化学机械研磨装置、化学机械研磨方法以及控制程序制造方法及图纸

在大马士革制程中在对被堆积于由有机系的ｌｏｗ－ｋ膜构成的层间绝缘膜上的铜进行研磨时，ＣＭＰ装置可以防止发生划痕或凹陷。在该ＣＭＰ装置中，使粘贴了研磨垫（１２）的旋转头（１０）的旋转中心轴与将半导体晶片（１００）面朝上安装的旋转台（１４）的旋转中心轴在同一垂直线（Ｎ）上对齐，并一边使旋转头（１０）及旋转台（１４）向相同方向旋转，一边使旋转头（１０）下降，从而使研磨垫（１２）与旋转台（１４）上的半导体晶片（１００）抵接，使得研磨垫（１２）在半导体晶片（１００）表面的整个区域中不向相反方向摩擦。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于形成嵌入到由有机系的low-k膜构成的层间绝缘膜中的铜布线的大马士革制程(Damascene process)中所使用的化学机械研磨装置、化学机械研磨方法以及控制程序。
技术介绍
当前的半导体集成电路，尤其是LSI (Large Scale Integrated Circuit :大规模集成电路)，由于微细化及高集成化的发展，其具有层叠了多个布线层的多层布线构造。多层布线构造中的以往的布线形成制程是利用光刻及干式蚀刻对堆积在绝缘膜上的Al等金属膜进行加工来形成金属布线图案的布线形成制程，但是由于Al布线的电迁移耐受能力低和电阻较高而存在布线延迟等问题。由此，近来，在多层布线形成制程中，多采用铜布线的大马士革制程。另一方面，为了 LSI的高速化及低功耗化，需要降低多层布线之间的电容，并且为了降低布线电容，必须对嵌入布线之间、布线层之间的层间绝缘膜采用低介电常数(low-k) 膜。而作为这种low-k膜，研究了 SiOF膜等无机系材料和多孔膜。能够得到2. 5以下的相对介电常数的氟树脂和非晶体氟碳等有机系材料也被寄予很大的希望。在此，参照图10对将有机系的low-k膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种铜布线形成用的化学机械研磨方法，在将介电常数低的有机膜用作半导体基板上的层间绝缘膜的铜布线大马士革制程中，用于研磨被堆积在所述有机膜上的铜，具有：第１工序，按照一边使半导体基板与研磨垫向相同方向旋转，一边使所述研磨垫在所述半导体基板的被处理面的大致整个区域中不向相反方向摩擦的方式使两者抵接；第２工序，对所述半导体基板与所述研磨垫之间的接触界面供给浆料，并对所述半导体基板与所述研磨垫之间的压力以及相对旋转速度进行控制，对所述半导体基板上的铜进行化学机械式研磨。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：松冈孝明，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP