【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体晶圆等被处理体上形成碳膜的。
技术介绍
为了形成IC等半导体集成电路，通常对由硅基板等构成的半导体晶圆反复进行成膜处理、蚀刻处理、氧化扩散处理、退火处理等各种处理。而且，以上述蚀刻处理为例，为了实施微细加工，以往采用各种材料的薄膜作为蚀刻掩模，但最近存在采用碳膜作为蚀刻掩模、即牺牲膜的情况(例如专利文献1、2)。其原因在于，碳膜与其他蚀刻掩模材料相比，例如在成膜时能够在晶圆表面的图案凹部的侧壁也更加良好地堆积薄膜来提高阶梯覆盖率(step coverage)。在这种情况下，上述碳膜例如多晶化，由于其阶梯覆盖率如上所述地良好，因此，在线宽等变得更小、推进微细化而设计规则变得严格的现状下，上述碳膜的可用性提升。专利文献1:日本特表2007 - 523034号公报专利文献2:日本特开2011 - 181903号公报但是，为了在半导体晶圆上形成上述碳膜，使作为原料气体的例如乙烯流入到处于减压气氛的石英制的处理容器内。在这种情况下，为了微粒对策、维持成膜处理的再现性，在进行上述成膜处理之前形成不将晶圆收容在处理容器内的状态，并向处理容器内流入原料气体...
【技术保护点】
一种成膜装置的运用方法，在该成膜装置的运用方法中，在处理容器内进行在保持于保持部件的多个被处理体的表面形成碳膜的成膜工序，并且为了除去已附着在上述处理容器内的无用的碳膜而利用清洁气体进行清洁工序，其特征在于，在上述成膜工序之前，进行在接触于上述处理容器内的处理空间的构件的表面形成提高碳膜的密合性且相对于上述清洁气体具有耐受性的耐受性预涂膜的耐受性预涂膜形成工序。
【技术特征摘要】
2011.10.27 JP 2011-2361971.一种成膜装置的运用方法，在该成膜装置的运用方法中，在处理容器内进行在保持于保持部件的多个被处理体的表面形成碳膜的成膜工序，并且为了除去已附着在上述处理容器内的无用的碳膜而利用清洁气体进行清洁工序，其特征在于， 在上述成膜工序之前，进行在接触于上述处理容器内的处理空间的构件的表面形成提高碳膜的密合性且相对于上述清洁气体具有耐受性的耐受性预涂膜的耐受性预涂膜形成工序。2.根据权利要求1所述的成膜装置的运用方法，其特征在于， 上述耐受性预涂膜由氮化硅膜或者硅膜构成。3.根据权利要求1所述的成膜装置的运用方法，其特征在于， 上述耐受性预涂膜的厚度处于IOnm 300nm的范围内。4.根据权利要求1所述的成膜装置的运用方法，其特征在于， 在将未保持上述被处理体的空状态的上述保持部件收容到上述处理容器内的状态下进行上述耐受...
【专利技术属性】
技术研发人员：远藤笃史，水永觉，大塚武裕，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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