本发明提供一种不因将基板交接到热处理板时的基板的横向滑动所致的位置偏移、实施加热处理的适当处理的热处理装置(方法)。包括：用于在热处理板(60)的基板载置面与基板的背面之间取得第一间隙距离的、自由伸缩的弹性部件形成的多个第一载置支承部件...

抑制由从通过等离子体氮化处理所形成的氧化氮化硅膜的N脱落造成的膜中氮浓度的降低，将被处理体间、组间的氮浓度的波动降到最小限度。绝缘膜的改性方法中，进行对在被处理体的表面露出的氧化硅膜进行等离子体氮化处理，形成氧化氮化硅膜的氮化处理工序，...

本发明提供一种温度测量方法。该温度测量方法即使在测量对象物上形成有薄膜的情况下，也能够比以往准确地对测量对象物的温度进行测量。其包括以下工序：将来自光源的光传送到在基板上形成有薄膜的测量对象物的测量点；对由基板的表面的反射光构成的第1干...

本发明涉及真空处理装置、真空处理方法以及微细加工装置。在真空室(31)内设置有喷嘴部(5)，按照与喷嘴部(5)的喷出口对置的方式保持硅基板(W)。以0.3MPa～2.0MPa从喷嘴部(5)的基端侧供给例如ClF3气体以及Ar气体，使该混...

本发明提供能够生成与矩形基板正对的状态的等离子体的天线单元，和能够使用该天线单元对矩形基板进行均匀的等离子体处理的感应耦合等离子体处理装置。在具有轮廓呈矩形的平面型天线(13a)的天线单元中，天线(13a)通过将多个天线导线(61、62...

提供一种使处理容器内的温度高精度地收敛到目标温度为止并且能够缩短收敛时间的纵型热处理装置。热处理装置(1)具备：炉本体(5)、设置在炉本体(5)内周面的加热器(18A)、配置在炉本体(5)内的处理容器(3)、连接在炉本体(5)的冷却介质...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置。其通过在反应速率控制区域引起成膜反应，即使是径深比大的接触孔也能够更薄地形成覆盖率良好的钛膜，降低接触孔的电阻。该成膜装置包括：基座(112)，用于载置基板(W)；簇射头(120)，用于将处理气体供给到...

本发明提供一种立式热处理装置，包括：立式的反应管，具有呈搁板状地保持多张基板且对基板进行热处理的基板保持件，在其周围配置有加热部；处理气体供给部，设在反应管的长度方向上，为了向保持在基板保持件的各基板供给处理气体，在与各基板相对应的高度...

本发明提供成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：载置基板的旋转台；第一反应气体供给部，配置在容器内的第一区域，供给第一反应气体；第二反应气体供给部，配置在沿旋转台旋转方向与第一区域分开的第二区域，供给第二反应气体；与第一区域及第二区域相连通...

本发明提供针尖位置检测装置和探针装置，能简化多个探针高度检测工序并以短时间且高精度检测，而且能提高检查信赖性。该针尖位置检测装置在每次使被检查体与多个探针电接触进行被检查体的电特性检查时，用于检测多个探针的针尖的位置，针尖位置检测装置具...

本发明提供一种妥善地抑制RF天线内的波长效应并且在圆周方向上和直径方向上容易地实现均匀的等离子体工序的电感耦合型等离子体处理装置。在该电感耦合型等离子体处理装置中，为了生成电感耦合等离子体，在电介质窗(52)上设置的RF天线(54)在直...

本发明提供基板位置检测装置、成膜装置以及基板位置检测方法。该基板位置检测方法包括以下工序：使基座移动而使基板载置部位于摄像装置的摄像区域中；检测两个第1位置检测标记，该两个第1位置检测标记在处理容器内以位于摄像装置的摄像区域内的方式设置...

本发明提供一种等离子体蚀刻用的电极板和等离子体蚀刻处理装置。该等离子体蚀刻用的电极板能够将贯通电极板的多种类型的气孔的配置最优化。等离子体蚀刻用的电极板(160)呈具有规定的厚度的圆板状，在同心圆状的多个不同的圆周上形成有将电极板(16...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在电感耦合型等离子体处理装置中，减少高频供电部(特别是匹配器)内的功率损失，提高等离子体生成效率。该电感耦合型等离子体处理装置在同轴天线组(54)与变压器部(68)之间形成多个独立的闭环次级...

本发明提供一种等离子体处理装置。在感应耦合型等离子体处理装置中，完全地抑制RF天线内的波长效果，并且既在周方向也在径向容易地实现均匀的等离子体处理。在腔室的顶壁部或电介质窗(52)上设置有用于在腔室内生成感应耦合的等离子体的RF天线(5...

本发明提供一种能够抑制盖体的开闭动作必要的空间的处理装置和其维修方法。为在处理腔室(60)内对被处理体实施规定的处理的处理装置，具备：处理腔室(60)；腔室主体(61)；在该腔室主体(61)上能够开闭的设置的盖体(62)；开闭该盖体(6...

本发明提供一种载置台构造，其载置用于通过等离子体溅射形成金属膜的被处理体，并且外周侧隔着绝缘用的间隙被与接地侧连接的保护罩部件包围。本发明的载置台构造包括：由导电性材料构成，将上述被处理体载置于其上表面一侧且兼用作电极的载置台主体；离开...

本发明提供一种负载锁定装置，其真空室与大气室之间通过闸阀连结并且能有选择地实现真空气氛和大气压气氛，包括：负载锁定容器；支承单元，其具有设置于负载锁定容器内并遍及多层地支承多片被処理体的支承部；气体导入单元，其具有按照将负载锁定容器内的...

一种实施有伴随500℃以上的温度的处理的后续工序的Cu配线的形成方法，其具有：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少沟槽和/或孔的底面和侧面，形成由具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属构成的密接膜的工序；在密接膜上以填...

提供一种对于露出有硅表面和硅化合物层的被处理体，以高氮化速率和高氮剂量对硅进行选择性等离子体氮化处理的方法。选择性等离子体氮化处理通过将处理压力设定在66.7Pa以上667Pa以下的范围内，从高频电源(44)向载置台(2)的电极(42)...