本发明提供一种等离子体氮化处理方法。在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结...

本发明提供一种等离子体处理装置和方法，能够提高晶片面内的蚀刻处理的均匀性。相对于与供给等离子体生成用的高频电力的下部电极3相对的上部电极(4)来设置电气特性调整部(20)。电气特性调整部(20)可以进行调整，使得相对于向下部电极3供给的...

本发明提供自动匹配装置和等离子体处理装置。在自动匹配动作中，不会导致不必要的速度降低和小振荡地能够在短时间内高效确立实质的匹配状态。在第二匹配算法中，在阻抗坐标上使与第一或第二基准线C1S，C2S正交的第三基准线TC1S或TC2S为动作...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。本发明在构成多模块的模块为不可使用模块时，能够迅速地进行基板的搬送，抑制制品不良的发生。在将基板搬送至搬送目的地模块之前，该搬送目的地模块变得不能够使用时，将基板的搬送目的地变更为该基板的下一个基板...

本发明提供一种基板处理方法，在通过双重图案形成微细的抗蚀图案时，能够降低基板之间以及基板面内的第一次和第二次抗蚀图案的线宽的偏差。该基板处理方法具有第一处理工序和第二处理工序，在该第一处理工序中，通过对形成有第一抗蚀剂膜的基板进行曝光、...

本发明提供能够降低晶片面内的线宽的偏差、能够降低消耗电力的热处理装置和热处理方法。热处理装置(PEB)，在进行显影处理前对形成有抗蚀剂膜的曝光后的基板(W)进行热处理，其中包括：加热部(60)，其具有呈二维排列的多个加热元件(62)，对...

本发明提供半导体装置的制造方法和等离子体蚀刻装置。该半导体装置的制造方法中，对处理腔室内供给由混合气体构成的处理气体，并且，将一个循环的工序以等离子体中途不消失的方式连续地至少重复进行三次以上，该一个循环的工序包括：使多种气体中的至少一...

本发明提供一种形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法。该方法在基底层上形成包含非晶碳膜的层叠构造，其中，包括以下工序：向上述基底层上供给有机系硅气体，在上述基底层的表面形成包含Si-C键的初始层；向在表面形成有上述初始层的上述基底层上供给包含...

本发明提供一种基板加热装置和基板加热方法以及基板处理系统。该基板加热装置不用提高装置成本就能够确保基板的面内温度的均匀性和温度稳定性，并且能够高速地升温。该基板处理系统包括：能够在减压状态下保持的容器(81)；在上面具有多个基板支承销(...

一种导电膜的制造方法，包括：设为使包括纤维状导电性物质(2a)并具有流动性的材料(2)存在于基板(3)与表面形成有预定的凹凸形状(1a)的模子(1)之间的状态的工序；进行使材料(2)的流动性降低的处理的工序；以及从材料(2)剥离模子(1...

本发明提供一种检查装置和检查方法。能够对形成有包含绝缘部和导电部的电路图案的基板高精度地进行应作为导电部的部位变成绝缘部的缺陷的检查。在真空容器（２１）内的载置台（２２）上载置其表层部形成有包含绝缘部和导电部的电路图案的基板（晶片Ｗ）。...

本发明提供可以在被处理基板的整个面上实施均匀的等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体的面内均匀性的等离子体处理装置以及聚焦环。在搭载半导体晶片(W)而兼作下部电极的基座上，按照包围半导体晶片(W)的周围那样设置聚焦环(6)。聚焦环(6...

本发明使用设置在半导体晶片上的传感器作为过程监控器，并采用电容器作为其电源。电容器可以由多晶硅和氮化硅在晶片上层积形成。此外，安装定时器，使得可以对过程监控器的操作时间或操作时刻进行指定。进而，通过将关键字存储在过程监控器的ＲＯＭ中，防...

本发明提供一种能够可靠地防止探针卡掉落的探针卡的夹紧机构以及检查装置。本发明的夹紧机构（１０）包括固定在插入环（２１）下表面的气缸环（１１）、以与气缸环嵌合着的状态升降的活塞环（１２）和与活塞环连结且支承探针卡（３０）的外环（１３），还...

本发明提供可快速地运送基片并有助于提高生产能力的处理模块、包括该处理模块的基片处理装置以及它们中的基片运送方法。根据本发明一个实施方式的处理模块（１５）包括：载置部（１５Ｓ），其载置基片（Ｗ），被载置的所述基片（Ｗ）被进行基片处理；以及...

本发明提供一种不需要特殊的高价的高温用换热器，能用耐热性低的通用且廉价的换热器的热处理装置。热处理装置用于对多个被处理体进行热处理，包括：形成为筒状体的处理容器；支承部件，能够插入收容到处理容器内或从处理容器内退出；加热炉，用于加热被处...

本发明提供一种等离子处理装置。该等离子处理装置与以往相比能够谋求提高处理的面内均匀性、并且能够削减处理室内的浪费空间来谋求装置小型化。等离子处理装置包括簇射头，自设于该簇射头的与载置台相对的相对面上的多个气体喷出孔朝向基板以喷淋状供给气...

本发明提供一种载置机构、带划片框架的晶片的搬送方法及被用于搬送方法的晶片搬送用程序，该搬送方法能在从载置台搬送带划片框架的晶片的初始阶段抑制在载物台和薄片之间发生的剥离带电。本发明的带划片框架的晶片的搬送方法包括：第一工序，通过使用升降...

本发明提供一种能使用于晶片和带划片框架的晶片双方的加载器。本发明的加载器（１０），其包括：装载口（１２），其能载置收容着多个晶片（Ｗ）的第一承载器（Ｃ１）和收容着多个带划片框架的晶片（ＤＦＷ）的第二承载器（Ｃ２）双方；晶片搬送机构（１４...

本发明提供相比以往能够降低等离子蚀刻装置的消耗品成本、并且能够减少工业废弃物的产生量、有效地充分利用资源的等离子蚀刻装置用硅制零件及其再生方法。该方法包括下述工序：回收等离子蚀刻装置用硅制零件的硅制废料的工序；根据所回收的硅制废料的电学...