基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸

在基板处理装置（1）中，通过由二氧化碳溶解单元（62）控制二氧化碳向纯水的溶解量，使除电液的电阻率成为目标电阻率。接着，通过除电液供给部（6）向基板（9）上供给电阻率比SPM液的电阻率大的除电液，使除电液充满基板（9）的整个上表面（91），从而使基板（9）比较缓慢地除电。并且，在结束了除电处理之后，通过处理液供给部（3）向基板（9）上供给SPM液来进行SPM处理。由此，能防止进行SPM处理时大量的电荷从基板（9）向SPM液急剧移动的情况，能防止基板（9）的损伤。另外，通过将除电液的电阻率维持在目标电阻率，能在基板（9）不发生损伤的范围内，提高基板（9）的除电效率，并缩短除电处理所需要的时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及处理基板的技术。
技术介绍
以往，在半导体基板(下面仅称为“基板”)的制造工序中，利用基板处理装置对具有氧化膜等绝缘膜的基板进行各种的处理。例如，通过向在表面上形成抗蚀剂的图案的基板供给药液，来对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在结束了蚀刻等处理之后，进行去除基板上的抗蚀剂的处理。在日本特开2009-200365号公报的基板处理装置中，在通过SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸-过氧化氢混合物)液等药液进行处理之前，向基板上的处理区域供给电导率比药液的电导率低的液体，在该液体存在于处理区域上的状态下向处理区域喷出药液，来防止因基板和药液间的接触而使基板局部损伤。基板的局部的损伤是指处理区域中的场氧化膜(field oxide)或栅氧化膜(gate oxide)的破坏,该破坏是由于药液和药液用喷嘴间的摩擦带电现象而药液以带电的状态与基板的处理区域接触而产生的。但是，针对在基板处理装置中处理的基板，在搬入至基板处理装置之前，进行干式蚀刻或等离子CVD(Chemical Vapor Deposition)等干燥工序。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有：基板保持部，以使基板的主表面朝向上侧的状态保持基板；处理液供给部，向上述基板的上述主表面供给处理液；除电液供给部，将包含离子的液体或者纯水作为电阻率比上述处理液的电阻率大的除电液供给至上述基板的上述主表面；电阻率设定部，用于设定上述除电液的目标电阻率；控制部，通过控制上述处理液供给部以及上述除电液供给部，从而控制上述除电液中的离子浓度来将上述除电液的电阻率维持在上述目标电阻率，并且将上述除电液供给至上述基板的上述主表面上，使上述除电液充满上述基板的整个上述主表面，之后，将上述处理液供给至上述基板的上述主表面上来进行规定的处理。

【技术特征摘要】
2011.09.29 JP 2011-215258;2011.09.29 JP 2011-21521.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于， 具有: 基板保持部，以使基板的主表面朝向上侧的状态保持基板； 处理液供给部，向上述基板的上述主表面供给处理液； 除电液供给部，将包含离子的液体或者纯水作为电阻率比上述处理液的电阻率大的除电液供给至上述基板的上述主表面； 电阻率设定部，用于设定上述除电液的目标电阻率； 控制部，通过控制上述处理液供给部以及上述除电液供给部，从而控制上述除电液中的离子浓度来将上述除电液的电阻率维持在上述目标电阻率，并且将上述除电液供给至上述基板的上述主表面上，使上述除电液充满上述基板的整个上述主表面，之后，将上述处理液供给至上述基板的上述主表面上来进行规定的处理。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述电阻率设定部中，在上述基板上预先形成的器件的尺寸越小设定越大的目标电阻率。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述电阻率设定部中，基于对上述基板进行的处理的种类来设定目标电阻率。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液为将加热了的硫酸和双氧水进行混合的SPM液，上述规定的处理为SPM处理。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液为缓冲氢氟酸，上述规定的处理为蚀刻处理。6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于， 上述除电液为包含上述离子的液体， 包含上述离子的液体为在纯水中溶解有二氧化碳的液体。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制部通过控制溶解于上述纯水中的二氧化碳的量，来将上述除电液的电阻率维持在上述目标电阻率。8.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述除电液是在纯水中溶解有氨的液体，或者是在纯水中加入稀盐酸的液体。9.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于， 具有: 基板保持部，以使基板的主表面朝向上侧的状态保持基板； 处理液供给部，向上述基板的上述主表面上供给处理液； 除电液供给部，将电阻率比上述处理液的电阻率大的除电液供给至上述基板的上述主表面； 液体去除部,用于去除上述基板的上述主表面上的液体； 控制部，通过控制上述处理液供给部、上述除电液供给部以及上述液体去除部，将上述除电液供给至上述基板的上述主表面上，使上述除电液充满上述基板的整个上述主表面，之后，从上述主表面上去除上述除电液，然后，将上述处理液供给至上述基板的上述主表面上来进行规定的处理。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述液体去除部具有基板旋转机构，该基板旋转机构通过使上述基板以旋转轴为中心与上述基板保持部一同旋转，来去除上述主表面上的液体，其中，上述旋转轴经过上述基板的中心并且与上述基板的上述主表面相垂直。11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，在上述基板旋转机构停止的状态下，或者使上述基板以比上述基板旋转机构去除上述主表面上的液体时的转速小的速度旋转的状态下，通过上述除电液对上述基板的整个上述主表面进行充满处理。12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述液体去除部具有IPA供给部，该IPA供给部通过向上述基板的上述主表面上供给液状的异丙醇，来将上述主表面上的液体从上述基板的边缘推向外侧并去除 。13.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液为对加热了的硫酸和双氧水进行混合的SPM液，上述规定的处理为SPM处理。14.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液为缓冲氢氟酸，上述规定的处理为蚀刻处理。15.根据权利要求9至14中任一项所述的基板处理装置，其特征在于， 还具有用于设定上述除电液的目标电阻率的电阻率设定部； 上述除电液为包含离子的液体或者纯水， 通过上述控制部的控制，控制上述除电液中的离子浓度来将上述除电液的电阻率维持在上述目标电...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫城雅宏，藤川和宪，
申请(专利权)人：大日本网屏制造株式会社，
类型：发明
国别省市：