脉冲直流溅射制备五氧化二铌薄膜的方法技术

技术编号:14563210 阅读:194 留言:0更新日期:2017-02-05 20:04
一种脉冲直流溅射制备五氧化二铌薄膜的方法,包括如下步骤,提供基板,将基板先进行前处理,然后放入溅射腔室中;及提供靶材,将所述靶材放入溅射腔室中;以及在电源的作用下,采用脉冲直流溅射在基板上溅射制备五氧化二铌薄膜。根据本发明专利技术的五氧化二铌薄膜的制备方法,能够以介质材料氧化铌作为靶材,采用脉冲直流溅射在基板上制备五氧化二铌薄膜,极大提高薄膜生长速率,节约时间,且降低薄膜的制备成本。同时制备的五氧化二铌薄膜表面光滑,颗粒尺寸均匀,排列紧密,具有很好的平整性以及致密性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及消影玻璃制造
,尤其涉及减反膜系中高折射率介质层五氧化二铌薄膜的制备技术。
技术介绍
五氧化二铌作为一种新型的介质薄膜材料,具有高折射率、宽带隙、高稳定性、抗腐蚀性等优点。二氧化钛和五氧化二钽也是较常用的高折射率光学薄膜材料,但是二氧化钛薄膜虽然折射率高,但它在蒸发过程中的折射率稳定性较差,吸收较大,如果膜层暴露在紫外光中吸收将会更大。五氧化二钽薄膜虽然性能稳定,但它的折射率相对较低,且价格昂贵。五氧化二铌薄膜的折射率可接近二氧化钛薄膜的折射率,而且它在近红外区和红外区透明,化学性能稳定,因此五氧化二铌作为一种新材料具有很好的应用前景。制备五氧化二铌薄膜的方法很多,包括溅射、电子束蒸发、阳极氧化、化学气相沉积、电化学沉积、溶胶凝胶等。由于可以制备大面积均匀膜,且薄膜附着力和牢固度高,因此作为工业薄膜制备比较完善的磁控溅射技术在五氧化二铌薄膜制备方面也得到了广泛使用,其中,以直流和射频两种溅射方法应用最多。但是无论是直流溅射,还是射频溅射,都存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种脉冲直流溅射制备五氧化二铌薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)提供基板,将基板先进行前处理,然后放入溅射腔室中;及(b)提供靶材,将所述靶材放入溅射腔室中;以及在电源的作用下,采用脉冲直流溅射在基板上溅射制备五氧化二铌薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种脉冲直流溅射制备五氧化二铌薄膜的方法,其特征在于,包括
如下步骤:
(a)提供基板,将基板先进行前处理,然后放入溅射腔室中;及
(b)提供靶材,将所述靶材放入溅射腔室中;以及在电源的作用下,
采用脉冲直流溅射在基板上溅射制备五氧化二铌薄膜。
2.根据权利要求1所述的脉冲直流溅射制备五氧化二铌薄膜的方法,
其特征在于,所述基板前处理为基板依次用洗洁精、丙酮、酒精和去离子
水超声清洗。
3.根据权利要求2所述的脉冲直流溅射制备五氧化二铌薄膜的方法,
其特征在于,对所述基本进行前处理之后,用氮气吹干。
4.根据权利要求1所述的脉冲直流溅射制备五氧化二铌薄膜的方法,
其特征在于,所述靶材为氧化铌(Nb2Ox,0<x≤5)。
5.根据权利要求1所述的脉冲直流溅射制备五氧化二铌薄膜的方法,
其特征在于,所述电源包括串联设置的直流电源和脉冲电源,其中,脉冲
频率为30kHz~70kHz,占空比为10%~90%。
6.根据权利要求1所述的脉冲直流溅射制备五氧...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭寿李刚王芸徐根保蒋继文金克武曹欣张宽翔杨勇姚婷婷
申请(专利权)人:中国建材国际工程集团有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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