热处理装置及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法制造方法及图纸

本发明专利技术的热处理装置具备：容器载置部，该容器载置部载置基板容器，该基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板；基板保持件，该基板保持件以多个基板隔开比第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板；基板输送部，该基板输送部包括能够支承基板的至少两个基板支承部，并在基板保持件与基板容器之间交接多个基板，其中，至少两个基板支承部以隔开第一间隔相互重叠的方式配置，相对于基板容器共同地进退，且相对于基板保持件独立地进退；以及控制部，该控制部以在至少两个基板支承部中的下方的基板支承部支承基板时，上方的基板支承部不动作的方式控制该上方的基板支承部。

【技术实现步骤摘要】
热处理装置及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法本公开主张于2011年7月29日申请的日本专利申请第2011－167428号的优先权，该日本申请的全部内容作为参照文献包含于本专利技术。
本公开涉及对半导体晶片等基板进行热处理的热处理装置、以及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法。
技术介绍
作为半导体制造装置之一，存在对多个晶片一并进行加热的立式的批处理式的热处理装置。在这样的热处理装置中设置有：例如在上下方向隔开间隔保持多个晶片的晶舟；以及输送机构，该输送机构在收纳有多个晶片的例如FOUP（Front-OpeningUnifiedPod，前端开口片盒）等载体与晶舟之间进行晶片的交接。然而，在上述的热处理装置中，为了增加在一次工序中能够处理的晶片的片数，希望缩小由晶舟保持的晶片的间隔。在该情况下，若在输送机构设置有以与由晶舟支承的晶片的间隔相等的间隔配置的多个晶片叉，则能够将多个晶片一次性地搭载于晶舟，并能够从晶舟一次性地取出多个晶片。因而，除了能够增加通过一次工序能够处理的晶片片数之外，通过缩短晶片输送时间，也能够提高吞吐量。但是，在为了与晶舟的晶片间隔一致而缩小多个晶片叉的间隔的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热处理装置，具备：容器载置部，该容器载置部载置基板容器，该基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板；基板保持件，该基板保持件以多个基板隔开比所述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板；基板输送部，该基板输送部包括能够支承基板的至少两个基板支承部，并在所述基板保持件与所述基板容器之间交接所述多个基板，其中，所述至少两个基板支承部以隔开所述第一间隔相互重叠的方式配置，相对于所述基板容器共同地进退，且相对于所述基板保持件独立地进退；以及控制部，该控制部以在所述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部支承所述基板时，上方的基板支承部不动作的方式控制该上方的基板支承部。

【技术特征摘要】
2011.07.29 JP 2011-1674281.一种热处理装置，具备：容器载置部，该容器载置部载置基板容器，该基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板；基板保持件，该基板保持件以多个基板隔开比所述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板；基板输送部，该基板输送部包括能够支承基板的至少两个基板支承部，并在所述基板保持件与所述基板容器之间交接所述多个基板，其中，所述至少两个基板支承部以隔开所述第一间隔相互重叠的方式配置，相对于所述基板容器共同地进退，且相对于所述基板保持件独立地进退；以及控制部，该控制部以在所述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部支承所述基板时，上方的基板支承部不动作的方式控制该上方的基板支承部，所述下方的基板支承部具备检测器，该检测器检测所述下方的基板支承部是否支承有基板，所述控制部基于由所述检测器检测出的、所述下方的基板支承部是否支承有基板的检测结果，判断所述上方的基板支承部能否动作。2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，在所述至少两个基板支承部中的一方的基板支承部设置有传感器部，该传感器部检测由所述基板保持件保持的所述基板。3.一种基板输送方法，使用至少两个基板支承部从基板容器朝基板保持件输送多个基板，所述基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板，所述基板保持件以多个基板隔开比所述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板，所述至少两个基板支承部以隔开所述第一间隔相互重叠的方式配置，且能够支承基板，其中，所述基板输送方法包括：使所述至少两个基板支承部共同地进入所述基板容器内的工序；利用所述至少两个基板支承部分别接收一片基板的工序；使所述至少两个基板支承部共同地从所述基板容器退出的工序；利用所述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部将该基板支承部所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥喜一，镰田辉实，及川一彻，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：