用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置。本发明专利技术大体来说提供一种沉积材料的方法，并且更明确地说，本发明专利技术的实施例有关于使用光激发技术来沉积阻障层、种层、导电材料以及介电材料的化学气相沉积制程以及原子层沉积制程。本发明专利技术的实施例大体来说提供辅助制程方法及设备，其中可执行该辅助制程以提供均匀沉积的材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例大体来说提供一种沉积材料的方法，并且更明确地说，本专利技术的实施例有关于使用光激发技术来沉积阻障层、种层、导电材料以及介电材料的化学气相沉积制程以及原子层沉积制程。
技术介绍
基材生产制程通常由两个相关且重要的因素来评估，也就是组件良率和持有成本(COO)。持有成本，虽然受许多因素影响，但大幅度受到每次处理的基材数量，即，生产制程的产量，以及制程材料的成本影响。已发现批处理对增加产能的尝试而言是大有可为的。但是，在增加的基材数 量上提供均匀的制程条件是一个具挑战性的课题。除此之外，已显示出等离子体辅助ALD或CVD制程、UV辅助(光辅助)ALD或CVD制程、以及直接拥有提供至处理区的离子辅助的ALD或CVD制程对于某些沉积制程是有利的。例如，UV和等离子体辅助制程已显示出可提供高k介电材料良好的薄膜品质，这在组件规格驱近次65纳米应用时更加需要。等离子体辅助ALD或CVD也显示出可降低热预算及制程时间要求，与类似的热辅助制程相比。若在如上所述的ALD或CVD制程、UV辅助(光辅助)ALD或CVD制程、以及直接拥有提供至处理区的离子辅助的等离子体辅助ALD或CVD制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：腔室；基材支撑件，设置于所述腔室中并面向所述腔室的顶部；以及气体注入器，沿所述腔室的侧边设置于所述腔室内，所述气体注入器包括气流通道，该气流通道是激励所述气流通道中的气体的能量源。

【技术特征摘要】
2006.05.05 US 11/381,970;2006.08.11 US 11/464,1211.一种装置，包括: 腔室； 基材支撑件，设置于所述腔室中并面向所述腔室的顶部；以及 气体注入器，沿所述腔室的侧边设置于所述腔室内，所述气体注入器包括气流通道，该气流通道是激励所述气流通道中的气体的能量源。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气流通道形成于电极中。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气体注入器是电极。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气体注入器包括UV源。5.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述注入器被定向为与所述基材支撑件所限定的平面相垂直的方向。6.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述气体注...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·K·辛格，M·马哈贾尼，S·G·加那耶姆，J·约德伏斯基，B·麦克道尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：