基板载置台制造技术

本发明专利技术提供一种基板载置台。该基板载置台不会污染腔室内，而且不在基板载置台上设置多余的孔，能够准确地测定在基板载置台上支承的晶圆的温度。该基板载置台包括：载置面(90a)，其用于载置晶圆(W)；基板抬起单元(80)，其用于利用提升销(84)将晶圆(W)自载置面(90a)抬起；光照射单元/受光单元(87)，其将提升销(84)内部作为光路，用于将由低相干光构成的测定光(88)照射到晶圆(W)，并用于分别接收来自晶圆(W)的表面和背面的反射光；光照射单元/受光单元(87)固定在基板抬起单元(80)的底板(86)上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包括基板抬起单元的基板载置台。
技术介绍
在以半导体晶圆(以下简称作“晶圆”)为代表的各种基板上实施等离子处理等各种处理的基板处理装置中，从谋求可靠处理的方面考虑，为了校正用于保持晶圆的静电吸盘等的温度漂移，对晶圆的温度进行监视，例如提出了一种使用利用荧光的荧光温度计来测定处理容器(腔室)内的晶圆的温度的技术(例如参照专利文献1)。专利文献1 日本特开2001-358121号公报但是，由于荧光温度计的探头是接触式，因此，低压或真空气氛下的导热性较差， 并不一定能够测定准确的温度。另外，在于晶圆上涂敷荧光涂料并根据荧光的反射光测量晶圆的温度的方法中，荧光涂料会成为腔室内的污染源。并且，由于荧光的反射光各向同性地(isotropic)发出，因此，为了高效地接收反射光，在基板载置台上新设置通孔，经由该通孔使光接收纤维的顶端部接近晶圆，在这种情况下，也存在由于新设置在基板载置台上的通孔的影响导致基板载置台的温度均勻性降低这样的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种不会污染腔室内且不在基板载置台上设置特别的孔就能够准确地测定在基板载置台上支承的晶圆的温度的基板载置台。为了达到上述目的，技术方案1所述的基板载置台的特征在于，包括载置面，其用于载置基板；基板抬起单元，其利用提升销(lift pin)将上述基板自上述载置面抬起； 光照射单元/受光单元，其将上述提升销内部作为光路而对上述基板照射由低相干光构成的测定光，并分别接收来自上述基板的表面的反射光和来自上述基板的背面的反射光。技术方案2所述的基板载置台根据技术方案1所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的底板上，上述测定光经由直线光路照射到上述基板。技术方案3所述的基板载置台根据技术方案1所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的提升臂上，上述测定光经由直线光路照射到上述基板。技术方案4所述的基板载置台根据技术方案1所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的底板上，上述测定光在棱镜或反射镜处反射而经由弯曲的光路照射到上述基板。技术方案5所述的基板载置台根据技术方案1所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的提升臂上，上述测定光在棱镜或反射镜处反射而经由弯曲的光路照射到上述基板。技术方案6所述的基板载置台根据技术方案2 5中任一项所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元包括上述测定光的照射角调整部件。技术方案7所述的基板载置台根据技术方案1 5中任一项所述的基板载置台， 其特征在于，上述光照射单元/受光单元以光学方法与包括光接收装置的低相干光干涉温度测定系统中的上述光接收装置连接，该光接收装置由上述低相干光的光学系统构成。技术方案8所述的基板载置台根据技术方案1 5中任一项所述的基板载置台， 其特征在于，上述提升销是圆柱销。技术方案9所述的基板载置台根据技术方案8所述的基板载置台，其特征在于，上述圆柱销能够使低相干光透过，其两端面平行且各分别被镜面研磨。技术方案10所述的基板载置台根据技术方案9所述的基板载置台，其特征在于， 上述圆柱销的顶端面中的至少照射上述测定光的部分同与上述顶端面相对的另一端面平行。技术方案11所述的基板载置台根据技术方案1 5中任一项所述的基板载置台， 其特征在于，上述提升销是空心销。采用本专利技术，由于不使用荧光涂料等，因此不会污染腔室内，而且，由于将提升销内部用作低相干光的光路，因此不必设置用于测定温度的特别的孔，能够准确地测定在基板载置台上支承的晶圆的温度。附图说明图1是表示应用本专利技术的基板载置台的基板处理装置的概略构造的剖视图。图2是表示配置在图1中的腔室内的基板抬起单元的概略构造的图，图2的(A) 是该单元的图1中的向视A的俯视图，图2(B)是沿着图2(A)中的B-B的剖视图。图3是表示本专利技术实施方式的基板抬起单元的概略构造的剖视图。图4是表示低相干光干涉温度测定系统的概略构造的框图。图5是用于说明图4中的低相干光光学系统的温度测定动作的图。图6是表示利用图4中的PD检测出的来自温度测定对象物的反射光和来自参照镜的反射光的干涉波形的坐标图。图7是表示本实施方式的基板抬起单元所应用的提升销的一个例子的剖视图。图8是表示本实施方式的基板抬起单元的第1变形例的概略构造的剖视图。图9是表示本实施方式的基板抬起单元的第2变形例的概略构造的剖视图。图10是表示本实施方式的基板抬起单元的第3变形例的概略构造的剖视图。图11是表示本实施方式的基板抬起单元的第4变形例的概略构造的剖视图。具体实施例方式下面，对应用本专利技术实施方式的基板载置台的基板处理装置进行说明。图1是表示应用本专利技术的基板载置台的基板处理装置的概略构造的剖视图。该基板处理装置用于对晶圆实施规定的等离子蚀刻处理。在图1中，基板处理装置10具有用于收容晶圆W的腔室11，在腔室11内配置有用于载置晶圆W的圆柱状的基座12。由腔室11的内侧壁和基座12的侧表面形成侧方排气通路13。在侧方排气通路13的中途配置有排气板14。排气板14是具有许多个通孔的板状构件，其起到将腔室11的内部分隔成上部和下部的隔板的作用。在被排气板14分隔出的腔室11内部的上部(以下称作“处理室”)15 中如后所述那样产生等离子体。在腔室11内部的下部(以下称作“排气室(歧管)”)16 上还连接有用于排出腔室11内的气体的排气管17。排气板14用于捕捉在处理室15中产生的等离子体或者将其反射来防止等离子体泄漏到歧管16中。在排气管17 上连接有 TMP (Turbo Molecular Pump)及 DP (Dry Pump)(均省略图示)，这些泵对腔室11内进行抽真空而使腔室11减压至规定压力。另外，腔室11内的压力由AP C阀(省略图示)来控制。第1高频电源18经由第1匹配器19连接于腔室11内的基座12，而且，第2高频电源20经由第2匹配器21连接于腔室11内的基座12，第1高频电源18对基座12施加较低的频率、例如2MHz的偏置用高频电力，第2高频电源20对基座12施加较高的频率、例如60MHz的等离子体生成用高频电力。由此，基座12起到电极的作用。另外，第1匹配器 19和第2匹配器21降低来自基座12的高频电力反射，使对基座12施加高频电力的效率最大。在基座12的上部配置有在内部具有静电电极板22的静电吸盘23。静电吸盘23 具有台阶，其由陶瓷构成。在静电电极板22上连接有直流电源M，在对静电电极板22施加正的直流电压时， 在晶圆W的靠静电卡盘23 —侧的面(以下称作“背面”)产生负电位，在静电电极板22与晶圆W的背面之间产生电场，利用由该电场引起的库仑力或约翰逊·拉别克力将晶圆W吸附保持在静电吸盘23上。另外，在静电卡盘23上，聚焦环25以包围被吸附保持的晶圆W的方式载置在静电卡盘23的台阶的水平部。聚焦环25例如由硅(Si)、碳化硅(SiC)构成。在基座12的内部例如设有沿圆周方向延伸的环状的制冷剂流路26。自冷机单元 (省略图示)经由制冷剂用配管27向制冷剂流路沈中循环供给低温的制冷剂、例如冷却水或GALDEN(注本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基板载置台，其特征在于，包括：载置面，其用于载置基板；基板抬起单元，其用于利用提升销将上述基板自上述载置面抬起；光照射单元／受光单元，其将上述提升销内部作为光路而将由低相干光构成的测定光照射到上述基板，并用于分别接收来自上述基板的表面的反射光和来自上述基板的背面的反射光。

【技术特征摘要】
2010.03.25 JP 2010-0690841.一种基板载置台，其特征在于，包括载置面，其用于载置基板；基板抬起单元，其用于利用提升销将上述基板自上述载置面抬起；光照射单元/受光单元，其将上述提升销内部作为光路而将由低相干光构成的测定光照射到上述基板，并用于分别接收来自上述基板的表面的反射光和来自上述基板的背面的反射光。2.根据权利要求1所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的底板上，上述测定光经由直线光路照射到上述基板。3.根据权利要求1所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的提升臂上，上述测定光经由直线光路照射到上述基板。4.根据权利要求1所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的底板上，上述测定光在棱镜或反射镜处反射而经由弯曲的光路照射到上述基板。5.根据权利要求1所述的基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：松土龙夫，舆水地盐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP