CVD薄膜及其刻蚀处理方法技术

本发明专利技术提出一种CVD薄膜及其刻蚀处理方法，其中刻蚀处理方法包括：在CVD腔室内通入点火介质并点火，所述CVD腔室内放置有CVD薄膜；在所述CVD腔室内通入刻蚀气体，通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD薄膜进行刻蚀。上述CVD薄膜及其刻蚀处理方法，通过在CVD腔室内通入刻蚀气体对CVD薄膜进行刻蚀，使得薄膜的成膜和刻蚀均能通过CVD设备实现，减少产品在不同岗位之间的流通次数，从而能提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
CVD薄膜及其刻蚀处理方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种CVD薄膜及其刻蚀处理方法。
技术介绍
目前显示器件如TFT(Thinfilmtransistor，薄膜晶体管)的制备过程中，PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)是不可缺少的一项成膜工艺。在工业生产过程中，需要对CVD所成膜层的质量进行检测，以便于及时发现产品的质量问题并调整工艺参数。其中，除了膜厚、折射率、成膜速率外，薄膜的刻蚀速率也是评判膜层是否合格的标准之一。目前刻蚀速率的测试方法主要有如下两种：一种方法是将待测样品通过光刻、干法刻蚀及脱膜工艺做出图案，使用段差仪测试图案之间的段差，从而反映被刻蚀的量，计算出刻蚀速率；这种方法需要多个岗位配合测试，测试耗时、且一般设定的测试周期较长，较难监控。另一种方法则在事先用椭偏仪测试膜厚后，使用湿法刻蚀，在不完全刻蚀的情况下刻蚀膜层，然后再次测试膜厚，比较两者间的差异来给出结果；这种方法对湿刻的均匀性要求较高，无法获得膜质均匀性的数据，而且也需要其他岗位的配合。可见，现有的薄膜刻蚀速率测试方法，在对CVD薄膜进行刻蚀时，需要使CVD薄膜在多个岗位流通，不利于工业生产。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种CVD薄膜及其刻蚀处理方法，能够通过CVD设备实现CVD薄膜的成膜和刻蚀，提高生产效率。本专利技术公开了一种CVD薄膜的刻蚀处理方法，其包括：在CVD腔室内通入点火介质并点火，所述CVD腔室内放置有CVD薄膜；在所述CVD腔室内通入刻蚀气体，通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD薄膜进行刻蚀。作为其中一种实施方式，在所述CVD腔室内通入刻蚀气体之后，通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD薄膜进行刻蚀之前，所述刻蚀方法还包括：调节CVD设备的功率、所述CVD腔室的气压以及台板与扩散器之间的距离，使所述刻蚀气体的等离子体形成预设形状。作为其中一种实施方式，通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD薄膜进行刻蚀之后，所述刻蚀方法还包括：抽除所述刻蚀气体；根据所述CVD薄膜的材料，在所述CVD腔室内通入相应的空价键填补气体；将所述空价键填补气体电离为等离子体，以填补所述CVD薄膜表面的空价键。作为其中一种实施方式，在CVD腔室内通入点火介质并点火之前，所述刻蚀处理方法还包括：清洗所述CVD腔室。作为其中一种实施方式，在CVD腔室内通入点火介质并点火之前，所述刻蚀处理方法还包括：测量所述CVD薄膜的第一膜厚；在通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD薄膜进行刻蚀之后，所述刻蚀处理方法还包括：根据所述第一膜厚及刻蚀参数计算所述CVD薄膜的刻蚀速率。作为其中一种实施方式，所述CVD薄膜为氮硅化合物薄膜；根据所述第一膜厚及刻蚀参数计算所述CVD薄膜的刻蚀速率，包括：检测刻蚀终点并获取第一刻蚀时长；根据所述第一膜厚及所述刻蚀时长，计算所述CVD薄膜的刻蚀速率。作为其中一种实施方式，根据所述第一膜厚及刻蚀参数计算所述CVD薄膜的刻蚀速率，包括：获取第二刻蚀时长；测量刻蚀后所述CVD薄膜的第二膜厚；根据所述刻蚀时长以及所述第一膜厚及所述第二膜厚之差，计算所述CVD薄膜的刻蚀速率。作为其中一种实施方式，所述第一膜厚为刻蚀前所述CVD薄膜中多个采样点的膜厚均值；所述第二膜厚为刻蚀后所述多个采样点的膜厚均值。作为其中一种实施方式，所述测量所述CVD薄膜的第一膜厚，为：测量所述CVD薄膜中多个采样点的第一膜厚；所述测量刻蚀后所述CVD薄膜的第二膜厚，为：测量刻蚀后所述多个采样点的第二膜厚；作为其中一种实施方式，计算各所述采样点的刻蚀量，所述刻蚀量为第一膜厚与第二膜厚之差；根据各所述采样点的刻蚀量评估所述CVD薄膜的刻蚀均匀性。本专利技术还公开了一种CVD薄膜，其采用如上述任一项所述的刻蚀处理方法处理得到。上述CVD薄膜及其刻蚀处理方法，通过在CVD腔室内通入刻蚀气体对CVD薄膜进行刻蚀，使得薄膜的成膜和刻蚀均能通过CVD设备实现，减少产品在不同岗位之间的流通次数，从而能提高生产效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。图1为一实施例的CVD薄膜的刻蚀处理方法的流程示意图；图2为另一实施例的CVD薄膜的刻蚀处理方法的流程示意图；图3为又一实施例的CVD薄膜的刻蚀处理方法的流程示意图；图4为又一实施例的CVD薄膜的刻蚀处理方法的流程示意图；图5为一实施例的氮硅化合物薄膜的刻蚀终点检测原理示意图；图6为一实施例的椭圆形等离子体刻蚀CVD薄膜的效果示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。例如，一实施例的CVD薄膜的刻蚀处理方法，包括：在CVD腔室内通入点火介质并点火，所述CVD腔室内放置有CVD薄膜；在所述CVD腔室内通入刻蚀气体，通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD薄膜进行刻蚀。又如，一实施例的CVD薄膜，其采用上述刻蚀处理方法处理得到。为了进一步理解上述CVD薄膜及其刻蚀处理方法，下面结合附图描述根据本专利技术实施例的CVD薄膜及其刻蚀处理方法。例如，请参阅图1，其为一实施例的CVD薄膜的刻蚀处理方法的流程示意图。如图1所示，上述CVD薄膜的刻蚀处理方法，包括如下步骤：S120，在CVD腔室内通入点火介质并点火，所述CVD腔室内放置有CVD薄膜。例如，在CVD腔室内通入氩气(Ar)，以氩气作为CVD设备的点火介质。在功率较低的情况下，一些气体难以形成等离子体，点火有助于形成等离子体。其中，在点火之前，CVD腔室内放置有CVD薄膜。CVD薄膜即通过CVD设备沉积得到的薄膜。例如，CVD薄膜为缓冲层薄膜或绝缘层薄膜。又如，CVD薄膜为氧化物薄膜、氮化物薄膜、硅化物薄膜、金属氧化物半导体膜等。又如，CVD薄膜为硅氮化物(SiNx)薄膜、硅氧化物(SiOx)薄膜、非晶硅(a-Si)薄膜等。S140，在所述CVD腔室内通入刻蚀气体，通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD薄膜进行刻蚀。具体地，在CVD腔室内通入刻蚀气体后，设置CVD设备加载一定的功率，将刻蚀气体电离为等离子体，利用等离子体的活性与CVD薄膜反应，实现对CVD薄膜的刻蚀。其中，对于不同的CVD薄膜，采用的刻蚀气体可以相同或不同。例如，对于a-Si、SiNx、SiOx等含硅的薄膜，采用能电离出氟离子的刻蚀气体，使氟离子与硅发生化学反应F-+Si→SiF4↑，生成四氟化硅气体，从而实现对含硅薄膜的刻蚀。例如，上述能电离出氟离子的刻蚀气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CVD薄膜的刻蚀处理方法，其特征在于，包括：在CVD腔室内通入点火介质并点火，所述CVD腔室内放置有CVD薄膜；在所述CVD腔室内通入刻蚀气体，通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD薄膜进行刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种CVD薄膜的刻蚀处理方法，其特征在于，包括：在CVD腔室内通入点火介质并点火，所述CVD腔室内放置有CVD薄膜；在所述CVD腔室内通入刻蚀气体，通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD薄膜进行刻蚀。2.如权利要求1所述的刻蚀处理方法，其特征在于，在所述CVD腔室内通入刻蚀气体之后，通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD薄膜进行刻蚀之前，所述刻蚀方法还包括：调节CVD设备的功率、所述CVD腔室的气压以及台板与扩散器之间的距离，使所述刻蚀气体的等离子体形成预设形状。3.如权利要求1所述的刻蚀处理方法，其特征在于，通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD薄膜进行刻蚀之后，所述刻蚀方法还包括：抽除所述刻蚀气体；根据所述CVD薄膜的材料，在所述CVD腔室内通入相应的空价键填补气体；将所述空价键填补气体电离为等离子体，以填补所述CVD薄膜表面的空价键。4.如权利要求1所述的刻蚀处理方法，其特征在于，在CVD腔室内通入点火介质并点火之前，所述刻蚀处理方法还包括：清洗所述CVD腔室。5.如权利要求1所述的刻蚀处理方法，其特征在于，在CVD腔室内通入点火介质并点火之前，所述刻蚀处理方法还包括：测量所述CVD薄膜的第一膜厚；在通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD薄膜进行刻蚀之后，所述刻蚀处理方法还包括：根据所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松举，李成，祝汉泉，苏君海，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44