本发明提供一种能够降低使用于检查装置中的冷却装置的消耗能量的冷却装置的运转方法以及检查装置。本发明的冷却装置的运转方法是以下方法：在能够通过冷却装置(13)和加热装置(14)进行温度调节的晶圆卡盘(11)上载置半导体晶圆(W)，在控制装...

本发明提供探针卡检测装置、晶圆的对位装置及晶圆的对位方法。其在检查室内不对探针卡的探针的针尖进行检测就能进行探针卡与半导体晶圆的对位，不需要使用虚设晶圆就能迅速地进行探针与半导体晶圆的对位。探针卡检测装置(30)包括：探针检测室(31)...

本发明提供温度测量装置和温度测量方法。能够同时测量多个处理腔室内的温度测量对象物的温度。该温度测量装置包括：第1光分离部件，其用于将来自光源的光分成多个测量用的光；多个第2光分离部件，其用于将多个测量用的光分别分成测量光和参照光；第3光...

本发明提供一种能够不使用卤素气体而对至少含有铂的层进行蚀刻的基板处理方法。在使用具有规定的图案形状的钽层(38)对在晶片(W)形成的铂锰层(37)进行蚀刻时，使用含有一氧化碳气体、氢气和氩气的处理气体，在该处理气体中，相对于一氧化碳气体...

本发明提供一种成膜方法及成膜装置，该成膜方法包括：将多个基板呈多层状搭载于反应管的步骤，上述多个基板形成有包括凹部在内的图案；成膜步骤，通过向上述反应管供给含硅气体及含氧气体，在上述多个基板上形成氧化硅膜；蚀刻步骤，通过向上述反应管供给...

本发明提供液处理装置和液处理方法。能够利用简单的方法形成适合所进行的液处理的处理气氛。在用于在壳体内的处理空间(21)中向被处理基板(W)的表面供给处理液而进行液处理的液处理装置(2)中，旋转保持部(33、341)保持被处理基板并使其绕...

本发明提供成膜方法和成膜装置。该成膜方法通过向基板交替供给至少第1原料气体和第2原料气体而在基板上堆积由第1原料气体和第2原料气体的反应产生的反应生成物质的薄膜。该方法包括：不向用于收容基板的处理容器内供给气体而对处理容器内进行真空排气...

本发明公开了一种热处理装置，其包括：用于将多个基板分层支承的支承体；反应管，其内部能够容纳上述支承体并具有被设置在该反应管的侧部并向上述反应管的内部供给气体的多个气体供给管以及自该多个气体供给管的相对位置偏移地设置并用于排出上述气体的排...

本发明提供涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置。从狭缝状的喷出口向基板喷出处理液而形成涂敷膜，不管喷嘴喷出口的液珠的量和来自喷嘴喷出口的喷出压力的变化，都不依赖于现场操作者的熟练程度就能够稳定地进行膜厚形成，使形成在基板上的涂敷膜的有效面积扩...

本发明提供悬浮式涂敷装置。本发明的课题是以短时间简便地进行可分解的悬浮台的再组装作业中的高度调整。在该抗蚀剂涂敷装置的悬浮台(10)，出口侧的工作台块(SBa)通过多个支柱(18)和调节器(20)被安装在能够独立输送的台座(FLA)上。...

本发明提供一种在基板上安装元件的安装方法，包括：第一亲水化处理工序，对基板的基板表面的接合元件的区域进行亲水化处理；第二亲水化处理工序，对元件（50）的元件表面进行亲水化处理；载置工序，以经过亲水化处理的元件表面朝向上方的方式将该元件载...

本发明提供的成膜方法包括：在成膜装置（100）的处理容器（1）内配置设置有绝缘膜的晶片（W）的工序；在处理容器（1）内供给TEOS等含有硅原子的化合物的气体和水蒸汽等OH基供给性气体，使Si-OH基在绝缘膜的表面形成的表面改性工序；和在...

本发明涉及一种感应结合型等离子体处理装置，能够对在感应结合型等离子体处理中在腔室内生成的环形等离子体内的等离子体密度分布乃至基板上的等离子体密度分布进行多样化精细地控制。在该感应结合型等离子体处理装置中，设置于电介质窗(52)上的RF天...

本发明提供基板输送方法和基板输送装置。该基板输送方法用于对由背面彼此相对的第1基板和第2基板隔着隔离构件层叠而成的层叠体进行输送，其包括下述工序：利用设在第1叉状件的一侧的第1夹持机构，自第1基板的背面的下方夹持第1基板来承接第1基板，...

本发明提供一种等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法，其为如下所述的技术：在基板的等离子体蚀刻中，对于蚀刻，能获得较高的面内均匀性。预先把握能对形成在晶圆(W)上的多层膜(7)的各膜进行面内均匀性较高的蚀刻的、适当的聚焦环(3)的温度，并作...

本发明提供盖体开闭装置。盖体开闭装置是FOUP的开闭装置，通过使FOUP的基板取出口的口缘部紧贴于利用开闭门开闭的输送口的口缘部，并使设置在开闭门的盖体拆卸机构经由FOUP的盖体的前表面侧的开口部进入盖体内，来解除盖体与FOUP主体的卡...

本发明提供一种载置装置，能够实现用于冷却被载置在载置体上的被处理体的冷却机构的省空间化以及低成本化。本发明的载置装置(10)包括：晶圆吸盘(11)，其为了对晶圆(W)进行电气特性检查而用于载置晶圆(W)；以及冷却机构(12)，其用于经由...

本发明提供一种蚀刻方法、蚀刻装置及计算机可读存储介质，所述蚀刻方法是即使对多层结构体中的硅膜，也可以使用抗蚀膜、有机膜作为掩模而进行蚀刻，并且，还可以将硅膜以及存在于该硅膜下的硅氧化物膜一并蚀刻的蚀刻方法。该方法对包含硅氧化物膜(2)以...

本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置与以往相比能够更细致地控制等离子体。该等离子体处理装置包括：第一接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露于处理空间的方式配置在处理腔室内，用于形成接地电位；第二...

本发明提供一种局部曝光方法以及局部曝光装置，容易地调整在基板面内精确地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。该局部曝光方法具备以下步骤：针对形成于被处理基板(G)的感光膜的规定区域...