一种FinFET结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种FinFET及其制造方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍片，该鳍片的宽度大于预期沟道宽度；进行浅沟槽隔离；在沟道上方形成伪栅叠层，形成源漏区；淀积层间介质层，进行平坦化，露出伪栅叠层；移除伪栅叠层，露出沟道部分；在沟道顶部形成刻蚀停止层；沿沟道两侧垂直于沟道侧表面方向对沟道进行减薄，直至得到所需宽度；移除刻蚀停止层。本发明专利技术有效抑制了器件的短沟道效应，同时降低了源漏寄生电阻的影响，与现有技术相比，有效地提高了器件性能，降低了工艺复杂度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种FinFET制造方法，包括：a.提供衬底(101)；b.在所述衬底上形成鳍片(102)，该鳍片(102)的宽度大于预期沟道宽度；c.进行浅沟槽隔离；d.在所述鳍片中部的沟道上方和侧面形成伪栅叠层，在鳍片两端分别形成源漏区；e.淀积层间介质层以覆盖所述伪栅叠层和所述源漏区，进行平坦化，露出伪栅叠层；f.移除伪栅叠层，露出沟道部分；g.在沟道顶部形成刻蚀停止层(106)；h.沿沟道两侧垂直于沟道侧表面方向对沟道进行减薄，直至得到所需宽度；i.移除刻蚀停止层(106)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，刘云飞，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11