提供一种基板处理装置的基板载置台，不会伴随有部件个数和组装工时的增加，可防止因等离子体进入而引起的粘接剂层的消耗和基部表面中的电弧放电(异常放电)造成的损伤。该基板载置台包括圆板状的基部(41)；由粘接剂层(42)粘接于基部(41)的上...

本发明提供一种等离子处理装置。与以往相比能提高处理的面内均匀性，并能削减处理腔室内无用的空间而谋求装置的小型化，而且能容易地改变上部电极和下部电极的间隔。该等离子处理装置包括：上部电极，其与下部电极相对地设置于处理腔室内，自设置于相对面...

本发明提供一种基板输送装置，以极力防止因颗粒造成的基板污染。在叉主体(115)上，安装有作为扩散防止部件的扩散防止罩(121)。扩散防止罩(121)具有截止因滑动块(123)和线性引导件(119)摩擦而产生并落下的颗粒的底壁部(121a...

本发明提供不会损伤基板并有效地防止产生蚀刻斑的载置台。载置台(5A)具有例如由铝或不锈钢(SUS)等的导电性材料形成的基材(7)和在基材(7)上设置的绝缘膜(8)。绝缘膜(8)的上表面是载置FPD用玻璃基板(S)的基板载置面(50)。基...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法使被收纳在能够保持真空的处理容器内的被处理体的温度为150～550℃，反复多次进行交替地含有第1供给工序和第2供给工序的循环，从而在上述被处理体上形成氮化硅膜。在上述第1供给工序中，向将压力设...

提供一种基板处理装置及其清洁方法，不使下部电极的自偏压升高就能够提高基板载置台的附着物的去除率。在规定处理条件下清洁处理室(102)内时，按照根据下部电极(111)的自偏压以如下方式设定的流量比将含有O2气体和惰性气体的处理气体提供给处...

本发明描述了深沟槽衬里去除方法，其中基本去除了在沟槽中所形成的共形衬里的多余部分，同时减少或最大程度减小了对沟槽中的块体填充材料的损坏。

本发明提供探测装置以及探针装置中的衬底运送方法。探测装置包括：配置在直线上的多台探测检查室；以及具有衬底运送机构的装载室，其中衬底运送机构从配置在比探测检查室靠上的位置的收纳容器中取出被检查衬底，在将被检查衬底下降到探测检查室的运入运出...

本发明提供去除附着在运送臂上的污染物的运送臂的清洁方法、基片处理装置及其清洁方法。通过提供运送臂的清洁方法来解决上述问题，该清洁方法是一种用于进行基片的运送并具有静电吸盘的运送臂的清洁方法，其特征在于，在所述运送臂上附着有带电的异物的情...

本发明提供基板的处理方法、程序和计算机存储介质，在将双重图案化中第二次的抗蚀剂液的供给量控制为少量，并在基板上形成规定的抗蚀剂图案。在形成有被处理膜(F)的晶片(W)上涂敷抗蚀剂液形成第一抗蚀剂膜(R1)(图7(b))。之后，有选择地将...

液处理装置、液处理方法和存储介质。本发明提供液处理装置和液处理方法，能够在一面使基板旋转一面对基板进行液处理时，抑制杯体内的排气量，同时抑制雾从杯体反弹，降低雾向基板的附着。在向晶片(W)进行抗蚀剂的排出的期间，以从流路形成部件(50)...

本发明提供一种涂布处理方法、程序、计算机存储介质和涂布处理装置，能够在使用旋涂法将涂布液涂布于基板的情况下，使涂布液的涂布量为少量，并且使涂布液均匀地涂布在基板面内。该涂布处理方法，包括：在使晶片加速旋转的状态下，从喷嘴向该晶片的中心部...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其根据处理控制壁电位。在处理容器内的等离子体处理空间生成等离子体，对晶片进行等离子体处理的蚀刻装置(10)包括：施加等离子体激励用的高频电力的等离子体激励用高频电源(150)；施加电位调...

本发明提供一种等离子体处理装置和半导体装置的制造方法，其能够防止在半导体晶片等基板与下部电极的基材或其它周边构造物之间发生放电，能够使成品率提高，达到生产性的提高。该等离子体处理装置包括：处理腔室；设置在处理腔室内，具有被施加高频电力的...

提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体...

本发明提供一种基板载置台。该基板载置台不会污染腔室内，而且不在基板载置台上设置多余的孔，能够准确地测定在基板载置台上支承的晶圆的温度。该基板载置台包括：载置面(90a)，其用于载置晶圆(W)；基板抬起单元(80)，其用于利用提升销(84...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型的等离子体处理装置中，能够减轻高频供电系统的负担，对于RF天线内的电流分布，能够不依赖于处理条件或等离子体状态地多样且任意地进行控制。在腔室的顶部或电介质窗之上，设置有用于在腔室...

本发明提供即使对于深度较深的孔也能够蚀刻成良好的形状的等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和计算机存储介质。本发明的等离子体蚀刻方法，由形成为规定图案的光致抗蚀剂层、位于上述光致抗蚀剂层的下层的有机类的防反射膜、位于上述防反射膜的下层的S...

本发明提供一种背面异物检测方法、背面异物检测装置以及涂布装置，在浮动方式的无旋转涂布法中高精度地可靠检测有可能使基板上表面与狭缝喷嘴摩擦而造成损伤的有害背面异物。该抗蚀剂涂布装置具备背面异物检测装置，该背面异物检测装置能够在比狭缝喷嘴更...

本发明是能够增大压缩量并密封性提高的槽密封件。槽密封件(20)具有沿截面周向依次配置的第一凸部(21)、第二凸部(22)、第三凸部(23)、第四凸部和(24)第五凸部(25)，在装配于密封槽(50)的状态下，第一凸部成为从密封槽的开口端...