拾取方法和拾取装置制造方法及图纸

使第1吸附部靠近并接触被粘贴在粘合片上的芯片，并且，使第2吸附部靠近粘合片，并使第2吸附部以与第1吸附部相对的方式接触粘合片，该第2吸附部在用于与粘合片接触的接触面上形成有凹部，利用与粘合片接触着的第2吸附部来吸引粘合片，并且利用注入部向粘合片与芯片之间注入流体，从而使粘合片从芯片的与凹部相对的部分剥离，在利用第1吸附部吸附着芯片的状态下，使第1吸附部远离粘合片，从而拾取芯片。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种芯片的拾取方法和芯片的拾取装置。
技术介绍
近年来，半导体器件的高集成化不断发展。在此，在水平面内配置高集成化的多个半导体器件并用布线连接上述半导体器件而进行产品化时，会担心以下所述的点。即，担心由于布线长度增加而由此导致布线的电阻变大的情况和因布线导致的信号传送延迟变大的情况。因此，提出有使用将多个半导体器件层叠而对其进行三维配置的三维集成技术的方案。在该三维集成技术中，提出有以下所述的方法。即，将预先制作有集成电路的基板分割成多个芯片。然后，从通过分割得到的多个芯片中挑选出通过在分割前进行的合格品判断试验而确认为合格品的芯片。接着，将如此挑选出的芯片层叠到另一基板上，安装为三维层叠体(以下，也称为“堆叠芯片:stacked chip”)。通常，这种堆叠芯片是通过以下方式制造的。首先，在形成有半导体器件的基板上，从形成有半导体器件的器件形成面侧粘贴切割带或背面研磨带等粘合片。然后，从与器件形成面相反的一侧的面、即基板的背面对如此在器件形成面上粘贴有粘合片的基板进行磨削而使其薄化，直到规定的厚度为止。之后，在仍然粘贴于粘合片的状态下，对如此薄化后的基板进行切割加工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.31 JP 2010-1946191.一种拾取方法，其中，在该拾取方法中，使第I吸附部靠近并接触被粘贴在粘合片上的芯片，并且，使第2吸附部靠近上述粘合片并使上述第2吸附部以与上述第I吸附部相对的方式接触上述粘合片，该第2吸附部在用于与上述粘合片接触的接触面上形成有凹部，利用与上述粘合片接触着的上述第2吸附部来吸引上述粘合片，并且利用注入部向上述粘合片与上述芯片之间注入流体，从而使上述粘合片从上述芯片的与上述凹部相对的部分剥离，在利用上述第I吸附部吸附着上述芯片的状态下，使上述第I吸附部远离由上述第2吸附部吸引着的上述粘合片，从而使上述芯片从上述粘合片剥离而拾取该芯片。2.根据权利要求1所述的拾取方法，其中，上述第2吸附部的上述凹部的开口的尺寸大于规定值且小于上述芯片的平面尺寸，该规定值是如下的值:当上述凹部的开口的尺寸为该规定值时，在上述第I吸附部远离上述粘合片时作用于上述芯片上的剪切应力与上述芯片的剪切强度相等。3.根据权利要求1所述的拾取方法，其中，在利用与上述粘合片接触着的上述第2吸附部来吸引上述粘合片并且利用上述注入部向上述粘合片与上述芯片之间注入流体而使上述粘合片从上述芯片的与上述凹部相对的部分剥离时，利用上述第2吸附部来吸引上述粘合片并且利用振动部使上述粘合片振动，从而使上述粘合片从上述芯片的与上述凹部相对的部分开始剥离，通过向开始剥离后的上述粘合片与上述芯片之间插入上述注入部并利用所插入的上述注入部注入流体，从而使上述粘合片从上述芯片的与上述凹部相对的部分剥离。4.根据权利要求1至3中任一项所述的拾取方法，其中，在上述第2吸附部的上述凹部的底面上形成有与用于吸引上述粘合片的吸引孔连通的开口，上述注入部以上述注入部的顶端通过上述吸引孔而从上述开口突出自如的方式设置。5.根据权利要求1至3中任一项所述的拾取方法，其中，上述注入部以上述注入部的顶端从上述凹部的底面突出的状态与上述第2吸附部设置成一体。6.一种拾取装置，其中，该拾取装置包括:第I吸附部，其用...

【专利技术属性】
技术研发人员：中尾贤，中村充一，饭田到，原田宗生，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
国别省市：