【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在透明导电膜等中利用的透明导电性碳膜的制造方法及透明导电性碳膜。
技术介绍
由发生了 SP2键合的碳原子形成的导电性的平面状晶体被称作“石墨烯膜”。关于石墨烯膜详述于非专利文献I中。石墨烯膜是各种形态的结晶性碳膜的基本单元。作为由石墨烯膜形成的结晶性碳膜的例子，有由一层的石墨烯膜形成的单层石墨烯、作为纳米尺寸的石墨烯膜的数层到十层左右的叠层体的纳米石墨烯、以及数层到数十层左右的石墨烯膜叠层体相对于基体材料面以接近垂直的角度取向的碳纳米墙(参照非专利文献2)等。 由石墨烯膜形成的结晶性碳膜由于其高透光率和导电性，而被期待作为透明导电膜或透明电极来利用。对于石墨烯膜的制造方法，迄今为止，开发出从天然石墨中的剥离法、利用碳化硅的高温热处理的硅的脱离法、以及在各种金属表面的形成法等，而对使用了由石墨烯膜形成的结晶性碳膜的透明导电性碳膜而言，正在研究涉及多个方面的工业利用，因此，期望有高生产率且大面积的成膜法。最近，开发了利用化学气相合成法(CVD)在铜箔表面形成石墨烯膜的方法(非专利文献3、4)。该以铜箔为基体材料的石墨烯膜成膜方法是利用热CVD法的方法，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：金载浩，石原正统，古贺义纪，津川和夫，长谷川雅考，饭岛澄男，山田贵寿，
申请(专利权)人：独立行政法人产业技术总合研究所，
类型：
国别省市：
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