【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更详细地，涉及在用于去除晶片颗粒的清洗过程中即使不使用中性洗剂也能够完全去除上述颗粒来提供优质的晶片的。
技术介绍
一般来讲，晶片制造工序过程中包括使用化学/机械抛光装备(CMP装备)等进行的晶片抛光工序、用于去除作为在上述晶片抛光工序中产生的杂质的颗粒(Particle)的晶片清洗工序。在这种晶片清洗工序中，为了提高输送类型的横型刷的清洗力，如图1所示，多次将化学制品(chemical)等中性洗剂追加到清洗工序中来去除晶片的颗粒来作为最终工序。然而，这种利用中性洗剂进行的晶片清洗工序，尽管存在当使用中性洗剂用刷子刷的工序时应当容易去除晶片上的颗粒的要求，但存在结束清洗工序后仍有固着型颗粒残留的问题。并且，由于晶片清洗工序需要使用中性洗剂，因而存在晶片的制造单价上升的问题。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而提出的，本专利技术的目的在于，提供如下的:借助超纯水初始清洗收纳在盒中的晶片后，进行再次清洗的步骤，即，借助与上述晶片自转的同时另行旋转的旋转刷，并将上述晶片自转时产生的离心力设定为用于另行去除颗粒的参量(parameter)，不使用中...
【技术保护点】
一种晶片清洗装置，其特征在于，包括：第一清洗部，针对收纳在盒中的晶片，在收容有超纯水的浸渍单元利用氮泡沫清洗上述晶片；第二清洗部，与上述第一清洗部相邻设置，将清洗后的上述晶片放置于旋转卡盘，并借助上述旋转卡盘的旋转和旋转刷再次清洗上述晶片；干燥部，与上述第二清洗部相邻设置，用于对再次清洗后的上述晶片进行干燥；移送部，用于从上述第一清洗部向上述第二清洗部移送上述晶片，或从上述第二清洗部向上述干燥部移送上述晶片，该移送部具有晶片处理器；以及控制部，用于控制上述第一清洗部、第二清洗部、干燥部以及移送部。
【技术特征摘要】
2012.01.13 KR 10-2012-00041991.一种晶片清洗装置，其特征在于，包括:第一清洗部，针对收纳在盒中的晶片，在收容有超纯水的浸溃单元利用氮泡沫清洗上述晶片；第二清洗部，与上述第一清洗部相邻设置，将清洗后的上述晶片放置于旋转卡盘，并借助上述旋转卡盘的旋转和旋转刷再次清洗上述晶片；干燥部，与上述第二清洗部相邻设置，用于对再次清洗后的上述晶片进行干燥；移送部，用于从上述第一清洗部向上述第二清洗部移送上述晶片，或从上述第二清洗部向上述干燥部移送上述晶片，该移送部具有晶片处理器；以及控制部，用于控制上述第一清洗部、第二清洗部、干燥部以及移送部。2.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，上述第二清洗部以多个单元构成，以反复进行多次将上述晶片再次清洗的工序。3.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，上述第二清洗部中包括第一分配喷嘴，该第一分配喷嘴用于向旋转卡盘方向喷射超纯水。4.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，上述移送部中还具有传送臂。5.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其...
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