【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对被处理基板实施等离子体处理的技术，特别是涉及感应耦合型。
技术介绍
在半导体设备和FPD(Flat Panel Display，平板显示器)的制造工艺中的蚀刻、堆叠、氧化、溅射等的处理中，为了在比较低的温度下进行良好的反应在处理气体中经常使用等离子体。在现有技术中，对于这种等离子体处理，多采用MHz区域的高频放电产生的等离子体。在高频放电产生的等离子体中，作为更具体的(装置的)等离子体产生方法，大致区分为电容耦合型等离子体和感应耦合型等离子体。一般地，在感应耦合型等离子体处理装置中，由电介质的窗构成处理容器的壁部的至少一部分(例如顶部)，并对在该电介质窗以外设置的线圈状RF天线供给高频电力。 处理容器构成为能够减压的真空腔腔室，在腔室内中央部配置被处理基板(例如半导体晶片、玻璃基板等)，将处理气体导入设置在电介质窗和基板之间的处理空间中。通过RF天线中流动的RF电流，磁力线贯通电介质窗而通过腔腔室内的处理空间的RF磁场在RF天线的周围产生，通过该RF磁场随时间的变化，在处理空间内沿方位角方向产生感应电场。并且， 由该感应电场使沿方位角方向加速的电...
【技术保护点】
１．一种等离子体处理装置，包括：具有电介质窗的处理容器，配置在所述电介质窗之外的线圈状ＲＦ天线，在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部，为了对所述基板实施期望的等离子体处理，而将期望的处理气体供给至所述处理容器内的处理气体供给部，为了在所述处理容器内通过感应耦合而产生处理气体的等离子体，将适合处理气体高频放电的频率的高频电力供给至所述ＲＦ天线的高频供电部，为了控制所述处理容器内的所述基板上的等离子体密度分布，在能够通过电磁感应与所述ＲＦ天线耦合的位置、在所述处理容器之外配置的补正线圈，设置在所述补正线圈的环内的开关元件，和以期望的占空比，通过脉冲宽度调制对所述开关元件进...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：山泽阳平，舆水地盐，齐藤昌司，传宝一树，山涌纯，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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