气体供给头和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术在于提供一种气体供给均匀性高、能够抑制在非计划的区域产生不需要的堆积物的气体供给头。该气体供给头具有由多个气体排出孔构成的第一气体孔列（102a）；由在和该第一气体孔列（102a）相同的面中与该第一气体孔列（102a）并列配置的另外的多个气体排出孔构成的第二气体孔列（102b）；由分别经由气体流路仅与构成上述第一气体孔列（102a）的气体排出孔连通的一个或者两个以上的气体扩散室（101a）；和由分别经由气体流路仅与构成上述第二气体孔列（102b）的气体排出孔连通的一个或者两个以上的气体扩散室（101b），对上述第一气体扩散室（101a）和第二气体扩散室（102b）供给不同种类的气体。

【技术实现步骤摘要】
气体供给头和基板处理装置
本专利技术涉及气体供给头和基板处理装置。
技术介绍
近年来，随着对以LCD（LiquidCrystalDisplay，液晶显示器）、有机EL（OrganicElectro-Luminescence，有机电致发光板）为首的FPD（FlatPanelDisplay，平板显示器）、半导体、太阳电池等要求更高的机能，在这些的制造中所使用的对于基板的成膜、蚀刻等工艺技术也逐渐要求更高的精度。特别是在成膜工艺中，利用MO-CVD以及能够以原子层水平进行高精度的成膜控制的ALD（Atomiclayerdeposition，原子层沉积）的成膜技术备受注目。在ALD、MO-CVD等成膜装置中，例如，分别向处理空间导入前体气体和氧化剂气体，使其在处理空间内发生反应。利用这样的成膜工艺，则需要分别向处理空间内导入参与成膜工艺的多种气体。这样分别向处理空间内导入多种气体的公知例，例如，记载在专利文献1、2中。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001-77109号公报专利文献2：日本特开昭62-149881号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，在分别向处理空间导入多种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体供给头，用于向利用多种气体对基板进行处理的处理空间供给所述多种气体，所述气体供给头的特征在于，具有：第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；和第二气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第二气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通，向所述第一气体扩散单元和第二气体扩散单元供给不同种类的气体。

【技术特征摘要】
2012.01.20 JP 2012-0105281.一种气体供给头，设置在利用多种气体对载置于载置台的基板进行处理的处理空间的内部，向所述处理空间供给所述多种气体，所述气体供给头的特征在于，具有：第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第一气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通；和第二气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气体扩散室，仅构成所述第二气体孔列的气体排出孔分别经由气体流路与所述一个或者两个以上的气体扩散室连通，所述第一气体扩散单元和第二气体扩散单元经由形成在所述载置台的内部的气体供给管，被供给不同种类的气体。2.如权利要求1所述的气体供给头，其特征在于：所述第一气体孔列具有连结构成所述第一气体孔列的多个气体排出孔的V字型沟，所述第二气体孔列具有连结构成所述第二气体孔列的多个气体排出孔的V字型沟。3.如权利要求1所述的气体供给头，其特征在于：构成所述第一气体孔列的气体排出孔和构成所述第二气体孔列的气体排出孔彼此从邻接的位置错开。4.一种气体供给头，设置在利用多种气体对载置于载置台的基板进行处理的处理空间的内部，向所述处理空间供给所述多种气体，所述气体供给头的特征在于，具有：第一气体孔列，其包括多个气体排出孔；第二气体孔列，其包括在和该第一气体孔列相同的面中与该第一气体孔列并列配置的另外的多个气体排出孔；第一气体扩散单元，其包括一个或者两个以上的气...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中诚治，里吉务，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：