本发明提供一种微型透镜阵列的制造方法和微型透镜阵列。该微型透镜阵列的制造方法是在一个面上具有多个突出成大致半球面状的微型透镜的微型透镜阵列的制造方法，其包括：抗蚀剂形成工序，其用于在作为微型透镜的材料层的有机膜层上形成抗蚀剂层，该抗蚀剂...

本发明提供能够防止因电介质窗的弯曲等而产生缝隙的微波等离子体处理装置。使微波等离子体处理装置的电介质窗(12)与电介质板(22)之间为1～600Torr(1.3332×102～7.9993×104Pa)的范围的负压。因为能够将电介质板(...

本发明提供一种用于在处理容器内对被处理体(W)实施热处理而载置被处理体，且对所载置的被处理体进行加热的载置台结构(60)。在用于对载置台主体(62)的最外周的加热区域(96)进行加热的最外周电阻加热器(100)的周方向的不同的多个位置，...

本发明是以矩形基板的一对边实际上与输送方向平行而另一对边实际上与输送方向垂直的方式输送悬浮在载物台上方的矩形基板的载物台装置，载物台，具有用于喷射气体的多个气体喷射口、和用于利用吸气吸引矩形基板的多个吸气口，利用基于吸气机构的经由多个吸...

在使用有机酸含有气体除去在基板上的Cu配线结构中的Cu表面的氧化铜膜和层间绝缘膜附着的Cu含有物残渣时，进行一边加热基板以使基板温度变为相对低温的第一温度，一边向基板供给含有有机酸气体的处理气体，以进行Cu含有物残渣的蚀刻除去的工序；和...

本发明提供一种处理装置。其包括用于对被处理体进行处理的处理容器，其包括：气体供给流路，其至少一部分由金属构成，并且用于将含有卤素的腐蚀性气体向上述处理容器内供给；稳定化反应处理部，其具有能量产生器和障碍物中的至少一种，该能量产生器用于向...

通过使用电子温度比较低的高密度等离子体的方法，以含有碳-氮(C-N)键的碳氢化合物作为材料气体，形成稳定地含有(C-N)键、缺陷少、特性良好的a-CN:Hx膜，提供使用了a-CN:Hx膜的有机器件。使用含有C-N键的碳氢化合物和氮或氨作...

本发明提供一种衬底清洗方法，将形成有微细图案的衬底以不会对其细微图案带来不良影响的方式在短时间内进行清洗。关于形成有具有代表长度为0.1μm以下的槽或者孔的微细图案的晶圆(W)，以在含有水分的空间内隔着配置在规定位置上的对置电极(46)...

在处理容器内收纳基板，以气相状态将含1价脒基铜的成膜原料和含羧酸的还原剂导入至处理容器内，使它们在基板上反应，使Cu膜沉积在基板上。

对保持于相对高的第1温度且具有作为成膜基底膜的Ru膜的晶片供给含有Cu配位化合物的成膜原料，在晶片上生成Cu的初期核，之后，对保持于相对低的第2温度的晶片供给含有Cu配位化合物的成膜原料，在生成有Cu的初期核的晶片上沉积Cu。

通过使用含有有机金属化合物的成膜原料并通过CVD在基板上形成Ru膜的工序和对形成有上述Ru膜的基板进行在含氢气氛中的退火的工序，形成CVD-Ru膜。

本发明提供一种基板清洗方法，其能够以简单的装置构造实施，用于以短时间对形成有微细图案的基板进行清洗，并不会对该微细图案坏带来影响。从对晶片(W)的表面实施规定的加工的处理腔室向实施晶片(W)的清洗的清洗腔室输送晶片(W)，在清洗腔内将晶...

本发明提供一种流体控制装置，能够减少成本，并且能够实现空间的减少。流体控制装置（１）具有流体控制部（２）和流体导入部（３）。流体导入部（３）被分成三部分，包括：配置在入口侧且分别由２×Ｎ／２个开闭阀（２３）构成的第一以及第二入口侧阻断开...

一种硅氧化膜的成膜方法，其包含：在将保持被处理基板（Ｗ）的保持台（３４）的表面温度保持在３００℃以下的状态下，向处理容器（３２）内供给硅化合物气体、氧化性气体及稀有气体，在处理容器（３２）内生成微波等离子体而在被处理基板（Ｗ）形成硅氧化...

基于联锁信号对多个同种类的设备进行群集控制。基板处理系统（１０）包括输出用于控制ＰＭ的串行信号的上级ＰＣ（１００）、以及在满足预定的联锁条件的情况下输出联锁信号的安全ＰＬＣ（３００）。在基板处理系统（１０）的ＰＭ中设置同种类的多个ＡＰＣ...

成膜方法包括：在腔室内配置被处理基板的工序；通过供给通路向腔室内供给含有含氯气体的处理气体的工序；在处理气体的供给通路中配置Ｔｉ含有部，在向腔室供给处理气体时，使处理气体中的含氯气体与Ｔｉ含有部接触而使含氯气体与Ｔｉ含有部的Ｔｉ反应的工...

在集束型构架中在不将平台的纵向空间相下方延伸的状态下使运送能力提高。在平台（ＰＦ）内，第一运送机器人（１６Ｌ）包括：运送主体（４８Ｌ），能够在左侧导轨（４６Ｌ）上滑动移动；运送底座（５０Ｌ），能够在偏移方向（Ｘ方向）上滑动移动；以及滑动...

本发明提供一种设置于探针装置的探针卡，其具有支承接触体的支承板和设置在支承板的上表面侧的电路基板。在电路基板的上表面设置有连结部件，连结部件和支承板利用连结体被连结。在连结部件的上表面设置有多个载荷调整部件，其将接触体和被检查体的接触载...

本发明是一种采用电磁波对被处理体（Ｗ）进行热处理的处理装置（２），包括：具有规定长度的金属制的处理容器（４）；设置在处理容器的一端的搬出搬入口（６），能够对搬出搬入口进行关闭和打开的关闭体（５２，１０２）；从搬出搬入口被搬出和搬入处理容...

等离子体处理装置（１１）具备向处理容器（１２）内供给等离子体处理用的反应气体的反应气体供给部（１３）。反应气体供给部（１３）包括：第一反应气体供给部（６１），其被设于电介质板（１６）的中央部，朝向保持于保持台（１４）上的被处理基板（Ｗ）...