本发明提供能够在所期望的时机测量耗材的消耗量的消耗量测量方法。对具有暴露在等离子体中的上表面(25a)及与基座(12)相对的下表面(25b)的聚焦环(25)的消耗量进行测量时，将具有与基座相对的下表面(57b)及与聚焦环相对的上表面(5...

本发明提供一种能够在晶片面内对晶片更准确地进行温度探测的晶片型温度探测传感器。晶片型温度探测传感器(21)包括：电路基板(22)，贴附在温度探测用晶片(16)的上表面(18)；温度探测单元(23)，搭载在电路基板(22)上，对温度探测用...

本发明提供不必在各个处理反应炉的每一个中设置压力式流量控制器而且能用紧凑的构造形成压力式流量控制器的半导体制造装置用的气体供给装置。气体供给装置具有气体供给源(11a、11b)、气体导入管(13a、13b)、气体集合管(15)、多个分支...

本发明提供一种薄膜的形成方法及成膜装置。在能够真空排气的处理容器内在被处理体的表面形成含有杂质的硅膜的薄膜的形成方法中，通过反复交替进行以由硅和氢构成的硅烷系气体吸附于被处理体的表面的状态向处理容器内供给该硅烷系气体的第1气体供给工序、...

本发明提供一种非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括如下工序：对基底进行加热，使氨基硅烷系气体流经加热后的基底，在基底的表面形成晶种层；对基底进行加热，向加热后的基底的表面的晶种层供给不含氨基的硅烷系气体，使不含氨基的硅烷系气体...

提供一种可以对等离子体生成所消耗的高频波的电场强度分布进行控制的等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置(10)，具有在内部对被处理体进行等离子体处理的处理容器(100)；在处理容器(100)内部互相相对，并在相互之间形成处理空间的上部电极(...

本发明提供一种能够使等离子体稳定且对高频电场强度进行控制的等离子体处理装置。该等离子体处理装置，在能减压的处理容器内设置第一电极，将处理气体导入上述处理容器内，由高频电力的能量生成等离子体，通过上述等离子体对被处理体施行期望的等离子体处...

本发明提供一种基板处理装置及真空进片装置，不增加真空进片装置的内部容积就使其重量大幅地轻型化。真空进片装置(200)具备：能够将内部压力切换为减压环境和大气压环境的基板收存室(202、204)；设置于基板收存室内，临时载置收存的基板的缓...

本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括：旋转台，其一个面具有基板载置区域；第1、第2反应气体供给部，它们分别配置在容器内的第1、第2供给区域中，用于向一个面供给第1、第2反应气体；分离区域，其配置在第1和第2供给区域之间，包括用于喷出将...

本发明提供成膜装置及成膜方法。该成膜装置在进行氮化钛膜的成膜处理时，通过使旋转台与各气体喷嘴以100rpm以上的转速相对旋转，使反应气体的供给循环或反应生成物的成膜循环高速化来形成薄膜。在产生因生成于基板表面的反应生成物的结晶化而引起的...

本发明提供一种成膜装置。该成膜装置在真空容器内使载置有多个晶圆的旋转台旋转，晶圆依次与供给到第1和第2处理区域中的第1和第2反应气体接触，在晶圆的表面形成薄膜，设有进行使第1反应气体吸附于晶圆表面的处理的第1处理区域、及面积大于该第1处...

本发明提供利用等离子体对基板进行处理的等离子处理装置，其特征在于，包括：真空容器，在其内部利用上述等离子体对上述基板进行处理；旋转台，设于上述真空容器内，形成用于载置基板的至少1个基板载置区域；旋转机构，使该旋转台旋转；气体供给部，向上...

本发明提供一种适用于以抗蚀剂膜作为掩模的反射防止膜的蚀刻处理的蚀刻方法和蚀刻处理装置。该蚀刻方法的特征在于，包括：在被蚀刻层上形成反射防止膜(Si-ARC膜)的工序；在上述反射防止膜上形成图案化了的抗蚀剂膜(ArF抗蚀剂膜)的工序；以上...

本发明提供成膜装置及成膜方法。将沿基板的周向呈环状形成在基板载置区域的周缘的环构件固定于贯穿旋转台地升降自如的升降销。在将基板输送至凹部内后，使升降销下降而将环构件放置到与基板的表面周缘部接触的位置或该位置的稍微上方，在基板要浮起时将其...

本发明提供一种基板处理方法和装置、记录实施该方法的程序的记录介质，当从形成微细抗蚀剂图案的基板上除去冲洗液时，能够防止图案倒塌，并且能够减少疏水剂的使用量，降低进行基板处理时的处理成本。该方法包括：向形成抗蚀剂图案的基板供给冲洗液的冲洗...

本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部(54)中具备矢量式的网络分析器(68)。由该网络分析器(68)测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频...

本发明提供一种信息处理装置(100)，处理作为关于对包含半导体的处理对象物进行与作为设定处理条件的值的设定值相应的处理的半导体制造装置(200)的处理时状态取得的值的取得值，包括：接受设定值的设定值接受部(101)、接受取得值的状态值接...

本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括：旋转台，其能够旋转地设置于容器内，在第1面包含用于载置基板的基板载置区域；第1反应气体供给部，其用于向旋转台的第1面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，其沿着旋转台的旋转方向相对于第1反应气体供...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合...

提供一种使温度调节设备简易化的同时，能够防止在处理容器内产生附着物和电弧放电的等离子体处理装置。在形成处理室(5)的主体容器(2)的侧壁(2a)的内侧，配置设置有载热体流路(43)的保护板(41)的同时，通过在侧壁(2a)内面与保护板(...