气体供给头和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术在于提供一种气体供给均匀性高、能够抑制在非计划的区域产生不需要的堆积物的气体供给头。该气体供给头具有由多个气体排出孔构成的第一气体孔列（102a）；由在和该第一气体孔列（102a）相同的面中与该第一气体孔列（102a）并列配置的另外的多个气体排出孔构成的第二气体孔列（102b）；由分别经由气体流路仅与构成上述第一气体孔列（102a）的气体排出孔连通的一个或者两个以上的气体扩散室（101a）；和由分别经由气体流路仅与构成上述第二气体孔列（102b）的气体排出孔连通的一个或者两个以上的气体扩散室（101b），对上述第一气体扩散室（101a）和第二气体扩散室（102b）供给不同种类的气体。

【技术实现步骤摘要】
气体供给头和基板处理装置
本专利技术涉及气体供给头和基板处理装置。
技术介绍
近年来，随着对以LCD（LiquidCrystalDisplay，液晶显示器）、有机EL（OrganicElectro-Luminescence，有机电致发光板）为首的FPD（FlatPanelDisplay，平板显示器）、半导体、太阳电池等要求更高的机能，在这些的制造中所使用的对于基板的成膜、蚀刻等工艺技术也逐渐要求更高的精度。特别是在成膜工艺中，利用MO-CVD以及能够以原子层水平进行高精度的成膜控制的ALD（Atomiclayerdeposition，原子层沉积）的成膜技术备受注目。在ALD、MO-CVD等成膜装置中，例如，分别向处理空间导入前体气体和氧化剂气体，使其在处理空间内发生反应。利用这样的成膜工艺，则需要分别向处理空间内导入参与成膜工艺的多种气体。这样分别向处理空间内导入多种气体的公知例，例如，记载在专利文献1、2中。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001-77109号公报专利文献2：日本特开昭62-149881号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，在分别向处理空间导入多种气体时，有时在非计划区域，例如，在气体供给头（气体喷嘴）的附近，堆积不需要的堆积物。特别是在气体供给头存在空隙时，在该空隙中容易发生气体的滞留，气体混合从而发生反应，存在产生堆积物的可能性。为了抑制这样的不需要的堆积物的堆积，而使对应于不同气体种类的气体供给头的气体排出孔的位置相互分离时，由于气体排出孔间隔增大，存在处理空间中的气体供给的均匀性变差的情况。本专利技术在于提供一种能够抑制气体供给的均匀性的恶化并且抑制在非计划区域产生不需要的堆积物的气体供给头和使用该气体供给头的基板处理装置。用于解决课题的方法本专利技术的第一方面所涉及的气体供给头是用于向利用多种气体对基板进行处理的处理空间供给所述多种气体，所述气体供给头具有：第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；和第二气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第二气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通，向所述第一气体扩散单元和第二气体扩散单元供给不同种类的气体。本专利技术的第二方面所涉及的气体供给头是用于向利用多种气体对基板进行处理的处理空间供给所述多种气体，所述气体供给头具有：第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；第二气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第二气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；和气体供给管，其用于在与配置所述第一气体孔列和所述第二气体孔列的面不同的面，向构成所述第一扩散单元的一个或者两个以上的气体扩散室和构成所述第二气体扩散单元的一个或者两个以上的气体扩散室分别供给气体。本专利技术的第三方面所涉及的基板处理装置具备向利用多种气体对基板进行处理的处理空间供给所述多种气体的气体供给机构，该气体供给机构具有：第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室。仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；第二气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第二气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；和气体供给管，向所述第一气体扩散单元和所述第二气体扩散单元分别供给不同种类的气体。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种能够抑制气体供给的均匀性的恶化并且抑制在非计划区域产生不需要的堆积物的气体供给头和使用该气体供给头的基板处理装置。附图说明图1是表示本专利技术的一个实施方式所涉及的基板处理装置的一例的水平剖面图。图2是沿着图1中的II-II线的剖面图。图3（A）图是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置所具备的气体供给头的一例的水平剖面图，（B）图是沿着（A）图中B-B线的剖面图。图4是透视表示一个实施方式所涉及的基板处理装置所具备的气体供给头的一例的内部的立体图。图5是表示本专利技术的一个实施方式所涉及的基板处理装置的一个变形例的纵剖面图。图6（A）图是表示气体供给头的第一变形例的剖面图，（B）图是沿（A）图中的箭头6B观察时的侧视图，（C）图是表示气体孔列的配置的一个变形例的侧视图。图7是表示气体供给头的第二变形例的水平剖面图。图8（A）图是表示气体供给头的第三变形例的剖面图，（B）图是沿（A）图中的箭头8B观察时的侧视图。图9是第三变形例所涉及的气体供给头的立体图。图10（A）图～（D）图是表示从图3（A）、图3（B）和图4中所示的气体供给头排出气体的样子的侧视图。图11是表示从图3（A）、图3（B）和图4中所示的气体供给头排出气体的样子的剖面图。图12（A）图～（D）图是表示从第三变形例所涉及的气体供给头排出气体的样子的侧视图。图13是表示从第三变形例所涉及的气体供给头排出气体的样子的剖面图。图14（A）图～（D）图是表示第三变形例所涉及的气体供给头的进一步变形例的剖面图。符号说明G……被处理体101……气体扩散室102……气体排出孔103……气体排出面104……沟具体实施方式以下，参照附图，说明本专利技术的一个实施方式。在该说明中，对于所参照的全部附图，对于相同的部分使用相同的参照符号。图1是表示本专利技术的一个实施方式所涉及的基板处理装置的一例的水平剖面图，图2是沿着图1中的II-II线的剖面图。一个实施方式中，作为被处理体的一例，使用FPD的制造或太阳电池模块中所使用的玻璃基板，作为基板处理装置的一例，例示对玻璃基板实施成膜处理的成膜装置。如图1和图2所示，基板处理装置1具备形成有对被处理体G进行处理的处理空间2的处理室3。处理室3包含载置被处理体G的载置台4、对载置于载置台4上的被处理体G进行覆盖的罩5。载置台4和罩5以能够在高度方向相对移动的方式构成。使载置台4和罩5在高度方向错开，例如，使罩5上升从而罩5与载置台4分离，则设置于载置台4上的载置被处理体G的载置面露出于外部。由此，能够对载置面进行被处理体G的搬入、载置和搬出。此外，在图1和图2中，省略了在载置面中使被处理体G上升下降的升降机的图示。相反地，以在载置面上载置有被处理体G的状态使罩5下降，使罩5与载置台4密合，则在载置台4和罩5之间形成从外部密闭得到的处理空间2。由此，能够对处理空间2中的被处理体G进行处理。在本例中，以罩5相对于载置台4上升下降为例进行了说明，但是，也能够以载置台4相对于罩5上升下降的方式构成，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体供给头，用于向利用多种气体对基板进行处理的处理空间供给所述多种气体，所述气体供给头的特征在于，具有：第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；和第二气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第二气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通，向所述第一气体扩散单元和第二气体扩散单元供给不同种类的气体。

【技术特征摘要】
2012.01.20 JP 2012-0105281.一种气体供给头，设置在利用多种气体对载置于载置台的基板进行处理的处理空间的内部，向所述处理空间供给所述多种气体，所述气体供给头的特征在于，具有：第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；和第二气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第二气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通，所述第一气体扩散单元和第二气体扩散单元经由形成在所述载置台的内部的气体供给管，被供给不同种类的气体。2.如权利要求1所述的气体供给头，其特征在于：所述第一气体孔列具有连结构成所述第一气体孔列的多个气体排出孔的V字型沟，所述第二气体孔列具有连结构成所述第二气体孔列的多个气体排出孔的V字型沟。3.如权利要求1所述的气体供给头，其特征在于：构成所述第一气体孔列的气体排出孔和构成所述第二气体孔列的气体排出孔彼此从邻接的位置错开。4.一种气体供给头，设置在利用多种气体对载置于载置台的基板进行处理的处理空间的内部，向所述处理空间供给所述多种气体，所述气体供给头的特征在于，具有：第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中诚治，里吉务，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：