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本发明的目的在于解决作为采用热CVD法形成石墨烯膜的课题的高温工艺及工艺时间长的问题，提供在更低温度下以更短时间形成使用了由石墨烯膜形成的结晶性碳膜的透明导电性碳膜的方法。本发明的方法的特征在于，将基体材料温度设定为500℃以下，将压力设定...
该专利属于独立行政法人产业技术总合研究所所有，仅供学习研究参考，未经过独立行政法人产业技术总合研究所授权不得商用。

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