平。优选的是,所述绝缘件的材料为传热绝缘材料。优选的是，所述电极块为多块。优选的是，多块所述电极块在所述等离子体增强化学气相沉积电极板上均匀排列。优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括位于所述等离子体增强化学气相沉积电极板内的，用于将所述基板顶离或放在等离子体增强化学气相沉积电极板上的移动定位单元；所述移动定位单元与所述等离子体增强化学气相沉积电极板之间通过绝缘材料隔开; 控制所述移动定位单元的表面电压的移动定位单元电压控制单元，用于使所述移动定位单元在所述基板上产生与所述基板平行的电场。优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括控制所述电极块的电压的电极块电压控制单元，用于使所述电极块在所述基板上产生与所述基板平行的电场。优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括位于所述等离子体增强化学气相沉积电极板内的、用于加热所述基板的加热单元，和/或位于所述等离子体增强化学气相沉积电极板内的、用于冷却所述基板的冷却单元。优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括用于检测所述基板温度的温度检测单元。本专利技术还提供一种等离子体增强化学气相沉积方法，所述等离子体增强化学气相沉积过程中使用上述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置，且在等离子体增强化学气相沉积过程中，用所述电极块在所述基板上产生与所述基板平行的电场。优选的是，在等离子体增强化学气相沉积过程中，通过多块所述电极块在所述基板上产生与所述基板平行的电场。优选的是，在等离子体增强化学气相沉积过程中，通过使所述电极块之间产生不同的电势，和/或所述电极块与所述等离子体增强化学气相沉积电极板之间产生不同电势，在所述基板上产生与所述基板平行的电场。优选的是，在等离子体增强化学气相沉积过程中，通过使所述移动定位单元之间产生不同的电势，和/或所述移动定位单元与所述等离子体增强化学气相沉积电极板之间产生不同的电势，和/或所述移动定位单元与所述电极块之间产生不同的电势，在所述基板上产生与所述基板平行的电场。本专利技术还提供一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括上述所述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置。本专利技术的等离子体增强化学气相沉积电极板装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和或在电路图形(Pattern )中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。附图说明图1是本专利技术实施例2中的等离子体增强化学气相沉积电极板装置的局部剖视结构图；图2是本专利技术实施例2中的等离子体增强化学气相沉积电极板装置的沿X方向(或Y方向)剖视结构图；图3是本专利技术实施例2中的等离子体增强化学气相沉积电极板装置的俯视结构图；图4是本专利技术实施例2中的等离子体增强化学气相沉积电极板装置的凹槽立体图；图5是本专利技术实施例2中的等离子体增强化学气相沉积电极板装置的局部结构 图。其中1-电极块；2_移动定位单元；3_绝缘凹槽；4_等离子体增强化学气相沉积电极板；5_加热单元/冷却单元；6_温度传感器。具体实施例方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1本实施例提供一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置，包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。本专利技术的等离子体增强化学气相沉积电极板装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和或在电路图形(Pattern )中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。实施例2如图1至5所示，本实施例提供一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置，包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板4，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块I。在薄膜晶体管阵列制造过程的沉膜制造过程中，需要使用等离子体增强化学气相沉积方法在基板上沉积材料层，会在基板表面积聚很多电荷引起静电释放，通过等离子体增强化学气相沉积电极板装置的电极块I可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和或在电路图形(Pattern)中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置，包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括：能在所述基板上产生与所述基板平行的电场的电极块。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张治超，孙亮，赵海廷，郭总杰，刘正，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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