本发明提供一种盖体保持夹具，其能够稳定地保持处理室的盖体并使其反转。该盖体保持夹具(1)将设置于处理室(81)的上部的盖体(83)以从该盖体(83)卸下的状态进行保持，其中，保持部(2)保持盖体(83)的周缘部，基体(31、34、53)...

本发明提供一种基板清洗装置，该基板清洗装置包括：将被处理基板保持为水平且围绕铅垂轴旋转的保持单元；能够围绕铅垂轴旋转的清洗部件；使清洗部件旋转的旋转机构；和使清洗部件沿着被处理基板的被清洗面移动的移动机构，其中，清洗部件在基座部接合海绵...

本发明提供一种基板处理装置，在真空输送室连接用于对基板进行处理的多个处理室的基板处理装置中，能够抑制装卸处理室的盖体的装置的大型化且抑制占地面积增大。使用于保持盖体(52)并进行装卸(开闭)的盖体保持机构(741)共通化。并且构成为，在...

本发明提供支承体构造及处理装置。该支承体构造用于在处理容器构造(42)内支承被处理体(W)，该处理容器构造(42)在收容有多个上述被处理体(W)的状态下供处理气体从一端朝向另一端流动而进行规定处理，该支承体构造包括顶板部(48)、底部(...

本发明提供一种处理装置及成膜方法。本发明的处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理，包括：处理容器构造，其具有处理容器，在处理空间的一侧设置有喷嘴容纳区域，并且在另一侧形成有排气口，该排气口用于排出由喷嘴容纳区域沿水平方向放出的气体；盖...

本发明提供一种涂敷方法和涂敷装置，即使在涂敷液例如抗蚀剂液的供给量较少的情况下也能在基板的表面上均匀地形成涂敷膜。涂敷方法包括：预湿工序，将预湿液供给到基板(W)的中心，并且使基板旋转而使预湿液扩散到第1基板的整个表面上；涂敷膜形成工序...

本发明提供一种实现检查装置的省空间化和轻量化的载置台驱动装置。本发明的载置台驱动装置20，具备：使检查室10内的载置台11在水平方向移动的水平方向驱动机构21；支承水平方向驱动机构21的基台22；在检查室10内使用压缩空气使载置台11从...

本发明提供支承体构造、处理容器构造及处理装置。该支承体构造在供处理气体从一侧朝向另一侧沿水平方向流动的处理容器构造内支承要处理的多张被处理体(W)，包括顶板部(92)、底部(94)和多个支承支柱(96)，多个支承支柱(96)将顶板部和底...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，该基板处理装置能够防止上部电极消耗且能提高处理空间中的等离子体的密度分布的控制性。基板处理装置包括：基座，其与第1高频电源相连接且用于载置晶圆；上部电极板，其与该基座相对地配置；处理空间，其位于...

本发明的课题在于提供一种能够抑制设置于电介质窗的内侧的电介质保护罩局部地削减而消耗，能够通过电介质保护罩的长寿命化实现生产性的提高的等离子体处理装置及其电介质窗结构。在配设于电介质窗的外侧的高频天线施加高频电力从而在处理空间产生电感耦合...

本发明提供一种基板处理装置，其抑制装置的大型化、抑制占地面积的增大。在维持为真空环境的真空搬送室(13)的周围，设置对基板进行真空处理的多个处理室(30)。上述处理室(30)构成为利用盖体(32)开闭容器主体(31)的上部开口。盖体开闭...

本发明提供一种热处理装置、热处理方法和存储介质。包括：形成基板搬送路(2)，将被处理基板(G)沿着基板搬送路水平搬送的基板搬送机构(20)；形成对被处理基板的热处理空间的第一腔室(8A)；能够将第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构(...

本发明提供热处理装置、热处理方法和存储介质。包括：基板搬送机构(20)；形成对在基板搬送路搬送的被处理基板(G)的热处理空间的第一腔室(8)；能够变更加热或冷却温度的设定温度，能够将上述第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构(17、1...

本发明提供一种能够提高总处理能力并对处理时间进行管理的基板处理系统。其设置有对处理装置组进行管理的群组控制器。群组控制器实施如下步骤：通过多个的处理装置依次对载体内的基板进行处理时，基于基板的处理方案和处理状况，决定最终的处理装置的处理...

本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置，在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施...

本发明提供液处理装置，从处理液供给部(7)对基板(W)的表面供给涂布液(R)，使之向基板表面喷出以进行液处理，该液处理装置包括：形成处理液的流路(10e)的喷嘴(10)；对从喷嘴的前端部(10d)到基板表面W1间的区域照射光L的光源(1...

本发明提供一种能够对大型FPD基板在搬送室内的位置偏移和缺口等异常可靠地进行检测的基板处理装置和一种基板异常的检测方法。将基板(S)载置在搬送装置(50)的滑动拾取器(513)上，从搬送室(20)内经过闸门开口(22d)向处理腔室(10...

本发明提供一种即使处理气体进入以自如升降的方式设置的上部电极的上部空间中，也很容易将其排出的等离子体处理装置。在该装置中设有：在处理室(102)的顶壁(105)中与下部电极(111)相对以升降自如的方式设置，且设有导入处理气体的多个吹出...

本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所...

本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理方法的特征在于：在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所...