透明导电性膜及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明专利技术是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及透明导电性膜及其制造方法。
技术介绍
以往，作为透明导电性膜，广为人知的是在玻璃基材上形成了ITO膜(铟-锡复合氧化物膜)的所谓导电性玻璃。另一方面，玻璃基材的挠曲性、加工性差，存在有因用途不同而无法使用的情况。由此，近年来，由于不仅挠曲性、加工性优异、而且耐冲击性优异、轻质等优点，而提出了在以聚对苯二甲酸乙二醇酯膜为首的各种高分子膜基材上形成了ITO膜的透明导电性膜。对于以触控面板为代表的透明导电材料要求高透明、高透射、高耐久性之类的特性。作为用于提高透射率的对策，已知有在透明薄膜的溅射成膜时以使薄膜中的溅射气体的构成原子为0.05原子％以下的方式进行溅射的构成等(参照专利文献1)。此外，为了应对触控面板的大画面化，以高灵敏度(操作性提高)及低耗电为目标，对于在高分子膜基材上形成的ITO膜而言降低电阻率值及表面电阻值的要求提高起来。作为赋予优异的光透射性、并且电阻率小的透明导电性膜的对策，提出了利用使靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法在膜基材上形成ITO膜的技术(参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-371355号公报专利文献2：国际公开第2013/080995号
技术实现思路
专利技术所要解决的问题虽然在上述技术中根据用途不同作为电阻率而言也会充分地降低，然而本专利技术人等从开发下一代的透明导电性膜的观点出发，进行了进一步低电阻率化的研究。因此，尝试从ITO膜的形成过程及组成的两方面进行了研究。图3是示意性地表示利用溅射形成ITO膜的过程的概念图。导入溅射室内的以氩作为主成分的溅射气体(根据需要含有氧。)与因ITO靶13与搬送膜基材的辊52之间的电位差而产生的电子碰撞后离子化，产生等离子体5。如此产生的离子(特别是氩离子4)与靶13碰撞，飞出的靶粒子2′堆积在高分子膜基材1上，由此形成透明导电层2。此时，与靶13碰撞的离子的一部分从靶13反跳而飞向基材1侧，从而有作为氩原子4′纳入透明导电层2的情况。另外，除了氩原子以外，有时还会向透明导电层2中纳入来自于高分子膜基材1中所含的水分或有机成分、或者溅射气氛中的水分等的氢原子6或碳原子。本专利技术人等基于纳入透明导电层中的氢原子、碳原子等作为杂质发挥作用、并且它们可能对电阻特性产生影响的预测反复进行了研究。本专利技术的目的在于，提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。用于解决问题的方法本专利技术人等为了达成上述的目的，进行了深入研究，结果发现，在透明导电层中所含的杂质与电阻值之间存在有一定的相关性，通过控制它可以达成上述目的，基于此种新的技术见解，完成了本专利技术。即，本专利技术提供一种透明导电性膜，是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层。另外，本专利技术提供一种透明导电性膜，是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电性膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为3.7×1020原子/cm3以下。该透明导电性膜中，由于将透明导电层中的碳原子的存在原子量(以下也简称为“存在量”。)设为3×1020原子/cm3以下，或将氢原子的存在原子量设为3.7×1020原子/cm3以下，因此可以效率优良地实现透明导电层的低电阻化。虽然对于其理由还不能限定为任何的理论，然而可以如下所示地推测。在溅射时，有时向透明导电层中纳入主要来自于高分子膜基材中所含的有机成分的碳原子或氢原子。在溅射工序中纳入透明导电层中的碳原子或氢原子作为杂质发挥作用。透明导电层的电阻特性依赖于材料固有的迁移率和载流子密度，然而一般而言可以认为透明导电层中的杂质会导致晶体生长的阻碍或由中子散射造成的迁移率的降低，因此如果纳入透明导电层中的碳原子及氢原子的存在量多，则透明导电层的电阻值变高，晶体转化时间液变长。该透明导电性膜中，由于压低了透明导电层中的碳原子或氢原子的存在量，因此可以增大透明导电层的迁移率，由此就可以有效地实现透明导电层的低电阻化，并且在进行透明导电层的晶体转化时也可以使之在短时间内完成。如果透明导电层中的碳原子的存在量大于3×1020原子/cm3，或氢原子的存在量大于3.7×1020原子/cm3，则碳原子或氢原子的作为杂质的作用变大，有可能导致载流子散乱及晶体生长阻碍而使透明导电层的迁移率降低，另外有可能延长晶体转化时间。该透明导电性膜在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层。通过在高分子膜基材与透明导电层之间夹设无机底涂层，可以阻断来自于高分子膜基材的水分、有机成分的氢原子及碳原子向透明导电层的纳入，可以更加有效地推进透明导电层的低电阻率化。另外，该透明导电性膜中，透明导电层的电阻率优选为1.1×10-4Ω·cm以上2.8×10-4Ω·cm以下的范围。由此可以有助于透明导电性膜的低电阻化。所述透明导电层优选为铟-锡复合氧化物层。通过使透明导电层为铟-锡复合氧化物(以下也称作“ITO”。)层，可以形成更低电阻的透明导电层。所述透明导电层优选为结晶质。通过使透明导电层为结晶质，就会带来透明性提高、而且加湿热试验后的电阻变化小、加湿热可靠性提高等优点。所述铟-锡复合氧化物层中的氧化锡的含量优选相对于氧化锡及氧化铟的合计量为0.5重量％～15重量％。由此就可以提高载流子密度，可以进一步推进低电阻率化。所述氧化锡的含量可以根据透明导电层的电阻率在上述范围中适当地选择。优选所述透明导电层具有层叠了多个铟-锡复合氧化物层的结构，在所述多个铟-锡复合氧化物层中的至少2层中锡的存在量彼此不同。通过不仅设定透明导电层中的氩原子及氢原子的存在量，而且将透明导电层设为此种特定的层结构，就可以促进晶体转化时间的缩短和透明导电层的进一步的低电阻化。优选所述铟-锡复合氧化物层的全部为结晶质。通过使全部的铟-锡复合氧化物层为结晶质，就可以带来透明导电性膜的透明性提高、而且加湿热试验后的电阻变化小、加湿热可靠性提高等优点。在本专利技术的一个实施方式中，优选所述透明导电层从所述高分子膜基材侧起，依次具有第一铟-锡复合氧化物层及第二铟-锡复合氧化物层，所述第一铟-锡复合氧化物层中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量为6重量％～15重量％，所述第二铟-锡复合氧化物层中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量为0.5重量％～5.5重量％。通过设为所述2层结构，就可以实现透明导电层的低电阻率化及晶体转化时间的缩短。在本专利技术的一个实施方式中，该透明导电性膜在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用湿式涂布法形成的有机底涂层。由此就会有高分子膜基材的表面被平滑化的趋势，因此形成于其上的ITO膜也被平滑化，其结果是，可以有助于ITO膜的低电阻化。另外，通过具备有机底涂层，透明导电性膜的反射率的调整就会变得容易，因此可以使光学特性也提高。在本专利技术的一个实施方式中，该透明导电性膜在所述高分子膜的至少一个面侧，依次具备：利用湿式涂布法形成的有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电性膜，是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电性膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.30 JP 2014-0934871.一种透明导电性膜，是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电性膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。2.一种透明导电性膜，是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电性膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为3.7×1020原子/cm3以下。3.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜，其中，所述透明导电层的电阻率为1.1×10-4Ω·cm以上且2.8×10-4Ω·cm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性膜，其中，所述透明导电层为铟-锡复合氧化物层。5.根据权利要求1～4中任一项所述的透明导电性膜，其中，所述透明导电层为结晶质。6.根据权利要求4所述的透明导电性膜，其中，所述铟-锡复合氧化物层中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量为0.5重量％～15重量％。7.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性膜，其中，所述透明导电层具有层叠了多个铟-锡复合氧化物层的结构，在所述多个铟-锡复合氧化物层中的至少2层中锡的...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤野望，梨木智刚，加藤大贵，待永广宣，佐佐和明，上田惠梨，松田知也，川上梨惠，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP