【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种回收从成膜装置排出的排气气体中的未反应原料气体中的金属 成分的金属回收方法、金属回收装置、排气系统及使用其的成膜装置。
技术介绍
一般而言，为了形成IC等集成电路、逻辑器件，在半导体晶片、LCD基板等的表面 上重复进行实施所希望的薄成膜的工序和将其蚀刻成所希望的图案的工序。但是，以成膜工序为例，该工序中，通过使规定的处理气体(原料气体)在处理容 器内反应，将硅薄膜、硅氧化物薄膜、硅氮化物薄膜、金属薄膜、金属氧化物薄膜、金属氮化 物薄膜等形成在被处理体的表面。这时，伴随该成膜反应产生多余的反应副产物，并与排气 气体一同被排出。另外，未反应的处理气体也被排出。该反应副产物和未反应的处理气体，若原样被排放到大气中，则成为环境污染等 的原因。为了防止污染环境，一般而言，在从处理容器延伸出来的排气系统上设置捕获装 置，由此，捕获并去除排气气体中含有的反应副产物、未反应的处理气体等。对于该捕获装置的结构，根据应捕获去除的反应副产物等的特性提出有各种方 案。例如，在去除常温下凝结(液化)、凝固(固化)的反应副产物时，该捕获装置的一个构 成例是在具有排气气体的...
【技术保护点】
１．一种金属回收方法，其特征在于，从用由有机金属化合物原料形成的原料气体而在被处理体的表面形成薄膜的处理容器所排出的排气气体中回收金属成分，将排气气体进行除害，其包括：捕集工序，使所述排气气体与经加热的捕集部件接触，从而使该排气气体中含有的未反应的所述原料气体热分解，使所述原料气体中含有的金属成分附着于所述捕集部件；除害工序，使经过所述捕集工序的所述排气气体与催化剂接触，从而氧化所述排气气体中含有的有害气体成分而进行除害。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：原正道，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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