本发明专利技术提供一种基板处理装置（100），不易产生匹配器和输送线路的发热和功率损耗，且不易产生由匹配器和输送线路的组装的差异引起的阻抗的变动所导致的电流差，其包括：产生高频电力的高频电源（6）；等离子体生成电极（2），被从高频电源（6）供给高频电力，用于生成等离子体；单一的匹配器（7），设置在高频电源（6）与等离子体生成电极（2）之间，使传送路径（9）的阻抗与负载的阻抗匹配；和阻抗调整电路（8），设置在匹配器（7）与等离子体生成电极（2）之间，调整它们之间的阻抗，匹配器（7）将等离子体和阻抗调整电路（8）作为一个负载取得阻抗的匹配，利用阻抗调整电路（8）对阻抗进行调整，将匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定值。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及构成为平行平板型等离子体处理装置的基板处理装置。
技术介绍
当前，作为平行平板型等离子体处理装置，已知有在腔室内设置有阳极.阴极电极、从设置在腔室外的电源经过匹配器(matcher)后向阴极电极供给高频电力的装置(例如专利文献I)。通常，等离子体负载的阻抗为I 数Ω左右，因此，匹配器需要使作为传送路径的阻抗的50Ω和1 数Ω左右的低阻抗匹配。在将这样的平行平板型等离子体处理装置应用于太阳能电池面板或平板面板等所使用的大型基板的等离子体处理的情况下，需要大的功率，而且，如上所述，要取得与低阻抗匹配的匹配器的输出阻抗与等离子体负载的阻抗同样低，因此，流向匹配器的电流和从匹配器流出的电流变得极大，容易产生功率损耗等。此外，当这样输出阻抗低时，即使由于匹配器和输送线路的微妙的组装的差异等引起的阻抗的微小的差也会使得阻抗的变动率变大，成为大的电流差出现，在投入电极的功率中产生大的偏差。此外，如果基板大型化则电极也需要同样地大型化，相对于高频电力波长，电极的长度能够无视，因此，产生驻波等，难以使电压分布均匀。如果电压分布不均匀，则等离子体密度也不会均匀，因此会对产品的处理结果产生大的影响。作为针对后者的问题的技术，已知有在电极的两侧分别经匹配器供电的技术(专利文献2等)、从一个匹配器分支向电极的两端供电的技术(专利文献3等)。但是，这些技术不是解决上述匹配器的输出阻抗小所引起的问题的技术，即使应用这些技术这样的问题也依然存在。此外，在分别经匹配器向电极的两侧供电的情况下，两个匹配器与同一负载连接，因此存在产生由相互干扰而引起的匹配不良的问题，且具备两个昂贵的大电流用的可变电容器的匹配器的数量增加，因此装置成本变高。并且，在将低阻抗的匹配器输出分支、与电极的两侧连接的情况下，高功率的高频电力所流经的路径变长，电力损耗极大。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开昭61-119686号公报专利文献2:日本特开2001-274099号公报专利文献2:日本特开2000-003878号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的问题对于上述那样匹配器的输出阻抗低而引起的问题，尚没有有效的解决办法，用于使电极的电压分布均勻的文献2、3等中记载的技术也不够充分。本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种基板处理装置，其不易产生匹配器和输送线路的发热和功率损耗、并且不易产生匹配器和输送线路的组装的差异而引起的阻抗的变动所引起的电流差。此外，提供一种基板处理装置，其除了以上各点之外，还能够以不产生由相互干扰引起的匹配不良和电力损耗等的方式使与大型基板对应地大型化的电极的电压分布均匀。用于解决问题的方法为了解决上述问题，本专利技术的第一方面提供一种基板处理装置，其为利用通过高频电力产生的等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置，上述基板处理装置的特征在于，包括:产生高频电力的高频电源；等离子体生成电极，其用于被从上述高频电源供给高频电力而生成等离子体；单一的匹配器，其设置在上述高频电源与上述等离子体生成电极之间，使传送路径的阻抗与负载的阻抗匹配；和阻抗调整电路，其设置在上述匹配器与上述等离子体生成电极之间，对它们之间的阻抗进行调整，上述匹配器将等离子体和上述阻抗调整电路作为一个负载取得阻抗的匹配，通过利用上述阻抗调整电路对阻抗进行调整，将上述匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定的值。在上述第一方面中，上述阻抗调整电路具有一个可变电容，能够通过上述可变电容调整阻抗。此外，上述阻抗调整电路还具有一个以上的固定电容，能够通过上述固定电容进行阻抗的微调整。优选上述固定电容以能够切换的方式设置，能够根据需要选择任一个或两个以上。本专利技术的第二方面提供一种基板处理装置，其为利用通过高频电力产生的等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置，上述基板处理装置的特征在于，包括:产生高频电力的高频电源；等离子体生成电极，其具有第一供电点和设置在与该第一供电点相对的位置的第二供电点，被从上述高频电源对上述第一供电点和上述第二供电点供给高频电力而生成等离子体；单一的匹配器，其设置在上述高频电源与上述等离子体生成电极之间，使传送路径的阻抗与负载的阻抗匹配；第一阻抗调整电路，其设置在上述匹配器与上述第一供电点之间，对它们之间的阻抗进行调整；和第二阻抗调整电路，其设置在上述匹配器与上述第二供电点之间，对它们之间的阻抗进行调整，上述匹配器将等离子体和上述第一阻抗调整电路以及上述第二阻抗调整电路作为一个负载取得阻抗的匹配，通过利用上述第一阻抗调整电路以及上述第二阻抗调整电路对阻抗进行调整，将上述匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定的值。本专利技术的第三方面提供一种基板处理装置，其为利用通过高频电力产生的等离子体对多个基板进行处理的等离子体处理装置，上述基板处理装置的特征在于，包括:产生高频电力的高频电源；多个等离子体生成电极，其与上述多个基板中的各个基板对应地设置，用于被从上述高频电源供给高频电力而生成等离子体；单一的匹配器，其设置在上述高频电源与上述多个等离子体生成电极之间，使传送路径的阻抗与负载的阻抗匹配；和设置在上述匹配器与上述多个等离子体生成电极中的各个等离子体生成电极之间，对它们之间的阻抗进行调整的多个阻抗调整电路，上述匹配器将等离子体和上述多个阻抗调整电路作为一个负载取得阻抗的匹配，通过利用上述多个阻抗调整电路对阻抗进行调整，将上述匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定的值。本专利技术的第四方面提供一种基板处理装置，其为利用通过高频电力产生的等离子体对多个基板进行处理的等离子体处理装置，上述基板处理装置的特征在于，包括:产生高频电力的高频电源；与上述多个基板中的各个基板对应地设置，具有第一供电点和设置在与该第一供电点相对的位置的第二供电点，被从上述高频电源对上述第一供电点和上述第二供电点供给高频电力而生成等离子体的多个等离子体生成电极；单一的匹配器，其设置在上述高频电源与上述多个等离子体生成电极之间，使传送路径的阻抗与负载的阻抗匹配；在上述多个等离子体生成电极中的各个等离子体生成电极中，设置在上述匹配器与上述第一供电点之间，对它们之间的阻抗进行调整的多个第一阻抗调整电路；和在上述多个等离子体生成电极中的各个等离子体生成电极中，设置在上述匹配器与上述第二供电点之间，对它们之间的阻抗进行调整的多个第二阻抗调整电路，上述匹配器将等离子体和上述多个第一阻抗调整电路以及上述多个第二阻抗调整电路作为一个负载取得阻抗的匹配，通过利用上述多个第一阻抗调整电路以及上述多个第二阻抗调整电路对阻抗进行调整，将上述匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定的值。在上述第二 第四方面中，上述阻抗调整电路或上述第一阻抗调整电路以及第二阻抗调整电路，具有一个可变电容和一个以上固定电容，能够通过上述可变电容调整阻抗，能够通过上述固定电容进行阻抗的微调整。在这种情况下，优选上述固定电容以能够切换的方式设置，能够根据需要选择任一个或两个以上。在上述第一 第四方面中，上述匹配器的输出阻抗为20Ω以上35Ω以下。专利技术效果根据本专利技术的第一方面，在单一的匹配器与等离子体生成电极之间设置有阻抗调整电路，由此调整匹配器与等离子体生成电极间的阻抗，匹配器将等离子体与阻本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基板处理装置，其为利用通过高频电力产生的等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置，所述基板处理装置的特征在于，包括：产生高频电力的高频电源；等离子体生成电极，其用于被从所述高频电源供给高频电力而生成等离子体；单一的匹配器，其设置在所述高频电源与所述等离子体生成电极之间，使传送路径的阻抗与负载的阻抗匹配；和阻抗调整电路，其设置在所述匹配器与所述等离子体生成电极之间，对它们之间的阻抗进行调整，所述匹配器将等离子体和所述阻抗调整电路作为一个负载取得阻抗的匹配，通过利用所述阻抗调整电路对阻抗进行调整，将所述匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定的值。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：花轮健一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。