本发明提供电极制造装置和电极制造方法。在制造电极时，在带状的基材的表面适当且有效地形成活性物质层。电极制造装置包括：放出辊，放出带状的金属箔；涂敷部，在金属箔的两面涂敷活性物质合剂；干燥部，使金属箔上的活性物质合剂干燥而形成活性物质层；...

本发明提供电极制造装置和电极制造方法。在制造电极时，在带状的基材的表面适当且有效地形成活性物质层。电极制造装置包括：放出辊(10)，用于放出带状的金属箔(M)；涂敷部(11)，用于在金属箔的两面涂敷活性物质合剂；干燥部(12)，用于使金...

本发明提供一种不使用卤素气体就能够提高铜部件的蚀刻率的基板处理方法。在基板处理装置(10)中，在得到了具有被平滑化的表面(50)的Cu层(40)后，将在氢气中添加了甲烷气体的处理气体导入处理室(15)的内部空间，从该处理气体生成等离子体...

本发明提供一种电极制造装置，其在制造电极时能够在带状的基材的表面适当地形成活性物质层。该电极制造装置包括：放卷带状的金属箔的放卷辊；在金属箔的两面涂敷活性物质混合剂的涂敷部；使金属箔上的活性物质混合剂干燥以形成活性物质层的干燥部；和卷取...

本发明提供一种电极制造装置，其在制造电极时能够适当地在带状的基材的表面形成活性物质层。该电极制造装置包括：放卷带状的金属箔(M)的放卷辊(10)；在金属箔(M)的两面涂敷活性物质混合剂的涂敷部(11)；使金属箔(M)上的活性物质混合剂干...

本发明提供一种电极制造装置，其在制造电极时能够适当且高效地在带状的基材的表面形成活性物质层。该电极制造装置(1)包括：放卷带状的金属箔(M)的放卷辊(10)；在金属箔(M)的两面涂敷活性物质混合剂的涂敷部(11)；使金属箔(M)上的活性...

本发明提供一种能够防止在温度差大的两个部件的缝隙中堆积物附着到低温的部件的聚焦环。聚焦环(25)包围配置于基板处理装置(10)的腔室(11)内的晶片(W)的边缘，内侧聚焦环(25a)和外侧聚焦环(25b)构成聚焦环(25)，内侧聚焦环(...

本发明提供试样台和微波等离子体处理装置。试样台通过利用研磨加工使接触面具有平滑性并将接触面设成大致凹形状，能够稳定地保持半导体晶圆，微波等离子体处理装置具有该试样台。对要实施等离子体处理的半导体晶圆(W)进行保持的试样台(2)包括：吸附...

本发明提供一种基板干燥装置以及基板干燥方法，与马兰哥尼干燥相比，能够更有效地防止液滴残留在基板上，从而抑制水印的产生。对用具有反磁性的液体清洗过的基板进行干燥的基板干燥装置，具备：用于借助磁力而使附着于基板的液体移动的磁铁(4)、以及使...

提供一种成膜装置，该成膜装置能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。该成膜装置具备：收纳被处理基板(G)的处理室；设置于处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部；有机成膜材料供给部(22)，其设置于处理室的内部，...

半导体器件的制造方法包括隔着栅极绝缘膜在基板的表面上形成栅电极，在栅电极的侧表面上形成绝缘膜，和将氧等离子体暴露到基板的表面上。基板的表面附近的氧等离子体的电子温度等于或低于约1.5eV。

本发明提供氮化硅膜的成膜方法和半导体存储装置的制造方法。该氮化硅膜的成膜方法利用等离子体CVD法将存在大量的阱且可用作非易失性半导体存储装置的电荷蓄积层的氮化硅膜形成。在等离子体CVD装置中使用处理气体、并将处理容器内的压力设定在0.1...

本发明提供通过等离子体CVD法以高成膜速率形成质优的结晶性硅膜的方法。使用通过具有多个孔的平面天线将微波导入处理容器内而生成等离子体的等离子体CVD装置，利用上述微波激励包含以式SinH2n+2表示的硅化合物的成膜气体而生成等离子体，使...

本发明是用于对被检查体的电气特性进行检查的探针板，该探针板具有：多个触头，该多个触头在检查时与被检查体接触；多个测试芯片，该多个测试芯片在与被检查体之间发送接收检查用的电信号，对该被检查体的电气特性进行检查；导电部，该导电部对触头和与该...

本发明提供一种用于通过脉冲化学气相沉积在衬底上形成含金属‑硅膜的方法。所述方法包括：在处理室中提供所述衬底；将所述衬底保持在适于在所述衬底上通过含金属气体和含硅气体的热分解化学气相沉积所述含金属‑硅膜的温度下；将所述衬底暴露于所述含金属...

本发明提供一种溅射装置。该溅射装置在对自溅射空间向作为溅射处理对象的形成有有机薄膜的基板的光进行遮挡而防止有机薄膜特性劣化的状态下进行溅射处理。该溅射装置用于对配置在溅射空间的侧方的基板进行溅射处理，该溅射空间形成在相对配置的一对靶材之...

本发明提供一种薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成装置的控制部在控制升温用加热器而将反应管内加热到装载温度之后，在反应管内收容半导体晶圆。接着，控制部在控制升温用加热器而将收容有半导体晶圆的反应管内加热到成膜温度之后，自处理气体导入管...

本发明提供热处理装置。在利用感应加热对基板进行热处理的热处理装置中，提高基板的温度均匀性并提高效率。用于对多张基板(S)实施热处理的热处理装置(1)包括：处理容器(22)，其由电介体构成，用于收容被实施热处理的多张基板；基板保持构件(2...

本发明确切地测量在温度变化的氛围中处理被处理体时的物理量。物理量测量装置(90)设置在玻璃基板G的表面。物理量测量装置(90)包含：测量电路(91)；温度传感器(92)，其电阻值根据玻璃基板G的温度变化而变化；第一布线(93)，其将测量...

本发明制造能量转换效率高的太阳能电池。将在作为P型层的多晶硅基板上形成的成为n型层多晶硅层的表层，使用等离子体进行氧化处理，然后利用CVD处理堆积硅氮化膜，由此在多晶硅层的表层形成钝化膜。使用10eV以下的鞘层电位的等离子体，在压力是6...