本发明提供一种处理装置。该处理装置抑制在利用高压流体对被处理基板进行处理的处理容器中产生颗粒，确保处理容器内的气密性。以围绕处理腔室(2)的输送口(31)的方式设置密封构件(62)，利用盖体(7)封堵输送口(31)，利用锁板(15)限制...

本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置，该电感耦合等离子体处理装置能够对应被处理基板的大型化，并且能够使得处理室内中的等离子体分布的控制性良好。所述装置具备：用于在处理室内的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体的高频天线(11a、11b...

本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置，该处理装置即使在应对被处理基板的大型化而将电介质窗部每边分割成三份以上，从而比现有技术分割了更多片的分割片的情况下，也能够在处理室内产生强等离子体。该装置具备：用于在处理室内的等离子生成区域产生电...

本发明提供一种静电卡盘装置，其由以下部件构成：静电卡盘部；环状的聚焦环部，设置成包围该静电卡盘部；和冷却基部，冷却该静电卡盘部和聚焦环部。聚焦环部包括环状的聚焦环、环状的导热片、环状的陶瓷环、非磁性体的加热器以及向该加热器供电的电极部。

本发明提供基板保持用具、基板输送装置及基板处理装置。基板保持用具也不受基板的背面状态、翘曲的影响，即使基板的位置在输送体的载置面上有一些偏移，也能以正确的姿势稳定地保持基板。在该基板保持用具（50）保持半导体晶圆（W）的周缘部时，该基板...

本发明的蚀刻方法包括：将基板搬入处理容器内并载置于载置台的工序；蚀刻工序，以包围基板的方式配置有环部件的状态下，从与基板对置的气体供给部喷淋状地排出处理气体，并且使处理气体等离子体化，对被蚀刻膜进行蚀刻，其中，所述环部件至少表面部的主成...

本发明提供一种半导体装置的制造方法。其能够易于实现在芯片上形成贯通电极、易于实现贯通电极相互间的连接。实施方式的制造方法的特征在于，准备多个半导体基板，该半导体基板形成有用于贯通主表面间的贯通孔、并且在该贯通孔内填充有多孔质导体；以使被...

本发明提供一种STI工艺中沿着硅的沟道的内壁面形成对氧的扩散具有阻挡性的数nm左右厚度的薄膜的方法。在等离子体处理装置(100)中，通过从平面天线(31)经由微波透过板(28)放射到处理容器(1)内的微波，在处理容器(1)内形成电磁场，...

本发明提供能够对基板从基板输送装置的吸附机构所使用的衬垫偏移进行检测的基板输送方法。在该基板输送方法中，通过保持部接收多个载置部中的一个载置部的基板并对该基板进行保持，将保持于保持部的基板从一个载置部搬出，对保持于保持部的基板的相对于保...

本发明提供基板处理装置，其能够使由于进行设置于真空处理室中的基板载置台的表面部的状态确认、该表面部的更换所导致的真空处理的停止时间变短，并且能够高精度地管理上述表面部的状态。该基板处理装置包括：搬送基板的常压气氛的常压搬送室；与该常压搬...

本发明提供能够避免增大升降机构的能力的必要性，并且能够抑制该升降机构的高成本化的装载单元。装载单元为了对基板(W)实施热处理而使保持有多个基板的基板保持件(58)相对于筒体状的处理容器(46)升降。这种装载单元具备：升降机构(66)，该...

本发明涉及基板搬送装置以及基板搬送方法。该基板搬送装置具备：搬送基体；用于保持基板的板状的保持体，其在水平方向进退自由地设置于所述搬送基体；压电体，其安装于所述保持体，当被施加电压时，收缩或者伸长地对所述保持体赋予弯曲应力；以及供电部，...

本发明提供基板保持件、立式热处理装置及立式热处理装置的运转方法。基板保持件以架状保持多张基板，为了对这些基板进行热处理而被搬入到立式热处理炉内，该基板保持件包括能够相互分割地合体的第一保持件部分和第二保持件部分，第一保持件部分和第二保持...

一种上部电极板以及基板处理装置，提供一种能够从开始产生等离子体起就使上部电极板的温度稳定，能够对多个晶圆实施均匀的蚀刻处理的上部电极板。在等离子体处理装置(10)中，隔着处理空间(S)与基板载置台(12)相向地配置的上部电极板(31)经...

提供一种测量装置以及等离子体处理装置，提高波长分辨率而扩大可测量的被检体的范围。该测量装置(150)的特征在于，具备：衍射光栅(104)，其将厚度D的晶圆W的表面上反射的光以及在晶圆W的背面反射的光作为入射光而进行分光；光电二极管阵列(...

本发明提供一种能够在装载晶片时可靠地推定晶片温度来对晶片施以迅速的热处理的热处理控制系统及热处理控制方法。热处理控制系统具备：处理被保持在载体中的晶片的处理容器、密封处理容器的盖体、加热处理容器的加热器以及控制加热器的控制装置。在盖体上...

在装载晶片时准确地推断晶片温度并迅速地对晶片实施热处理的热处理装置以及热处理方法。热处理装置(1)具备：对保持在舟皿(12)的晶片(W)进行处理的处理容器(3)、加热处理容器的加热器(18A)及控制加热器的控制装置(51)。在加热器与处...

本发明涉及选择性地形成氮化物膜的等离子体氮化处理方法、等离子体氮化处理装置以及半导体装置的制造方法。向处理容器(2)内供给含氮气体，将处理容器(2)内的压力设定在133Pa～1333Pa的范围内，在处理容器(2)内生成含氮等离子体，通过...

本发明的等离子体氮化处理方法能够提高利用低温ALD法形成的氮化硅膜的耐蚀性。该等离子体氮化处理方法使用等离子体处理装置(100)，该等离子体处理装置(100)具备：在上部具有开口的处理容器(1)、载置晶片(W)的载置台(2)、堵塞处理容...

本发明涉及硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置。本发明涉及在基板上层叠硅氧化物膜与硅氮化物膜的硅氧化物和硅氮化物膜的层叠方法，在成膜硅氮化物膜的气体中添加硼。