一种用于原子层沉积设备的气体分配器制造技术

本发明专利技术涉及原子层沉积设备技术领域，具体涉及一种用于原子层沉积设备的气体分配器。所述用于原子层沉积设备的气体分配器，所述气体分配器设置在原子层沉积设备的反应腔室内，位于所述反应腔室内基片台的上方；所述气体分配器为环型或U型的气路管道，所述气路管道上设有一个进气口和若干个出气口；所述进气口与所述反应腔室的进气管道相连通，所述出气口均匀分布在所述气路管道的内外两侧，所述出气口的出气方向与垂直方向形成倾斜角度。本发明专利技术具备结构简单，易于加工，成本低廉的优点，在满足ALD沉积方式的同时，能够实现前躯体完整地覆盖样品表面，可以很好地提高薄膜均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及原子层沉积设备
，具体涉及一种用于原子层沉积设备的气体分配器。
技术介绍
原子层沉积(ALD)方法的最大特点是表面反应是自限制的，单周期薄膜沉积过程中由以下几个步骤:(1)第一种反应前驱体输入到衬底材料表面并通过化学吸附(饱和吸附)沉积在表面；(2)用惰性气体将多余的前躯体吹扫干净；(3)将当第二种前驱体通入反应腔，就会与己吸附于衬底材料表面的第一种前驱体发生反应。两种前驱体之间会发生置换反应并产生相应的副产物，直到吸附在表面的第一种前驱体提供的反应空位完全消耗，反应会自动停止并形成需要的薄膜；(4)用惰性气体将多余的前躯体和反应副产物吹扫干净。这种自限制性特征正是原子层沉积技术的基础，不断重复这种自限制反应就会形成所需的薄膜。根据ALD沉积原理，每一个循环在衬底的任何地方都会沉积相同数量的材料且与前驱物的多少无关，只要前驱物的剂量高于饱和表面反应所需即可。由此可见，ALD方法对通过样品表面的前躯体气流浓度的均匀性要求并不高，只需满足整个样品表面都有足够反应的前驱物通过即可，即DOSE进气时间内流过样品表面的剂量高于饱和表面反应所需。因此，对ALD设备进气的要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于原子层沉积设备的气体分配器，其特征在于：所述气体分配器设置在原子层沉积设备的反应腔室内，位于所述反应腔室内基片台的上方；所述气体分配器为环型或U型的气路管道，所述气路管道上设有一个进气口和若干个出气口；所述进气口与所述反应腔室的进气管道相连通，所述出气口均匀分布在所述气路管道的内外两侧，所述出气口的出气方向与垂直方向形成倾斜角度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张艳清，夏洋，李超波，万军，吕树玲，陈波，石莎莉，李楠，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：