一种使用等离子体蚀刻装置的蚀刻方法，该等离子体蚀刻装置具备有处理容器、载置台、微波供给单元、气体供给单元、排气装置、向载置台供给交流偏置电力的偏置电力供给单元和控制交流偏置电力的偏置电力控制单元，其中偏置电力控制单元以下述方式对交流偏置...

本发明提供一种能够扩展与传输模块侧面相连接的各种处理装置之间的间隔，维护性优良，可以避免生产能力的恶化，确保充分的生产效率的基板处理系统。基板处理系统在基板上沉积例如包含有机层的多个层来制造有机ＥＬ元件，由可抽真空的一个或两个以上的传输...

按照与用于载置基板的载置台对置的方式，将在下表面形成有多个气体喷出孔的气体喷淋头设置在处理容器的顶板上，并且通过介电体来构成该气体喷淋头周围的处理容器的顶板，在该介电体上设置线圈，按照基板上方的处理区域与包围该处理区域的周边区域中的电场...

将含有具有堆积性的蚀刻气体即氟碳系气体的处理气体和作为添加气体的ＳＦ６气体导入处理室内，并且在处理室内生成等离子体，通过该等离子体，对基板上形成的含硅氧化膜以抗蚀图案作为掩模进行蚀刻。此时，基于添加气体的流量变化与蚀刻速率及抗蚀剂选择比...

蒸镀装置（１０）具有：多个蒸镀源单元（１００），其具有材料容器（１１０ａ）与载气导入管（１１０ｂ），并使被收纳在材料容器（１１０ａ）中的成膜材料气化，借助从载气导入管（１１０ｂ）导入的第１载气输送成膜材料的气化分子；连接管（２００），其...

为了形成由０．５％稀氢氟酸溶液蚀刻的蚀刻速率为０．１１ｎｍ／秒以下的致密且绝缘性优良的高品质氧化硅膜（ＳｉＯ２膜、ＳｉＯＮ膜），使用等离子体ＣＶＤ装置，经由具有多个孔的平面天线向处理容器内导入微波并生成等离子体，将处理容器内的压力设定在...

本发明提供了用于将钌（Ｒｕ）金属沉积结合于半导体器件制造中以改善铜（Ｃｕ）金属中的电迁移和应力迁移的方法。本发明的实施例包括用ＮＨｘ（ｘ≤３）自由基和Ｈ自由基处理包括金属层和低ｋ电介质材料的图案化衬底，以提高Ｒｕ金属层在金属层上相对于在...

本发明公开的成膜装置包括：基板输送机构，其设置在真空容器内，并具有队列装环绕输送多个基板载置部的环绕输送通路，该环绕输送通路具有直线状环绕输送该多个基板载置部的直线输送通路；在直线输送通路沿着输送基板载置部的输送方向配置的、对在直线输送...

在对埋设于载置台（５）的电极（７）供给偏压用的高频电力的等离子体处理装置（１００）中，在对于作为电极的载置台（５）作为相对电极作用的铝制的盖部（２７）的暴露于等离子体中的表面，涂覆保护膜（４８），优选Ｙ２Ｏ３膜（４８）。在形成处理容器（...

硅氧化膜形成方法，在露出被处理体（Ｗ）的表面的硅上形成硅氧化膜。该方法包括：将被处理体载置到处理容器（１）内的载置台（２）上的工序；对处理容器内供给含氧的处理气体，生成处理气体的等离子体的工序；对载置台供给高频电力，对被处理体施加偏压的...

在大马士革制程中在对被堆积于由有机系的ｌｏｗ－ｋ膜构成的层间绝缘膜上的铜进行研磨时，ＣＭＰ装置可以防止发生划痕或凹陷。在该ＣＭＰ装置中，使粘贴了研磨垫（１２）的旋转头（１０）的旋转中心轴与将半导体晶片（１００）面朝上安装的旋转台（１４）...

本发明提供基板处理装置和基板载置台。该基板处理装置用于在被保持为真空的处理容器内对基板（Ｗ）进行等离子体处理，在处理容器内具备载置基板（Ｗ）的基板载置台（５）。基板载置台（５）包括：由ＡｌＮ构成的载置台主体（５１）；设置在载置台主体（５...

一种用于固化衬底上的低介电常数（低ｋ）电介质膜的系统，其中，低ｋ电介质膜的介电常数小于约４的值。该系统包括一个或多个处理模块，所述处理模块构造为将低ｋ电介质膜暴露于电磁（ＥＭ）辐射，例如红外（ＩＲ）辐射和紫外（ＵＶ）辐射。

将在原料形成面上以规定图案形成有用于形成聚合膜的多种原料的第１基板（１６）、和具有应该形成聚合膜的成膜面的第２基板（１５）以原料形成面和成膜面相对的方式在处理容器（２）内相对向配置，使处理容器２内为真空环境，将第１基板（１６）加热至上述...

本发明提供一种成膜装置。成膜装置具备气体喷嘴和整流构件，上述气体喷嘴沿长度方向形成有用于喷出反应气体的喷出孔，上述整流构件自上述气体喷嘴向旋转台的旋转方向上游侧或旋转方向下游侧突出。在上述结构中，针对自上述旋转方向上游侧流向该气体喷嘴的...

气体供给部件（１１）包括将以环状延伸的气体流路的设置在其内部的环状部（１２）。环状部（１２）具备：环状的第一部件（１３ａ），其包括设置有供给气体的多个供给孔（１９）的平板部（１８）；环状的第二部件（１３ｂ），其在与第一部件（１３ａ）之间...

本申请描述了一种用于形成用于半导体器件的铝掺杂金属（钽或者钛）氮化碳栅电极的方法。该方法包括提供其上包含电介质层的衬底，并且在没有等离子体的情况下在电介质层上形成栅电极。通过沉积金属氮化碳膜并且将铝前驱物的原子层吸附在金属氮化碳膜上来形...

等离子体处理装置（１１）具有：从排气孔（１３）向下方侧延伸的第一排气路（１５）；与第一排气路（１５）的排气方向的下游侧端部连接，在与第一排气路（１５）垂直的方向上延伸，在相对于排气方向正交的断面上是宽度方向比上下方向长的横长断面形状的第...

本发明形成一种耐蚀刻性优异且在曝光抗蚀剂膜时能够降低反射率的无定形碳膜。在半导体装置的制造方法中，包括：在晶片上形成蚀刻对象膜的工序，在处理容器内供给含有ＣＯ气体和Ｎ２气体的处理气体的工序，从供给的ＣＯ气体和Ｎ２气体形成无定形碳氮膜（３...

一种金属回收装置（６６），其从用由有机金属化合物原料形成的原料气体而在被处理体的表面上形成薄膜的处理容器（１０）所排出的排气气体中回收金属成分，将排气气体进行除害。金属回收装置具有：捕集单元（８０），其具有捕集部件，所述捕集部件构成为，...