本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，...

本发明涉及成膜装置。在密封的处理容器(10)内使反应气体反应而在基板(S)上形成薄膜的成膜装置(1a)中，分隔壁(41)将基板(S)的上方空间在横向分割为等离子体生成空间(401)与排气空间(402)，并且从处理容器(10)的顶部向下方...

公开了通过层叠第一基板以及第二基板，电连接在所述第一基板上形成的第一电极片和在所述第二基板上形成的，与所述第一电极片对应的第二电极片而形成半导体装置的制造方法。该制造方法包括对所述第一电极片进行亲水化处理的第一亲水化处理工序、用于向所述...

一种基板检查装置，具有：检查装置本体部，其用于进行形成有电子电路以及电极焊盘的基板的电气检查；接触器，其与检查装置本体部电连接。接触器是在半导体晶片上形成有由导电性材料形成的接触部的部件，通过使接触部和基板的电极焊盘电连接，而进行基板的...

本发明提供基板处理系统及基板处理方法。其抑制涂敷膜的向输送臂的附着并且适当地处理基板。涂敷显影处理系统(1)包括：用于调节晶圆(W)的中心位置的位置调节装置(42)；用于在晶圆上涂敷聚酰亚胺溶液的涂敷处理装置；用于输送晶圆的晶圆输送装置...

等离子体处理装置(11)所具备的微波供给单元(20)具备短截线部件(51)，该短截线部件，作为使内导体(32)的外周面(36)的一部分与在径向与内导体(32)的外周面的一部分相对的相对部在此为冷却板突出部(47)在径向的距离变更的变更单...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置在使用高压流体进行被处理基板的处理时，能够防止高压流体经由被设于用于进行该处理的处理容器的配管向其他的设备的流入。在处理容器中，利用超临界状态或者亚临界状态的高压流体对被处理基板进...

本发明提供一种等离子体处理装置及处理系统。多层分批式的等离子体处理装置即使被处理体是大型的也能够对多个该被处理体同时实施均匀的等离子体处理。其具有：接地线，其连接于两个以上的下部电极的每一个的与用于载置被处理体的载置面相反一侧的面的中央...

本发明提供绝缘构件及包括绝缘构件的基板处理装置。该绝缘构件能够防止密封构件因等离子体而劣化。在基板处理装置(10)的腔室(11)内将基座(12)和腔室的底部平面(51)绝缘的绝缘构件(14)具有内侧构件(41)、外侧构件(42)、配置在...

本发明提供一种真空处理装置的组装方法以及真空处理装置。该真空处理装置的组装方法在包括各自由石英构成且被互相气密地固定的真空容器及排气部的真空处理装置中，能够抑制真空容器的破损。将下凸缘(31)及凸缘构件(52)分别安装于反应管(11)及...

本发明提供一种通过抑制被处理基板的周缘部的温度上升，能够提高等离子体处理的面内均匀性，能够进行均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有：处理腔室，能够将该处理腔室的内部气密地闭塞；处理气体供给机构，用于向处理腔室内供...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，通过消除当向基板上供给表面处理液时在基板与表面处理液之间产生的气泡，降低基板表面上的缺陷。在向形成有高防水性的抗蚀剂膜(R)的晶片(W)的表面上供给纯水(P)的显影处理方法中，从纯水喷嘴(40)...

本发明提供一种能够抑制产生在簇射头的背面侧空间中异常放电等对等离子体处理造成不良影响的现象，能够稳定地进行良好的等离子体处理的等离子体处理装置。该装置具有：下部电极，设于处理腔室内并兼作基板载置台；上部电极，具有作为供给气体的簇射头的功...

本发明提供一种基板处理方法，即使在放电开始后基板立即产生位置偏移，也能够尽早检测而立即中止处理，由此能够极力防止由于异常放电导致载置台损伤。该方法具有以下放电步骤：当通过开始提供导热气体而暂时上升的导热气体的流量降低并稳定之前成为规定的...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置提高了基板表面的等离子体处理的均匀性。该等离子体处理装置(1)用于使被导入到处理容器(2)中的处理气体等离子化来处理基板(W)，其中，被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(...

本发明涉及通过重力引起的气体扩散分离(GIGDS)技术来控制等离子体产生。本发明可以提供一种使用由重力引起的气体扩散分离技术而引起的等离子体分离来处理衬底的设备和方法。通过增加或使用包括具有不同重力(即，气体成分的分子量与基准分子重之间...

本发明提供加热处理装置。其在玻璃基板的加热处理中缩短加热处理时间并节省加热电力。配置于将基板在水平方向上输送的输送路径的下部的多个下部面体状加热器分为输送路径的宽度方向中央部的(E)列、两端部的(D)列和(F)列。中央部的加热电力设定得...

本发明涉及一种处理装置，对被处理体实施规定的处理，其特征在于，包括：能排气的处理容器；配置在所述处理容器内、在上端侧支撑所述被处理体的由非磁性材料构成的旋转浮体；在所述旋转浮体上沿其周方向以规定间隔设置的由磁性材料构成的多个旋转XY用吸...

本发明公开了对在表面暴露有使用铜的配线和绝缘膜的基板形成含锰膜的成膜方法。该成膜方法具备在使用铜的配线上，利用使用了锰化合物的CVD法形成含锰膜的工序(步骤2)。

本发明提供一种高精度地对装置中产生的异常进行检测的异常检测系统。对等离子体处理装置(2)所产生的异常进行检测的异常检测系统(100)具备：多个超声波传感器(41)，其检测由异常的产生所引起的AE；分配器(65)，其将超声波传感器(41)...