CVD共形真空/抽吸引导设计制造技术

本公开涉及CVD共形真空/抽吸引导设计和用于引导室内的气流的引导元件。引导元件包括结构、一个或多个入口、出口和传输区。一个或多个入口形成在结构的第一侧上。入口具有根据去除速率选择的入口尺寸，以减轻室内的气流变化。出口位于与结构的第一侧相对的结构的第二侧上。出口具有根据去除速率选择的出口尺寸。传输区在结构内，并将入口耦合或连接至出口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及CVD共形真空/抽吸引导设计。
技术介绍
半导体器件制造是用于创建日常电气和电子设备中存在的集成电路的工艺。制造工艺是光刻和化学处理步骤的多步骤序列，期间在由半导体材料组成的晶圆上逐渐创建电子电路。各种处理步骤分为若干种类，包括沉积、去除、图案化和修改电气性能(B卩，掺杂)。化学汽相沉积(CVD)是用于执行沉积处理步骤的多种常用工艺中的一种。通常，CVD工艺涉及使晶圆或衬底暴露给一个或多个挥发性前体，其在晶圆表面反应和/或分解以产生沉积层。CVD工艺常用于半导体制造，以形成多晶硅层、二氧化硅层和氮化硅层。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供了一种用于引导室内的气流的引导元件，包括:结构；一个或多个入口，形成在结构的第一侧上，入口具有根据去除速率选择的入口尺寸以减轻气流变化；出口，形成在结构的第二侧上，并具有根据去除速率选择的出口尺寸；以及传输区，在结构内，并连接至入 口和出口。优选地，结构的形状是圆形。优选地，额外根据相对于室出口端的位置来选择入口尺寸。优选地，出口尺寸约等于室出口端尺寸。优选地，引导元件还包括围绕出口的密封件。优选地，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于引导室内的气流的引导元件，所述引导元件包括：结构；一个或多个入口，形成在所述结构的第一侧上，所述入口具有根据去除速率选择的入口尺寸以减轻气流变化；出口，形成在所述结构的第二侧上，并具有根据所述去除速率选择的出口尺寸；以及传输区，在所述结构内，并连接至所述入口和所述出口。

【技术特征摘要】
2012.01.20 US 13/354,5451.一种用于引导室内的气流的引导元件，所述引导元件包括: 结构； 一个或多个入口，形成在所述结构的第一侧上，所述入口具有根据去除速率选择的入口尺寸以减轻气流变化； 出口，形成在所述结构的第二侧上，并具有根据所述去除速率选择的出口尺寸；以及 传输区，在所述结构内，并连接至所述入口和所述出口。2.根据权利要求1所述的引导元件，其中，额外根据相对于室出口端的位置来选择所述入口尺寸。3.根据权利要求1所述的引导元件，其中，所述出口尺寸约等于室出口端尺寸。4.根据权利要求1所述的引导元件，还包括围绕所述出口的密封件。5.根据权利要求1所述的引导元件，其中，根据沉积速率选择所述去除速率。6.—种半导体工艺系统,包括: 室，具有出口端； ...

【专利技术属性】
技术研发人员：周友华，李志聪，陈嘉和，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：