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一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置,其特征在于:包括一真空反应腔;一基片架,设于真空反应腔内,用以放置基片;一基片测温模块,设于基片架上,用以测量基片温度;一气体导入模块,与真空反应腔连接并与基片架相对,用以向真空反应腔内输送N2H4、N...该专利属于中山市创科科研技术服务有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中山市创科科研技术服务有限公司授权不得商用。
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一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置,其特征在于:包括一真空反应腔;一基片架,设于真空反应腔内,用以放置基片;一基片测温模块,设于基片架上,用以测量基片温度;一气体导入模块,与真空反应腔连接并与基片架相对,用以向真空反应腔内输送N2H4、N...