使第1吸附部靠近并接触被粘贴在粘合片上的芯片，并且，使第2吸附部靠近粘合片，并使第2吸附部以与第1吸附部相对的方式接触粘合片，该第2吸附部在用于与粘合片接触的接触面上形成有凹部，利用与粘合片接触着的第2吸附部来吸引粘合片，并且利用注入部向粘合片与芯片之间注入流体，从而使粘合片从芯片的与凹部相对的部分剥离，在利用第1吸附部吸附着芯片的状态下，使第1吸附部远离粘合片，从而拾取芯片。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种芯片的拾取方法和芯片的拾取装置。
技术介绍
近年来，半导体器件的高集成化不断发展。在此，在水平面内配置高集成化的多个半导体器件并用布线连接上述半导体器件而进行产品化时，会担心以下所述的点。即，担心由于布线长度增加而由此导致布线的电阻变大的情况和因布线导致的信号传送延迟变大的情况。因此，提出有使用将多个半导体器件层叠而对其进行三维配置的三维集成技术的方案。在该三维集成技术中，提出有以下所述的方法。即，将预先制作有集成电路的基板分割成多个芯片。然后，从通过分割得到的多个芯片中挑选出通过在分割前进行的合格品判断试验而确认为合格品的芯片。接着，将如此挑选出的芯片层叠到另一基板上，安装为三维层叠体(以下，也称为“堆叠芯片:stacked chip”)。通常，这种堆叠芯片是通过以下方式制造的。首先，在形成有半导体器件的基板上，从形成有半导体器件的器件形成面侧粘贴切割带或背面研磨带等粘合片。然后，从与器件形成面相反的一侧的面、即基板的背面对如此在器件形成面上粘贴有粘合片的基板进行磨削而使其薄化，直到规定的厚度为止。之后，在仍然粘贴于粘合片的状态下，对如此薄化后的基板进行切割加工而将其分割成各个芯片。接着，从粘合片上取出如此分割后的各个芯片，并将取出后的芯片层叠起来(例如参照专利文献I)。此处，在这样的制造工序的、从粘合片上取出各个芯片的工序中，利用拾取装置来从粘贴有各个芯片的粘合片上一个一个地剥离并取出芯片。作为该拾取装置，公开有从粘合片的背面将针顶起而取出芯片的针拾取装置(例如参照专利文献2)。另外，公开有将能够真空吸附芯片的吸嘴靠近芯片的表面并通过该吸嘴的真空吸附来从粘合片上取出芯片的无针拾取装置(例如参照专利文献3)。先行技术文献专利文献专利文献1:日本特开2010 - 056531号公报专利文献2:日本特开昭60 - 102754号公报专利文献3:日本特开2004 - 039722号公报然而，对于这样的从粘合片上取出各个芯片、即拾取各个芯片的拾取装置和拾取方法，可想到以下那样的问题。S卩，在拾取薄化后的芯片时，若以短时间使芯片从粘合片剥离，则担心芯片被施加超过材料强度的应力而使芯片破坏的情况。作为避免这种情况的方法，例如，可想到以下方法:进一步延长从粘合片剥离芯片的时间以在剥离时使施加在芯片上的应力降低。但是，在这样延长了从粘合片剥离芯片的时间的情况下，在芯片的面内会同时存在已经从粘合片剥离了的部分和没有从粘合片剥离的部分。并且，会因已经从粘合片剥离了的部分和没有从粘合片剥离的部分在芯片的面内的分布而在芯片面内产生被施加在芯片上的应力的分布。在此，担心芯片在该分布中的、施加在芯片上的应力最强的部分处破坏的情况。即，在施加在芯片上的应力超过由芯片形状和例如硅等芯片的材料的材料强度决定的破坏强度的情况下，芯片有可能被破坏，其中，该芯片形状由芯片的平面尺寸和厚度尺寸决定。例如，在已经从粘合片剥离了的部分和没有从粘合片剥离的部分间的交界面会作用有剪切应力，该剪切应力依赖于由芯片的平面尺寸和厚度尺寸所决定的芯片形状。并且，当剪切应力超过芯片的剪切破坏强度(剪切强度)时，芯片有可能被破坏。这样，若仅靠延长从粘合片剥离芯片的剥离时间，则会担心由于芯片形状的不同而不能防止被施加在芯片上的应力大于材料强度的情况。因此，存在不被破坏就能够被拾取的芯片的形状受到限制这样的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述的点而做成的。即，本专利技术提供一种芯片的拾取方法和拾取装置，在拾取薄化后的芯片的情况下，能够降低在对粘贴在粘合片上的芯片进行拾取时施加在芯片上的应力负荷，从而能够防止芯片的破坏。为了解决上述课题，本专利技术的特征在于采用如下所述的各手段。本专利技术的一实施例提供一种如下所述的拾取方法。在该拾取方法中，使第I吸附部靠近并接触被粘贴在粘合片上的芯片，并且，使第2吸附部靠近粘合片并使第2吸附部以与第I吸附部相对的方式接触粘合片，该第2吸附部在用于与粘合片接触的接触面上形成有凹部。然后，利用与粘合片接触着的第2吸附部来吸引粘合片，并且利用注入部向粘合片与芯片之间注入流体。这样一来，使粘合片从芯片的与凹部相对的部分剥离，在利用第I吸附部吸附着芯片的状态下，使第I吸附部远离由第2吸附部吸引着的粘合片。这样一来，使芯片从粘合片剥离而拾取该芯片。本专利技术的一实施例提供一种拾取装置，该拾取装置包括:第I吸附部，其用于吸附芯片；第I驱动部，其以使第I吸附部移动的方式驱动第I吸附部；第2吸附部，其在用于与粘合片接触的接触面上形成有凹部，用于吸引粘合片；第2驱动部，其以使第2吸附部移动的方式驱动第2吸附部；注入部，其用于注入流体；以及控制部。此处，控制部进行如下的控制:利用第I驱动部使第I吸附部靠近并接触被粘贴在粘合片上的芯片，并且，利用第2驱动部使第2吸附部靠近粘合片并使第2吸附部以与第I吸附部相对的方式接触粘合片。然后，控制部进行如下的控制:利用与粘合片接触着的第2吸附部吸引粘合片，并且利用注入部向粘合片与芯片之间注入流体，从而使粘合片从芯片的与凹部相对的部分剥离。然后，控制部进行如下的控制:在利用第I吸附部吸附着芯片的状态下，利用第I驱动部使第I吸附部远离由第2吸附部吸引着的粘合片，从而使芯片从粘合片剥离而拾取该芯片。采用本专利技术，即使在拾取薄化后的芯片的情况下，也能够降低在拾取被粘贴在粘合片上的芯片时施加在芯片上的应力负荷，从而能够防止芯片发生破坏。附图说明图1是实施方式的拾取装置的概略剖视图。图2是用于说明实施方式的拾取方法的各工序的顺序的流程图。图3A是表示实施方式的拾取方法的各工序中的拾取装置的状态的概略剖视图(之一X图3B是表示实施方式的拾取方法的各工序中的拾取装置的状态的概略剖视图(之二 )。图3C是表示实施方式的拾取方法的各工序中的拾取装置的状态的概略剖视图(之三)。图3D是表示实施方式的拾取方法的各工序中的拾取装置的状态的概略剖视图(之四)。图3E是表示实施方式的拾取方法的各工序中的拾取装置的状态的概略剖视图(之五)。图3F是表示实施方式的拾取方法的各工序中的拾取装置的状态的概略剖视图(之六)。图3G是表示实施方式的拾取方法的各工序中的拾取装置的状态的概略剖视图(之七)。图3H是表示实施方式的拾取方法的各工序中的拾取装置的状态的概略剖视图(之八)。图4是示意性地表示比较例的拾取装置的结构的纵剖视图。图5A是表示三个状态中的一个状态下的上吸嘴(collet)上升工序(步骤S18)中作用于芯片上的剥离力的时间变化的图形。图5B是表示三个状态中的另一个状态下的上吸嘴上升工序(步骤S18)中作用于芯片上的剥离力的时间变化的图形。图5C是表示三个状态中的又一个状态下的上吸嘴上升工序(步骤S18)中作用于芯片上的剥离力的时间变化的图形。图6是用于对上吸嘴上升工序(步骤S18)中作用于芯片上的剪切应力进行说明的拾取装置的纵剖视图。图7是用于对上吸嘴上升工序(步骤S18)中作用于芯片上的剪切应力进行说明的芯片的俯视图。图8是用于对上吸嘴上升工序(步骤S18)中作用于芯片上的剪切应力的剪切面积进行说明的芯片的立体图。图9是实施方式的变形例的拾取装置的概略剖视图。图10是用于说明实施方式的变形例的拾取方法的各工序的顺序的流程图。图1l本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.31 JP 2010-1946191.一种拾取方法，其中，在该拾取方法中，使第I吸附部靠近并接触被粘贴在粘合片上的芯片，并且，使第2吸附部靠近上述粘合片并使上述第2吸附部以与上述第I吸附部相对的方式接触上述粘合片，该第2吸附部在用于与上述粘合片接触的接触面上形成有凹部，利用与上述粘合片接触着的上述第2吸附部来吸引上述粘合片，并且利用注入部向上述粘合片与上述芯片之间注入流体，从而使上述粘合片从上述芯片的与上述凹部相对的部分剥离，在利用上述第I吸附部吸附着上述芯片的状态下，使上述第I吸附部远离由上述第2吸附部吸引着的上述粘合片，从而使上述芯片从上述粘合片剥离而拾取该芯片。2.根据权利要求1所述的拾取方法，其中，上述第2吸附部的上述凹部的开口的尺寸大于规定值且小于上述芯片的平面尺寸，该规定值是如下的值:当上述凹部的开口的尺寸为该规定值时，在上述第I吸附部远离上述粘合片时作用于上述芯片上的剪切应力与上述芯片的剪切强度相等。3.根据权利要求1所述的拾取方法，其中，在利用与上述粘合片接触着的上述第2吸附部来吸引上述粘合片并且利用上述注入部向上述粘合片与上述芯片之间注入流体而使上述粘合片从上述芯片的与上述凹部相对的部分剥离时，利用上述第2吸附部来吸引上述粘合片并且利用振动部使上述粘合片振动，从而使上述粘合片从上述芯片的与上述凹部相对的部分开始剥离，通过向开始剥离后的上述粘合片与上述芯片之间插入上述注入部并利用所插入的上述注入部注入流体，从而使上述粘合片从上述芯片的与上述凹部相对的部分剥离。4.根据权利要求1至3中任一项所述的拾取方法，其中，在上述第2吸附部的上述凹部的底面上形成有与用于吸引上述粘合片的吸引孔连通的开口，上述注入部以上述注入部的顶端通过上述吸引孔而从上述开口突出自如的方式设置。5.根据权利要求1至3中任一项所述的拾取方法，其中，上述注入部以上述注入部的顶端从上述凹部的底面突出的状态与上述第2吸附部设置成一体。6.一种拾取装置，其中，该拾取装置包括:第I吸附部，其用...
【专利技术属性】
技术研发人员：中尾贤，中村充一，饭田到，原田宗生，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
国别省市：
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