基板交接方法技术

本发明专利技术提供一种基板交接方法，能够将基板平坦地载置在载置台上，且解除静电吸盘的吸附将基板从载置台举起时，基板不容易发生异常放电。该基板交接方法包括：基板载置工序，在基板载置面（4c）的上方，使由第一升降销（8a）和位于比第一升降销（8a）低的位置的第二升降销（8b）支承的基板（G）下降，使基板（G）从基板（G）的中央部载置到基板载置面（4c）；利用静电吸盘（41）吸附载置在基板载置面（4c）的基板（G），对基板（G）进行等离子体处理的工序；和基板脱离工序，在等离子体处理结束后，解除静电吸盘（41）的吸附，使第一升降销（8a）和第二升降销（8b）为相同高度支承基板（G），使基板（G）从基板载置面（4c）脱离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对载置台交接基板的。
技术介绍
FPD (Flat Panel Display :平板显不器)制造装置和太阳能电池制造装置等中在处理室内对大型的玻璃基板施加蚀刻和成膜等的等离子体处理，为此，具备用于将玻璃基板搬入处理室内以及从处理室内搬出的搬送装置。该搬送装置，通常由能够进退的臂支承玻璃基板，能够在处理室内与处理室外之间搬入搬出。处理室内具备载置玻璃基板的载置台，通过能够从载置台的基板载置面升降的升降销，进行进入带处理室内的臂与载置台之间的基板的交接。当将用升降销从臂接受的玻璃基板载置到载置台时，若在周边部和中央部使升降 销为相同高度地支承，则因为玻璃基板具有可挠性，被中央部的升降销支承的部分凹陷，当将玻璃基板载置到载置台时，在载置台的基板载置面与玻璃基板之间形成有空间。为了抑制形成这样的空间，并使基板均匀地接触且载置到载置台，因此在专利文献I记载有以周边部的升降销的高度比中央部的升降销更高的方式支承玻璃基板，将玻璃基板在朝向基板载置面突出地弯曲的状态下，载置到载置台的基板载置面上的技术。另外，在专利文献I中，即使当相反从载置台升起时，也使周边部的升降销先突出，玻璃基板在以朝向基板载置面突出的方式弯曲的状态下被举起。这是为了抑制玻璃基板的摇晃。专利文献I :日本特开2008-60285号公报
技术实现思路
但是，在将玻璃基板载置到载置台上进行等离子体处理期间，玻璃基板被载置台所具备的静电吸盘吸附，在等离子体处理后，在解除了静电吸附后也不能充分除电的情况下存在玻璃基板带电的状况。因此，当解除吸附并将玻璃基板从载置台举起时，若将玻璃基板在朝向基板载置面突出地弯曲的状态下举起时，则存在如下情况玻璃基板整体带电的电荷向仍然接触的部分移动，电荷集中在最终接触面积减小的玻璃基板的中央部，在玻璃基板与基板载置面之间形成较大的电场，发生异常放电。本专利技术提供了一种，其能够将具有可挠性的基板均匀地接触并载置到载置台上，并且，接触静电吸盘的吸附而将基板从载置台举起时，基板不容易发生异常放电。本专利技术的一个方式的，是对于对具有可挠性的基板进行等离子体处理的处理腔室内设置的、具备通过静电吸附而吸附上述基板的静电吸盘的载置台，交接上述基板的，上述载置台包括载置上述基板的基板载置面、能够对于该基板载置面升降并且支承上述基板的周边边缘部的第一升降销、能够对于上述基板载置面升降并且支承上述基板的中央部的第二升降销，上述方法包括对于上述基板在上述基板载置面的上方，使被上述第一升降销和比上述第一升降销更低的位置的第二升降销支承的上述基板下降，将上述基板从该基板的中央部载置到上述基板载置面的基板载置工序，使上述基板载置面上载置的上述基板被上述静电吸盘吸附，对上述基板进行等离子体处理的工序，上述等离子体处理结束后，解除上述静电吸盘的吸附，使上述第一升降销与上述第二升降销为相同高度支承上述基板，使上述基板从上述基板载置面脱离的基板脱离工序。根据本专利技术，能够提供一种，其能够使具有可挠性的基板均匀地接触并载置到载置台上，并且，解除静电吸盘的吸附将基板从载置台举起时，基板不容易发生异常放电。附图说明图I是表示具备本专利技术的一个实施方式的基板载置机构的基板处理装置的一个例子的概要截面图。图2是图I所示的基板处理装置的平面方向的概要截面图。图3是概要地表示基板载置机构的截面图。图4是表示一个实施方式的的一个例子的概要截面图。图5是示意地表示参考例的基板G的弯曲的示意图。图6是不意地表不一个实施方式的基板G的弯曲的不意图。附图标记说明·G......基板2......处理腔室4......基座4c......基板载置面8a……支承周边边缘部的升降销8b……支承中央部的升降销41......静电吸盘。具体实施例方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。在所有参照的附图中，对于相同的部分附加相同的参照附图标记。图I是表示能够实施本专利技术的一个实施方式的的基板处理装置的一个例子的概要截面图，图2是其平面方向的概要截面图。在本例中，作为基板处理装置的一个例子表示等离子体蚀刻装置。如图I所示，等离子体蚀刻装置I构成对作为具有可挠性的基板例如用于FPD的制造的玻璃基板(以下简称为基板)G进行蚀刻的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。作为FPD,能够举例表示有液晶显示器(LCD Liquid Crystal Display)、电致发光(ElectroLuminescence EL)显不器、等离子体显不面板(PDP Plasma Display Panel)等。等离子体蚀刻装置I具备作为收纳基板G的处理容器的处理腔室(以下称为腔室)2。腔室2例如由表面进行了氧化铝膜处理(阳极氧化处理)的铝构成，与基板G的形状对应地形成为长方筒形。在腔室2内的底壁设置有作为载置基板G的载置台的基座4。基座4与基板G的形状对应地形成为长方板状或柱状，具有由金属等的导电性材料构成的基材4a和设置在基材4a的底部与腔室2的底面之间的绝缘部件4b。基材4a与用于供给高频电力的供电线23连接，该供电线23上连接有匹配器24和高频电源25。从高频电源25对基座4施加例如13. 56MHz的高频电力，由此，基座4以起到下部电极的作用的方式构成。另外，在基座4设置有通过静电吸附而吸附载置的基板G的静电吸盘41。静电吸盘41由设置在基材4a的上部的、电介体和电介体的内部所具备的内部电极42构成。内部电极42经由使电压的施加接通/断开的开关44，与对内部电极42施加电压的电源43连接。在腔室2的上部或者上壁，与基座4相对地设置有喷淋头11，其对腔室2内供给处理气体同时起到上部电极的作用。喷淋头11在内部形成有使处理气体扩散的气体扩散空 间12，并且在下表面或该喷淋头11与基座4的相对面上形成喷出处理气体的多个喷出孔13。该喷淋头11接地，与基座4 一同构成一对平行平板电极。在喷淋头11的上表面设置有气体导入口 14，该气体导入口 14与处理气体供给管15连接，该处理气体供给管15经过阀16和质量流量控制器17，与处理气体供给源18连接。从处理气体供给源18供给用于蚀刻的处理气体。作为处理气体能够使用卤素类的气体、O2气体、Ar气体等通常在该领域中所使用的气体。腔室2的底壁与排气管19连接，该排气管19与排气装置20连接。排气装置20具备涡轮分子泵等真空泵，由此构成为能够对腔室2内够抽真空至规定的减压气氛。在腔室2的侧壁形成有用于搬入搬出基板G的搬入搬出口 21 (参照图2)，并且设置开闭该搬入搬出口 21的闸阀22，搬入搬出口 21开放时，基板G在由作为搬送部件的搬送臂40 (参照图2、图4)从下方支承的状态下，在搬入搬出口 21与通过闸阀22邻接的未图示的装载锁定室之间被搬送。在腔室2的底壁和基座4上，在基座4的周边边缘部位置和中央部位置(比周边边缘部位置靠内侧或靠中央侧的位置)分别形成贯通该腔室2的底壁和该基座4的插通孔7a、7b。插通孔7a例如在各边部隔开规定的间隔各2个部位共计8个部位形成，插通孔7b例如以与基座4的相对的一对边平行地排列的方式隔开规定的间隔在2个部位形成。对基板G从下方支承并使其升降的升降销8a (第一升降销)、8b (第二升降销)，分别以相对基座4的基板载置面4c能够本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板交接方法，其对于设置在对具有可挠性的基板进行等离子体处理的处理腔室内的、具备通过静电吸附来吸附所述基板的静电吸盘的载置台，交接所述基板，所述基板交接方法的特征在于：所述载置台包括：载置所述基板的基板载置面；第一升降销，其能够相对于该基板载置面突出和缩回并且支承所述基板的周缘部；和第二升降销，其能够相对于所述基板载置面突出和缩回并且支承所述基板的中央部，所述基板交接方法包括：基板载置工序，在所述基板载置面的上方，使由所述第一升降销和位于比所述第一升降销低的位置的第二升降销支承的所述基板下降，从所述基板的中央部将该基板载置到所述基板载置面；利用所述静电吸盘吸附载置在所述基板载置面的所述基板，对所述基板进行等离子体处理的工序；和基板脱离工序，在所述等离子体处理结束后，解除所述静电吸盘的吸附，使所述第一升降销与所述第二升降销为相同高度支承所述基板，使所述基板从所述基板载置面脱离。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：志村昭彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：