【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种通过按顺序对基板供给互相反应的处理气体来层叠反应生成物以形成薄膜的成膜装置。
技术介绍
作为对半导体晶圆等基板(以下称为“晶圆”)进行例如氧化硅膜(SiO2)等薄膜的成膜的方法之一，公知有按顺序将互相反应的多种处理气体(反应气体)供给到晶圆表面而层叠反应生成物的ALD (Atomic Layer D epo sition:原子层沉积)法。作为利用这样的ALD法进行成膜处理的成膜装置，例如，如专利文献I所记载的那样，可列举出如下的装置:使多张晶圆在设于真空容器内的旋转台上沿着周向排列，并且以与该旋转台相对的方式设置有多个气体供给喷嘴。并且，在该装置中，通过以使晶圆按顺序通过被分别供给各处理气体的多个处理区域的方式使旋转台旋转，从而交替地多次反复进行使含硅气体吸附于晶圆的吸附处理和使吸附于晶圆的气体氧化的氧化处理。在上述处理区域彼此之间，为了防止处理气体彼此发生互相混合而设有被供给氮气的分离区域。这里，为了以与现实水平的生产率相符的程度的成膜速度进行成膜处理，或者为了使各处理气体在各个晶圆整个面内与各个晶圆均匀地接触，需要对各处理区域过量地供给处理...
【技术保护点】
一种成膜装置，其在真空容器内进行多次按顺序供给互相反应的多种处理气体的循环而形成薄膜，其中，该成膜装置包括：旋转台，其设于上述真空容器内，在该旋转台的上表面上形成有用于载置基板的基板载置区域，并且，该旋转台用于使该基板载置区域公转；多个处理气体供给部，其用于向在该旋转台的周向上彼此分开的处理区域分别供给互不相同的处理气体；分离气体供给部，其为了使各处理区域的气氛分离开而向形成于各处理区域之间的分离区域供给分离气体；以及排气口，其用于对上述真空容器内的气氛气体进行真空排气，上述处理气体供给部中的至少一个处理气体供给部构成为气体喷嘴，该气体喷嘴从上述旋转台的中央部朝向周缘部延伸...
【技术特征摘要】
2012.01.18 JP 2012-0080471.一种成膜装置，其在真空容器内进行多次按顺序供给互相反应的多种处理气体的循环而形成薄膜，其中， 该成膜装置包括: 旋转台，其设于上述真空容器内，在该旋转台的上表面上形成有用于载置基板的基板载置区域，并且，该旋转台用于使该基板载置区域公转； 多个处理气体供给部，其用于向在该旋转台的周向上彼此分开的处理区域分别供给互不相同的处理气体； 分离气体供给部，其为了使各处理区域的气氛分离开而向形成于各处理区域之间的分离区域供给分离气体；以及 排气口，其用于对上述真空容器内的气氛气体进行真空排气， 上述处理气体供给部中的至少一个处理气体供给部构成为气体喷嘴,该气体喷嘴从上述旋转台的中央部朝向周缘部延伸，并且该气体喷嘴的用于朝向上述旋转台喷射处理气体的气体喷射口沿着该处理气体供给部的长度方向形成， 在上述气体喷嘴的靠上述旋转台的旋转方向的上游侧和靠下游侧，沿着该气体喷嘴的长度方向设有整流板，该整流板为了抑制自该气体喷嘴喷射的处理气体的稀薄化而使分离气体在该整流板的上表面侧流动， 在上述气体喷嘴和上述整流板的上方侧形成有供分离气体流通的流通空间， 为了抑制位于上述整流板的下方侧的处理气体被排出到旋转台的外侧，上述整流板的靠旋转台的外周侧的缘部以与该旋转台的外周端面隔有间隙地与该旋转台的外周端面相对的方式朝向下方侧弯曲而构成弯曲部。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中， 上述弯曲部经由上述旋转台的外周端面弯曲到该旋转台的下表面侧。3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中， 在上述气体喷嘴和位于该气体喷嘴的靠上述旋转台的旋转方向下游侧的处理气体供给部之间形成有排气口，该排气口为了将自上述气体喷嘴供给到上述真空容器内的处理气体...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，中坪敏行，三浦繁博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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