半导体设备工艺控制方法和半导体设备工艺控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体设备工艺控制方法和半导体设备工艺控制装置。该方法包括：识别传输至当前腔室中的加工件；从预先设置的与加工件对应的加工件操作参数中读取当前腔室对应的操作参数，加工件操作参数包括加工件在每个腔室对应的操作参数；根据当前腔室对应的操作参数，对加工件进行工艺处理。本发明专利技术提供的技术方案中，通过为每个加工件设置与该加工件对应的加工件操作参数，使半导体设备实现了针对每个加工件执行不同的工艺处理流程，当需要对某一加工件执行某一工艺处理时仅需根据读取出的操作参数执行相应的工艺处理即可，无需停止正常的工艺操作流程，从而减少了生产时间，提高了生产效率和产品产量。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备工艺控制方法和半导体设备工艺控制装置
本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种半导体设备工艺控制方法和半导体设备工艺控制装置。
技术介绍
在晶硅太阳能电池制造设备中，半导体设备例如：等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，简称：PECVD)设备，多采用线型(In-line)的硬件结构形式，通过在线型镀膜技术(In-linePECVD)达到高效率、高产量的目的。图1为一种线型PECVD设备的结构示意图，如图1所示，该线型PECVD设备包括：装载台1、预热腔2、工艺腔3、冷却腔4、卸载台5和载板回收系统6，其中，载板回收系统6可包括返回台61、返回台62和返回台63。线型PECVD设备对晶片的处理流程包括：处于装载高位(实线框装载台所处的位置)的装载台1将晶片装载到载板上，并降至装载低位(虚线框装载台所处的位置)以接收载板回收系统6返回的载板；载板被传输至预热腔2，预热腔2对载板上装载的晶片进行预热处理；预热处理后，载板被传输至工艺腔3，工艺腔3对载板上装载的晶片进行镀膜处理；镀膜处理后，载板被传输至冷却腔4，冷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体设备工艺控制方法，其特征在于，包括：识别传输至当前腔室中的加工件；从预先设置的与所述加工件对应的加工件操作参数中读取当前腔室对应的操作参数，所述加工件操作参数包括所述加工件在每个腔室对应的操作参数；根据所述当前腔室对应的操作参数，对所述加工件进行工艺处理。

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备工艺控制方法，其特征在于，包括：识别出传输至当前腔室中的加工件的加工件标识以识别出加工件，或者识别出传输至当前腔室中的加工件的位置以识别出加工件；从预先设置的与所述加工件对应的加工件操作参数中读取当前腔室对应的操作参数，所述加工件操作参数包括所述加工件在每个腔室对应的操作参数；根据所述当前腔室对应的操作参数，对所述加工件进行工艺处理，所述加工件为载板。2.根据权利要求1所述的半导体设备工艺控制方法，其特征在于，所述当前腔室对应的操作参数包括当前腔室生产工艺参数和当前腔室指定工艺参数。3.根据权利要求2所述的半导体设备工艺控制方法，其特征在于，所述从预先设置的加工件操作参数中读取当前腔室对应的操作参数之前包括：判断生产工艺执行次数是否小于或者等于设定次数；若判断出生产工艺执行次数小于设定次数，从与加工件对应的加工件操作参数中读取当前腔室生产工艺参数；根据当前腔室生产工艺参数，对所述加工件进行生产工艺处理；若判断出生产工艺执行次数等于设定次数，从与加工件对应的加工件操作参数中读取当前腔室指定工艺参数；根据当前腔室指定工艺参数，对所述加工件进行指定工艺处理。4.根据权利要求3所述的半导体设备工艺控制方法，其特征在于，所述根据当前腔室生产工艺参数，对所述加工件进行生产工艺处理之后，还包括：对所述生产工艺执行次数进行加1处理。5.根据权利要求2至4任一所述的半导体设备工艺控制方法，其特征在于，所述当前腔室生产工艺参数包括工艺腔参数中的生产工艺参数，所述当前腔室指定工艺参数包括工艺腔参数中的清洗参数。6.根据权利要求2至4任一所述的半导体设备工艺控制方法，其特征在于，对所述预先设置的与所述加工件对应的加工件操作参数中读取的当前腔室对应的操作参数进行归类处理，将在相同腔室中具有相同或相近操作参数的加工件连续传输至腔室。7.一种半导体设备工艺控制装置，其特征在于，包括：识别模块，用于识别出传输至当前腔室中的加工件的加工件标识以识别出加工件，或者识别出传输至当前腔室中的加...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆涛，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：