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东京毅力科创株式会社专利技术
东京毅力科创株式会社共有7373项专利
在升起特征上沉积高度共形无定形碳膜的方法技术
本发明涉及在升起特征上沉积高度共形无定形碳膜的方法。该用于形成半导体器件的方法包括:在处理室中的衬底保持器上设置衬底,其中所述衬底包含具有顶表面及侧表面的升起特征;使处理气体流入所述处理室,其中所述处理气体包含碳氢化合物气体,包含氧的气...
成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置及半导体装置制造方法及图纸
本发明提供一种成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置、及半导体装置。半导体装置包括场效应晶体管、及具有柱状形状的电容器,其中,该半导体装置还包括:第1电极,其与上述场效应晶体管的杂质扩散区域电连接且具有柱状形状;电介质...
环状屏蔽部件、其构成零件和基板载置台制造技术
本发明提供一种防止在环状屏蔽部件的构成零件和基板载置台之间产生间隙并能够防止构成零件破损的环状屏蔽部件。屏蔽环(15)由四个环构成零件(41)~(44)构成,在各环构成零件(41)~(44)的长度方向上的固定端设置有全方向移动限制部(4...
用于减小图案效应的多重化学处理工艺制造技术
本发明提供了用于减小图案效应的多重化学处理工艺。描述了在具有减小的缺陷的状态下对衬底进行图案化的方法和系统。一旦使用光刻技术在辐射敏感材料的层中形成图案,衬底被清洗以移除剩余的显影溶液和/或其他材料。之后,使用第一化学溶液执行第一化学处...
阀体、闸阀和基板处理系统技术方案
本发明提供一种阀体,能够在清洗阀体时无需实质上停止基板处理系统。基板处理系统10包括对基板S实施干蚀刻处理的处理室13和输送基板S的传递室11,开放或关闭连通处理室13和传递室11的连通口19a的阀体22包括可移动的主体23和罩部件24...
成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置制造方法及图纸
本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置。基板处理装置包括:真空容器,其用于容纳基板;载置台;等离子体产生气体供给部;天线,其用于利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化,绕纵向的轴线卷绕而成;法拉第屏蔽件,其用于阻止...
成膜装置制造方法及图纸
本发明提供成膜装置,包括:旋转台,其设于真空容器内,在其上表面上沿周向具有用于载置基板的多个基板载置区域,并且用于使该基板载置区域旋转;气体喷嘴,其以从基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设置,沿其长度方向形成有用于喷出气体的气体喷出口;...
密封膜形成方法、密封膜形成装置及有机发光元件制造方法及图纸
本发明提供密封膜形成方法、密封膜形成装置及有机发光元件。能够以比以往技术更短的时间及低成本形成抗透湿性较高的密封膜。在用于形成用于密封有机EL元件(12)的密封膜(13)的密封膜形成方法中,在有机EL元件(12)的表面上形成第一无机层(...
通过迭代的空间谐波阶次截断的计算效率制造技术
描述了一种用于改善针对光学计量中的衍射信号的计算效率的方法。该方法包括:对针对光栅结构的空间谐波阶次集合进行仿真。基于第一图案来截断所述空间谐波阶次集合以提供空间谐波阶次的第一截断集合。基于第二图案通过迭代过程来修改所述空间谐波阶次的第...
基板处理装置的数据取得方法和传感器用基板制造方法及图纸
提供一种使用传感器用基板有效且高精度地取得基板处理装置的处理组件相关的数据的方法。该方法,包括:利用上述第一保持部件保持传感器用基板的工序,上述感器用基板具备用于取得与处理组件相关数据的传感器部、和包括用于向上述传感器部供给电力的能够充...
表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置。该表面处理方法是表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法,其特征在于,具有:准备表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的工序;在氧等离子体中加热上述破碎层,使部件表面的碳...
微波导入机构、微波等离子体源和微波等离子体处理装置制造方法及图纸
微波导入机构(41)包括:具有将微波发射到腔室内的平面天线(81)的天线部(80)、匹配阻抗用的调谐器(60)、用于将天线部(80)的热散热的散热机构(90),调谐器(60)包括:具有呈筒状的外侧导体(52)和内侧导体(53)成为微波传...
成膜方法和成膜装置制造方法及图纸
本发明提供一种成膜方法,在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子,然后通过偏压引入,由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜,该成膜方法包括:基膜形成工序,从靶生成金属离子,通过偏压将该金属离子引入到被处理体,在凹部内形成基膜;蚀...
基板交接方法技术
本发明提供一种基板交接方法,能够将基板平坦地载置在载置台上,且解除静电吸盘的吸附将基板从载置台举起时,基板不容易发生异常放电。该基板交接方法包括:基板载置工序,在基板载置面(4c)的上方,使由第一升降销(8a)和位于比第一升降销(8a)...
抗蚀剂除去装置和抗蚀剂除去方法制造方法及图纸
提供一种抗蚀剂除去装置,其不氧化抗蚀剂以外的基板材料,与使用溶剂的现有的抗蚀剂除去方法相比能够更有效地除去抗蚀剂。从形成有抗蚀剂的晶片(W)除去抗蚀剂的抗蚀剂除去装置中,具有对晶片(W)喷射多个有机类溶剂分子集合而成的簇的簇喷射单元(3)。
热处理装置及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法制造方法及图纸
本发明的热处理装置具备:容器载置部,该容器载置部载置基板容器,该基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板;基板保持件,该基板保持件以多个基板隔开比第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板;基板输送部,该基板输送...
温度控制单元和系统、基板载置台、处理装置和处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种能够使基板的温度快速变化的温度控制单元。与基板(W)接触对该基板(W)的温度进行控制的温度控制单元(15)具备:与基板(W)接触的板状的单元主体(16)、埋设在单元主体(16)内的多个直线状的加热器(17)、和形成于单元主...
基板处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种基板处理装置,确保容易产生气雾的处理室的维护性,并提高室内的排气效率和排气能力的均一性。在吹洗室(R2)的室内排气机构(112)中,第一分隔板(114)配置于比上部双流体喷嘴(104U)高且比排气口(106、108)低的位...
非晶硅膜的成膜方法及成膜装置制造方法及图纸
本发明提供一种非晶硅膜的成膜方法及成膜装置。该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序:加热基底,向加热了的基底供给氨基硅烷类气体,在基底表面上形成晶种层;加热基底,向加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体,在晶种层上将非晶硅膜形成为层...
成膜装置及基板处理装置制造方法及图纸
本发明提供成膜装置及基板处理装置。成膜装置包括:多个处理区域,在旋转台的旋转方向上相互分开地设置;多个反应气体供给部件,向多个处理区域分别供给种类互不相同的反应气体;分离区域,在旋转方向上位于处理区域之间,将多个处理区域的气氛气体相互分...
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