RRAM的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种RRAM的制造方法，包括：1）在硅衬底上，生长第一金属层；2）在第一金属层上淀积层间介质层；3）刻蚀层间介质层直到第一金属层，形成通孔；4）在通孔内填充金属钨，并进行平坦化；5）利用快速热氧化将顶部的金属钨氧化形成钨氧化物，并对钨氧化物进行氧离子处理；6）在层间介质层上淀积光刻胶，通过光刻，将非RRAM单元区域的钨氧化物去除；7）在层间介质层上生长第二金属层，并进行热退火处理。本发明专利技术制备的RRAM不仅初始电阻大，面内均匀性好，并且高低组态区分明显，同时，制备工艺简单，容易跟传统逻辑工艺集成。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种阻变随机存储器RRAM的制造方法，其特征在于，包括步骤： 1）在硅衬底上，生长第一金属层； 2）在第一金属层上淀积层间介质层； 3）刻蚀层间介质层直到第一金属层，形成通孔； 4）在通孔内填充金属钨，并进行平坦化； 5）利用快速热氧化将顶部的金属钨氧化形成钨氧化物，并对钨氧化物进行氧离子处理； 其中，快速热氧化的条件为：温度400～550℃，热氧化的时间为10～100s； 6）在层间介质层上淀积光刻胶，通过光刻，将非阻变随机存储器RRAM单元区域的钨氧化物去除； 7）在层间介质层上生长第二金属层，并进行热退火处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏波，刘凯，张可钢，陈华伦，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31