温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种FinFET及其制造方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍片，该鳍片的宽度大于预期沟道宽度；进行浅沟槽隔离；在沟道上方形成伪栅叠层，形成源漏区；淀积层间介质层，进行平坦化，露出伪栅叠层；移除伪栅叠层，露出沟道部分；在...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。