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东京毅力科创株式会社专利技术
东京毅力科创株式会社共有7373项专利
原料回收方法及用于原料回收的收集机构技术
本发明提供一种原料回收方法,该原料回收方法从由处理容器排出的排出气体中回收原料,在处理容器中,使用使相对于特定的制冷剂不分解而具有稳定的特性的有机金属化合物的原料气化而得到的原料气体,在被处理体的表面上形成金属膜的薄膜,其特征在于,该原...
载置台构造制造技术
本发明提供一种载置台构造。为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜,该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体,其特征在于,包括:载置台,其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体;分解抑制...
用于化学处置和热处置的高产量处理系统及操作方法技术方案
描述了一种用于对多个衬底进行处理的、具有化学处置系统和热处置系统的高产量处理系统。化学处置系统被构造成在干法非等离子体环境下对多个衬底进行化学处置。热处置系统被构造成对在化学处置系统中受到化学处置的多个衬底进行热处置。
高温静电卡盘和使用方法技术
本发明描述了一种为高温减压处理所构造的静电卡盘。静电卡盘包括具有静电夹紧电极和可选加热元件的卡盘主体,和具有传热表面的散热器主体,所述传热表面被布置为与卡盘主体的内表面呈密切关系,其中静电夹紧电极被构造为将衬底夹紧在卡盘主体的外表面上,...
探针制造技术
探针具有与被检查体接触的接触部。具有导电性的接触颗粒均匀地布置在接触部的内部。一部分的接触颗粒在接触部的被检查体侧的表面上突出。在接触部的与被检查体侧相反的面上布置有具有弹性的导电性部件。探针还具有形成有通孔的绝缘片,接触部贯穿通孔而布...
基板清洗方法、基板清洗装置和存储介质制造方法及图纸
本发明提供一种清洗方法,其根据清洗液将表面形成有图案的基板清洗的清洗,在去除清洗液或干燥时,能够抑制图案凸部的倒塌并将该基板清洗。清洗方法包括:将基板装载到装载台的工序、加热基板的工序和向所述基板的表面供给清洗液的工序。在供给清洗液的工...
等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种通过等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置,其包括:处理容器;设置在所述处理容器内用于载置基板的载置台;与所述载置台相对设置的、由在下面形成有向所述处理容器内供给处理气体的多个气体喷出孔的导电性部件构成的气体喷淋头;在包...
一种温度调节构造和使用温度调节构造的半导体制造装置制造方法及图纸
所提供的是一种温度调节构造,通过精确高速地控制温度可以保持与温度调节构造相连接的部分的温度偏差是小的。也可以提供一种使用这种温度调节构造的半导体制造装置。一冷却套(6)具有一冷却渠(61)和热通道(62)。该热通道(62)具有一热吸收部...
等离子体处理装置制造方法及图纸
等离子体处理装置(11)具备:在其内部对被处理基板W进行等离子体处理的处理容器(12);配置在处理容器(12)内且将被处理基板(W)保持在其上面的保持台(14);被设置在与保持台(14)对置的位置,并且将微波向处理容器(12)内导入的电...
等离子体处理装置、等离子体处理方法和介电体窗的温度调节机构制造方法及图纸
本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理方法和介电体窗的温度调节机构,能够对使用于等离子体处理的微波透过的介电体窗的温度进行更加精密地控制,实现更加良好的等离子体处理特性。等离子体处理装置(1)具有处理容器(2)、介电体窗(簇射极板)(...
成膜方法及处理系统技术方案
本发明提供一种成膜方法,是在可抽真空的处理容器内对在表面具有凹部的被处理体的表面实施成膜处理的成膜方法,其特征在于,包括:使用含过渡金属原料气体通过热处理形成含过渡金属膜的含过渡金属膜形成工序;和形成包含元素周期表的VIII族的元素的金...
磁控溅射方法以及磁控溅射装置制造方法及图纸
在该溅射方法中,将多个细长堆积区域配置成:使得多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形区域,并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列;将多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成:使得一个细长堆积...
成膜方法和存储介质技术
作为第一有机金属化合物原料,使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物,作为第二有机金属化合物原料,使用金属醇盐,作为氧化剂,使用气态的O3或者O2,将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜,在即将导入氧...
Sr-Ti-O系膜的成膜方法和存储介质技术
Sr-Ti-O系膜的成膜方法包括:在处理容器内配置形成有Ru膜的基板,向上述处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂,在Ru膜上形成厚度为10nm以下的第一Sr-Ti-O系膜的工序;对第一Sr-Ti-O系膜进行退火使其...
微波等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种微波等离子体处理装置,其中,对用于形成等离子体的微波进行放射的平面天线(31),在其表面以同心状被分为中央区域(31a)、外周区域(31c)、中央区域和外周区域的中间区域(31b)的情况下,朝向各异的微波放射孔(32)的对...
热处理装置及其控制方法制造方法及图纸
本发明提供一种热处理装置,其特征在于,包括:处理容器,在一侧的侧壁上具有为了搬入搬出被处理体而能开闭的闸阀,且在顶板侧隔着密封构件具有能开闭的盖部;载置台,设置在上述处理容器内,载置上述被处理体;气体导入部件,用于将气体导入到上述处理容...
载置台结构、成膜装置和原料回收方法制造方法及图纸
本发明涉及为了在能够真空排气的处理容器内,使用包含有机金属化合物的原料的原料气体在被处理体的表面形成薄膜而载置该被处理体的载置台结构。根据本发明的载置台结构,其特征在于,具备:载置台主体,载置被处理体并且在内部设置有加热器;和基台,以包...
光增感染料的染料吸附方法和吸附装置、染料增感太阳能电池的制造方法和吸附装置、以及染料增感太阳能电池制造方法及图纸
一种光增感染料的染料吸附方法,用于在含有光增感染料溶液的反应容器内将光增感染料吸附到作为染料增感型太阳能电池的工作电极发挥功能的电极材料层,该方法通过液流产生部,相对于电极材料层,产生垂直方向以及平行方向中至少一个方向的光增感染料溶液的...
Cu膜的成膜方法和存储介质技术
在腔室(1)内收纳晶片W,在腔室1内以气相状态导入作为1价Cuβ二酮配位化合物的Cu(hfac)TMVS和还原该配位化合物的还原剂,通过CVD法在晶片W上形成Cu膜。
等离子体处理方法技术
一种用于使用等离子体反应处理来形成氟碳层的方法包括施加微波功率和RF偏压的步骤。在从20mTorr到60mTorr的压力下,施加微波功率和RF偏压。
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