化学汽相沉积膜轮廓均匀性控制制造技术

本公开提供了控制化学汽相沉积(CVD)膜的轮廓均匀性的方法和系统。一种方法包括利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层，该第一层具有第一轮廓，以及利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有第三轮廓，并且第一轮廓、第二轮廓，以及第三轮廓彼此不同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及化学汽相沉积膜轮廓均匀性控制。
技术介绍
在半导体工业中，在整个晶圆衬底上方的化学汽相沉积(CVD)被用于在衬底上方沉积各种层。然而，对于较大的晶圆尺寸而言(诸如，450_)，对膜轮廓的控制变得更加困难并且CVD具有膜轮廓均匀性问题，诸如，膜中的突起和/或凹陷。对喷头和衬底之间的空间，所提供的功率，或稀释气体的流动进行控制并无法提供令人满意的沉积控制。
技术实现思路
本公开提供了多种对CVD膜轮廓均匀性进行控制的优选的实施例。根据一个实施例，控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的方法包括:利用第一喷头通过CVD在第一衬底上沉积第一层，该第一层具有第一轮廓，并且利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有第三轮廓，并且第一轮廓、第二轮廓以及第三轮廓彼此不同。其中，第一层沉积在第一反应室中，而第二层沉积在第二反应室中。其中，第一层的第一轮廓包括向上倾斜的突起，第二层的第二轮廓包括向下倾斜的凹陷，并且组合的第一层和第二层的第三轮廓比第一轮廓与第二轮廓中的至少一个更为平坦。其中，第二喷头具有第二喷头孔洞设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的方法，所述方法包括：利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层，所述第一层具有第一轮廓；以及利用第二喷头通过CVD在所述第一层上方沉积第二层，所述第二层具有第二轮廓，其中，组合的第一层和第二层具有第三轮廓，以及其中，所述第一轮廓、所述第二轮廓以及所述第三轮廓彼此不同。

【技术特征摘要】
2011.12.07 US 13/313,1061.一种控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的方法，所述方法包括: 利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层，所述第一层具有第一轮廓；以及 利用第二喷头通过CVD在所述第一层上方沉积第二层，所述第二层具有第二轮廓， 其中，组合的第一层和第二层具有第三轮廓，以及 其中，所述第一轮廓、所述第二轮廓以及所述第三轮廓彼此不同。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层沉积在第一反应室中，而所述第二层沉积在第二反应室中。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层的所述第一轮廓包括向上倾斜的突起，所述第二层的所述第二轮廓包括向下倾斜的凹陷，并且所述组合的第一层和第二层的所述第三轮廓比所述第一轮廓与所述第二轮廓中的至少一个更为平坦。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二喷头具有第二喷头孔洞设计，所述第二喷头孔洞设计包括呈同心圆的孔洞，而所述第一喷头具有第一喷头孔洞设计，所述第一喷头孔洞设计包括处在与所述第二喷头孔洞设计不同的位置上的呈同心圆的孔洞。5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括:选择所述第二喷头，以利用所述第二层的所述第二轮廓来补偿所述第一层的所述第一轮廓，从而提供所述组合的第一层和第二层的所述第三轮廓，所述第三轮廓比所述第一轮廓与所述第二轮廓中的至少一个更为平坦。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭铭修，李志聪，周友华，蔡明志，陈嘉和，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：