本发明提供能够进行矩形基板的外侧区域的等离子分布控制的电感耦合等离子用天线单元。在天线单元（50）中，天线（13）的形成感应电场的部分整体构成与矩形基板（G）对应的矩形平面，并且，天线（13）具有将多条天线电线卷绕成漩涡状而成的第一天线...

本发明提供基板输送容器的开闭装置、盖体的开闭装置以及半导体制造装置。基板输送容器的开闭装置具备：设置成在基板的输送区域侧借助升降机构升降自如的升降基体；用于开闭壁部的开口部的罩部件；用于对该罩部件与该开口部的口边缘部之间进行密封的密封部...

作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧...

本发明涉及高频电力分配装置以及使用其的基板处理装置，将从高频电源输出的高频电力均等地分配来提供的高频电力分配装置(4a)具有：配电部件(30)，其将被输入的高频电力分支成多份；同轴传输线(35)，其由将配电部件(30)所分支的高频电力向...

色谱分析柱（13）具备：流路（12），该流路（12）具有一对侧壁（23）以及底壁，流动相能够在流路（12）的内部流动；以及多个柱部（31、32），该多个柱部（31、32）隔开规定间隔分别规则地配置。在此，各个柱部（31、32）的外形面包...

本发明提供一种等离子体处理装置及其气体供给方法，在交替切换处理气体的供给时，这些处理气体不会混合，比过去更能抑制过渡现象。在晶片的等离子体处理中交替切换至少两种以上的处理气体（例如C4F6气体与C4F8气体）并供给处理室内时，对于供给所...

本发明提供不使用检查用基板、能够防止产生由照明部的照度的降低引起的检查的不顺利的问题的技术。本发明的基板检查装置，具有：模式选择部，用于在检查模式和维护模式之间选择模式，所述检查模式以载置于设置在机箱内的载置台的基板为被摄体进行摄像来进...

本发明可提供利用可切换准中性束系统实时处理衬底以改善光致抗蚀层的抗蚀刻性的装置和方法。此外，经修改的光致抗蚀层可用于蚀刻工序中以更准确地控制栅极和/或间隔区临界尺寸（CD）、控制栅极和/或间隔区CD均一性并且消除线边缘粗糙（LER）和线...

本发明提供一种能够在周向上均匀地冷却平面天线、电介质窗的等离子体处理装置。在等离子体处理装置的处理容器(100)的侧壁(140)上设有用于冷却电介质窗(105)的冷却介质流路(145)。液相或气相的冷却介质在冷却介质流路(145)中不发...

本发明提供一种阻挡层、成膜方法以及处理系统。该成膜方法用于对被处理体实施成膜处理，该被处理体在表面形成有绝缘层(1)，该绝缘层(1)由具有凹部(2)的low-k膜构成，金属层(3)暴露于该凹部(2)的底面，该成膜方法包括：第1金属含有膜...

本发明在利用CVD法在基板上成膜硅氧化膜时，使用一种硅氧化膜用成膜原料，其由具有羰基的硅氧烷系化合物构成，通过被赋予能量发生分解而CO离去，生成化学结构上不存在悬空键的生成物，且该生成物供于成膜。由此，以良好的阶梯覆盖率成膜硅氧化膜。

本发明提供成膜装置、成膜方法、转速的优化方法及存储介质。该成膜装置能够抑制形成的膜的膜厚的面内均匀性降低。成膜装置（2）用于在被处理体（W）上形成膜，其中，成膜装置包括：处理容器（4）；气体供给部件（28、30），其具有用于喷射气体的气...

一种用于制造具有氟碳化合物层作为绝缘层的半导体器件，所述方法包括如下步骤：利用由微波功率激发的等离子体形成第一氟碳化合物(CFx1)层；以及利用由RF功率激发的等离子体形成第二氟碳化合物(CFx2)层。

本发明提供一种基板处理方法，能够防止对后续工序的处理产生恶劣影响。在基座（12）载置晶片（W）之后，当缩小形成于上部光致抗蚀剂层（40）的开口部（41）的宽度时，仅对基座（12）施加等离子体生成用的高频电力，由CF4气体和CH4气体产生...

本发明提供温度测量装置、温度测量方法和热处理装置。温度测量装置用于推断处理容器内的温度分布，包括：辐射温度测量部，沿着旋转台的径向扫描旋转台的一个面侧而能测量沿着径向的多个温度测量区域的温度；动作控制部，一边使旋转台相对于辐射温度测量部...

本发明提供用于热处理装置的温度测量装置、温度测量方法和热处理装置。该热处理装置具有加热部和在内部设有用于载置基板的旋转台的处理容器，该温度测量装置包括：辐射温度测量部，其能够在使旋转台以规定的转速旋转的状态下，通过沿旋转台的径向对该旋转...

在等离子体处理装置用电介质窗（41）中，在生成等离子体的一侧的面的径向外侧区域，设置有排列成环状、向电介质窗（41）的板厚方向内侧凹入成锥形状的第一电介质窗凹部（47）。在第一电介质窗凹部（47）的径向内侧区域，设置有从生成等离子体的一...

本发明用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法，描述了固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数是小于约4的值。该方法包括将低k电介质膜暴露于红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。

本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体...

本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤：将基板输入到真空容器内，将基板载置在能旋转地设在真空容器内的旋转台上；使旋转台旋转；吸附步骤，自第1反应气体供给部向基板供给第1反应气体，使第1反应气体吸附于基板；形成步骤，自第2反应...