一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法，在处理容器内配置基板，将气态的Ge原料、气态的Sb原料和气态的Te原料导入到上述处理容器内通过CVD在基板上形成成为Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜，其具有如下工序：将气态的Ge原料和气态的Sb原...

本发明提供一种曝光装置，调整在基板面内被设定为微小的每个区域的曝光量，提高显影处理后抗蚀剂残膜的均匀性并抑制布线图案的线宽与间距的参差不同。该曝光装置（1）使基板台（2）上的基板（G）和原版台（3）上的原版（M）同步移动，并将上述原版的...

本发明提供基板冷却系统、基板处理装置、静电吸盘及基板冷却方法。即使对于大型的玻璃基板等体积电阻率值较大的基板，也具有充分的冷却效果，且能够获得与成本相称的对基板的冷却效果。在基板处理装置（10）的基板冷却系统中，基座（12）载置基板（G...

本发明提供一种基板处理装置（100），不易产生匹配器和输送线路的发热和功率损耗，且不易产生由匹配器和输送线路的组装的差异引起的阻抗的变动所导致的电流差，其包括：产生高频电力的高频电源（6）；等离子体生成电极（2），被从高频电源（6）供给...

本发明涉及高频天线电路以及感应耦合等离子体处理装置，高频天线电路能够抑制匹配电路的发热，而且能够提高具备分割天线的感应耦合等离子体处理装置的功率效率。高频天线电路用于在感应耦合等离子体处理装置中、在处理衬底的处理室内生成感应耦合等离子体...

本发明提供一种基板处理系统和基板搬送方法。涂敷显影处理系统的交接站（5）具有：将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗单元（141）、至少对清洗后的晶片的背面在其被搬入到曝光装置之前检查该晶片能否在曝光装置中进行曝光的晶片检...

本发明提供基板处理系统和基板搬送方法。在具有处理站（3）和交接站（5）的涂敷显影处理系统中，交接站（5）具有：在将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗单元（141）、至少对清洗后的晶片的背面，在搬入到曝光装置之前检查能否进...

本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法，其具备：在基底上形成晶种层的工序；在晶种层上形成硅膜的工序；以及将硅膜和晶种层氧化，在基底上形成硅氧化物膜的工序。

本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置，其能够应对被处理基板的大型化。该等离子体处理装置包括：收容被处理基板，实施等离子体处理的处理室（4）；在处理室（4）内载置被处理基板G的载置台（23）；向处理室（4）内供给处理气体的处理气体供给系...

本发明涉及一种等离子体处理装置以及等离子体处理装置用的顶板。该顶板设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部，顶板在顶板的面...

本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。该活化气体注入装置被划分成气体活化室、气体导入室，包括：将这些空间互相连通的流路形成构件；用于将处理气体导入到气体导入室的气体导入件；在气体活化室内互相并列延伸地设置、施加用于使处理气...

本发明提供一种成膜装置及其运用方法。在该成膜装置的运用方法中，在石英制的处理容器内进行在保持于保持部件上的多个被处理体的表面上形成碳膜的成膜工序，其中，进行在与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面上形成使碳膜的密合性提高的密合...

本发明提供成膜装置及其运用方法。在成膜装置的运用方法中，在处理容器内进行在保持于保持部件的被处理体的表面形成碳膜的成膜工序，并且为了除去无用的碳膜而利用清洁气体进行清洁工序，其中，在成膜工序之前，在接触于处理容器内的处理空间的构件的表面...

本发明涉及一种晶种层的形成方法以及含硅薄膜的成膜方法，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备：使用氨基硅烷系气体，使氨基硅烷系气体中包含的至少硅吸附到基底上的工序；以及使用乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在...

本申请发明是一种喷嘴保养装置及使用该喷嘴保养装置的涂布处理装置。本发明的课题在于消除处理液等化学药品的无谓消耗，且缩短工作时间，提高生产性。该喷嘴保养装置包括：擦拭体(11)，形成为圆柱状或圆盘状，在其周面上具有沿着所述喷嘴前端的长度方...

本发明涉及的半导体装置的制造方法具备：在Cu隔离膜（100）上形成铜膜（101）的工序；在铜膜（101）上形成掩模件（102）的工序；将掩模件（102）用作掩模，将铜膜（101）各向异性地蚀刻至Cu隔离膜（100）露出的工序；和将掩模件...

使第1吸附部靠近并接触被粘贴在粘合片上的芯片，并且，使第2吸附部靠近粘合片，并使第2吸附部以与第1吸附部相对的方式接触粘合片，该第2吸附部在用于与粘合片接触的接触面上形成有凹部，利用与粘合片接触着的第2吸附部来吸引粘合片，并且利用注入部...

在作为被处理基板的硅基板上，形成碳氟化合物层(A)。在所形成的碳氟化合物层上形成抗蚀层(B)。然后，对抗蚀层进行利用光致抗蚀剂的曝光，以规定的形状进行图案化(C)。将以规定的形状进行了图案化的抗蚀层作为掩模，进行碳氟化合物层的蚀刻(D)...

本发明利用化学去除处理来有效地去除Si系膜。一种用于将收纳于处理室（21）内的基板（W）表面的Si系膜去除的基板处理方法，该基板处理方法进行以下工序：第1工序，其中，在处理室（21）内，利用含有卤族元素的气体和碱性气体来使基板（W）表面...

本发明提供一种蒸镀处理装置和蒸镀处理方法，能够在基板上形成薄膜的同时进行膜厚的控制。蒸镀处理装置利用蒸镀在基板上形成薄膜，其中，该蒸镀处理装置包括：自由减压的材料供给部，其用于供给材料气体；以及成膜部，其用于在上述基板上形成薄膜，上述成...