通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜制造技术

本发明专利技术涉及通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜。具体地说，气体渗透阻挡层可通过原子层沉积法(ALD)沉积在塑料或玻璃基材上。ALD涂层的使用可在低浓度的涂层缺陷下，以数十纳米厚度降低许多量级的渗透率。这些薄涂层保护了塑料基材的柔韧性和透明性。这种制品可用于容器、电力和电子应用。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包含塑料或玻璃基材以及通过原子层沉积形成的环境气体渗透阻挡层的制品。该制品可以是诸如有机发光二极管的电力或电子器件的部件。该制品也可用于气体渗透很重要的应用中的容器。
技术介绍
Featherby和Dehaven (W0 2001067504)公开了一种密封涂层器件。这种器件的形成包括提供集成半导体电路型板、施加包封该电路型板的含有无机材料的第一层，以及施加包封该电路型板的第二层步骤。Aintila(WO 9715070A2)公开了在基材表面的金属接触盘区域上形成接触隆起块，包括用原子层外延生长在基材上形成氧化物层，该层在后续加工步骤中要求的点处有开口。Aftergut和Ackerman(US 5641984)公开了包含水分阻挡层的密封福照成像器。在原子层外延生长技术中沉积了介电材料层作为该密封结构的一部分。Aftergut和Ackerman(US 5707880)公开了包含水分阻挡层的密封福照成像器，该阻挡层包含通过原子层外延生长沉积的介电材料层。以上文献都没有公开包含聚合物或玻璃基材的渗透阻挡层。
技术实现思路
本专利技术描述了一种制品，该制品包含:a)由选自塑料和玻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制品，包含：a)具有表面侧和底面侧的柔性聚合物基材，和b)在所述基材的所述表面侧和底面侧之一或两者上通过原子层沉积法沉积的厚度为2?100纳米的气体渗透阻挡层，其中用于所述气体渗透阻挡层的材料选自元素周期表中IVB、VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物或氮化物以及它们的结合，且所述气体渗透阻挡层的结构是非结晶的和没有特征的。

【技术特征摘要】
2003.05.16 US 60/471,0201.一种制品，包含: a)具有表面侧和底面侧的柔性聚合物基材，和 b)在所述基材的所述表面侧和底面侧之一或两者上通过原子层沉积法沉积的厚度为2-100纳米的气体渗透阻挡层，其中用于所述气体渗透阻挡层的材料选自元素周期表中IVB, VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物或氮化物以及它们的结合，且所述气体渗透阻挡层的结构是非结晶的和没有特征的。2.一种制品，包含: a)具有表面侧和底面侧的柔性聚合物基材， b)涂覆的粘合层，和 c)在所述基材的所述表面侧和底面侧之一或两者上通过原子层沉积法沉积的厚度为2-100纳米的气体渗透阻挡层，其中用于所述气体渗透阻挡层的材料选自元素周期表中IVB, VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物或氮化物以及它们的结合，且所述气体渗透阻挡层的结构是非结晶的和没有特征的。3.一种制品 ，包含: a)柔性聚合物基材， b)有机半导体，和 c)通过原子层沉积法沉积的厚度为2-100纳米的气体渗透阻挡层，其中用于所述气体渗透阻挡层的材料选自元素周期表中IVB、VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物或氮化物以及它们的结合，且所述气体渗透阻挡层的结构是非结晶的和没有特征的。4.一种制品，包含: a)柔性聚合物基材， b)液晶聚合物，和 c)通过原子层沉积法沉积的厚度为2-100纳米的气体渗透阻挡层，其中用于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：PF卡西亚，RS麦克莱恩，
申请(专利权)人：纳幕尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：